受 賞

34) ICSS-Silicide 2014 Young Scientist Award 

(受賞者)馬場正和, July 21(2014).

33) 第27回 安藤博記念学術奨励賞 

(受賞者)都甲薫, June 28 (2014).

32) 第13回 船井研究奨励賞 

(受賞者)都甲薫, April 19 (2014).

31) 2013年度数理物質科学研究科長表彰 

(受賞対象論文)伊藤啓太 博士論文
「逆ぺロブスカイト型遷移金属強磁性窒化物の磁気特性」, March 25 (2014).

30) 2013年度数理物質科学研究科長表彰 

(受賞対象論文)沼田諒平 修士論文
「絶縁基板上におけるIV族半導体の金属触媒誘起成長」, March 25 (2014).

29) 2013年度数理物質科学研究科長表彰 

(受賞対象論文)小池信太郎 修士論文
「Si(001)基板上へのBaSi2膜のエピタキシャル成長と分光感度特性」, March 25 (2014).

28) 2013年度数理物質系物理工学域学修優秀賞 

(受賞対象論文)大谷直生 卒業論文
「Al誘起成長法によるGe/プラスチック構造の低温形成」, March 25 (2014).

27)2013年秋季応用物理学会講演奨励賞

(受賞対象論文)沼田諒平, 都甲薫, 大谷直生, 宇佐美徳隆, 末益崇
「絶縁基板上における大粒径Ge(111)薄膜の極低温(200度)Al誘起成長」 18a-B4-2, Sept. 18 (2013).

26) 2013年応用物理学会結晶工学分科会主催 第二回結晶未来塾

(受賞対象論文)沼田諒平, 都甲薫, 大谷直生, 宇佐美徳隆, 末益崇
「大粒径Ge(111)/プラスチックの創出に向けた極低温(180度)金属触媒誘起成長」 Nov. 7 (2013).

25) 2013年 Young Scientist Award (Best Oral Presentation) in ASCO-NANOMAT 2013, Vladivostok, Russia (Aug. 22, 2013)

(受賞対象論文)
K. Toko, N. Saitoh, N. Yoshizawa, N. Usami, and T. Suemasu
" Al-induced crystallized Ge thin films on SiO2 as epitaxial template for advanced materials "

24) 2013年 Young Scientist Award in 2013 Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials, Tsukuba (July 28, 2013)

(受賞対象論文)
K. Nakazawa, K. Toko, N. Saitoh, N. Yoshizawa, N. Usami, and T. Suemasu
" Effect of Ge/Al thickness on Al-induced crystallization of amorphous Ge layers on glass substrates "

23) 2013年 SPRUC(SPring-8 User Community) Young Research Award

(受賞理由)
Keita Ito,
" 研究において顕著な成果を上げ、短期間に著名なジャーナルに複数の論文をすべ てFIRST AUTHORとして発表している。これらの仕事は伊藤氏が中心になって進められ、研究者としての能力の高さが評価できる研究成果となっている。 "

22) 2013年 Best Poster Award in the 39th IEEE Photovoltaic Specialist Conference, Tampa, USA (June 18, 2013)

(受賞対象論文)
Masakazu Baba, Sadahiro Tsurekawa, Kotaro Nakamura, Du Weijie, Shintaro Koike, Kaoru Toko, Kosuke O. Hara, Noritaka Usami, and Takashi Suemasu,
" Characterization of grain boundary properties in BaSi2 epitaxial films on Si(111) and Si(001) by Kelvin probe force microscopy "

21) 2012年秋季応用物理学会講演奨励賞

(受賞対象論文)
中村航太郎、馬場正和、M. Ajmal Khan、Weijie Du、宇佐美徳隆、原康祐、都甲薫、末益崇
「BaSi2エピタキシャル膜中のp型不純物原子AlとBの格子拡散および粒界拡散の評価」 14a-F2-3, Sep. 14 (2012).

20) 2012年度数理物質科学研究科長表彰 

(受賞対象論文)中村 航太郎 修士論文
「BaSi2エピタキシャル薄中におけるp型不純物原子の拡散評価」, March 25 (2013).

19) 2012年度数理物質科学研究科長表彰 

(受賞対象論文)馬場 正和 修士論文
「Si(111)基板上BaSi2薄膜の大粒径化と結晶粒界評価」, March 25 (2013).

18) 2012年度数理物質系物理工学域学修優秀賞 

(受賞対象論文)中沢 宏紀 卒業論文
「非晶質Ge薄膜/ガラスのAl誘起成長に与える膜厚効果と導電膜上への応用」, March 25 (2013).

17) Most Questions Award in the 35th International Symposium on Optical Communications, Yamanashi, 2012.

(受賞者)Muhammad Ajmal Khan

16) Best poster award in the 8th International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC8), Tsukuba, May 8, 2012.

(受賞対象論文)
K. Ito, K. Harada, T. Sanai, K. Okamoto, K. Kabara, H. Takahashi, K. Toko, S. Ueda, Y. Imai, K. Miyamoto, T. Okuda, M. Tsunoda, A. Kimura, and T. Suemasu,
" Negative spin-polarization in ferromagnetic Fe4N films "

15) 2011年度数理物質科学研究科長表彰 

(受賞対象論文)鈴野 光史 博士論文 
「 高品質ヘテロ界面・低残留キャリア密度鉄シリサイドによる高効率赤外発光受光デバイス」, March 23 (2012).

14) 2011年度数理物質科学研究科長表彰 

(受賞対象論文)藤 克昭 修士論文
「各種基板上BaSi2薄膜のMBE成長と物性評価」, March 23 (2012).

13) SSDM Young Researcher Award (2010 International Conference on Solid State Devices and Materials)

(受賞対象論文)Kaoru Toko
" Single-Crystalline (100) Ge Stripes with High Mobilities Formed on Insulating Substrates by Rapid-Melting-Growth with Artificial Single-Crystal Si Seeds ", Sept. 20, 2011.

12) 2010年度数理物質科学研究科長表彰 

(受賞対象論文)齋藤 隆允 修士論文 
「n+-BaSi2/p+-Siトンネル接合上BaSi2膜の作製と分光感度特性評価」, March 25 (2011).

11) 2010年度数理物質科学研究科長表彰 

(受賞対象論文)伊藤 啓太 修士論文
「MBE法によるγ'-Fe4N薄膜のエピタキシャル成長とXMCD測定による磁気モーメント評価」, March 25 (2011).

10) 2010年度数理物質系物理工学域学修優秀賞 

(受賞対象論文)馬場正和 卒業論文
「EBIC法によるシリサイド半導体薄膜の少数キャリア拡散長評価」, March 25 (2011).

9) 2010年度数理物質系物理工学域学修優秀賞 

(受賞対象論文)中村航太郎 卒業論文
「不純物ドーピングによるp型BaSi2膜の形成と不純物拡散の評価」, March 25 (2011).

8) 2010年 Bronze poster award in the 4th AEARU Advanced Materials Science Workshop

(受賞対象論文)
K. Sadakuni-Makabe, K. Harada, M. Suzuno, and T. Suemasu,
「Ferromagnetic Resonant Tunneling Diodes for Spin-Filter Applications」, P-18, Tsukuba, Sept. 1 (2010).

7) 2010年春・G応用物理学会講演奨励賞

(受賞対象論文)
齋藤隆允、松本雄太、武石充智、佐々木亮、藤克昭、岡田淳史、末益崇、
「n+-BaSi2/p+-Siトンネル接合の形成とBaSi2膜の分光感度特性評価」, 19p-TN-2, March 19 (2010).

6) 2009年 Oral presentation award in the 19th international photovoltaic scientific engineering conference and exhibition, Jeju, Korea (Nov.12, 2009)

(受賞対象論文)
Noritaka Usami, Dai Tsukada, Yuta Matsumoto, Akiko Nomura, Toetsu Shishido, Takashi Suemasu,
" Impact of growth temperature on microstructures in polycrystalline Si thin film grown by Al-induced layer exchange process (NMD6-05) "

5) 2007年 Excellent poster award (Mohri prize) in the 3rd International Symposium on Physical Sciences in Space

(受賞対象論文)
M. Kaneko, T. Suemasu, Y. Adachi, K.Kinoshita and S. Yoda,
Investigation on Single Crystallization Mechanims in InGaAs Bulk Crystal Growth by the Traveling Liquidus-Zone Method "

4) 2004年秋季応用物理学会講演奨励賞

(受賞対象論文)
猪俣裕哉、伊澤孝昌、末益崇、長谷川文夫 「MBE法によるSi(111)基板上への半導体Ba1-xSrxSi2膜のエピタキシャル成長と評価」 2a-P4-26, Sep. 2 (2004).

3) 2002年秋季応用物理学会講演奨励賞

(受賞対象論文)
木村武,秋山賢輔, 高橋健治,金子 智,大屋誠志郎,小沼誠司,末益 崇,長谷川文夫,舟窪 浩, 「b-FeSi2初期層を用いたSi(100)及びSi(111)基板上へのb-FeSi2 薄膜のMOCVD合成」 26p-ZC-17, Sept. 26 (2002)


2) 2001年度応用物理学会論文賞(JJAP論文奨励賞) 「半導体鉄シリサイドを用いた室温発光ダイオードの作製」

(受賞対象論文) T.Suemasu, Y.Negishi, K.Takakura and F.Hasegawa: "Room Temperature 1.6mm Electroluminescence from a Si-Based Light Emitting Diode with b-FeSi22 Active Region,"Jpn.J.Appl.Phys. Vol.39, No.10B (2000) L1013-L1015.


1) 1998年電子材料シンポジウム EMS賞

(受賞対象論文) T.Suemasu, K.Takakura, M.Tanaka, T.Fujii, Y.Iikura and F.Hasegawa, "Magnetotransport Study of Single-Crystalline b-FeSi2 Layers on Si(001)," the 17th Electronic Materials Symposium , C2, Izunagaoka, July 8, 1998.