PV(Photo Voltaic)Project : 薄膜太陽電池プロジェクト

 斜方晶BaSi2 は資源の豊富な Ba Si の化合物で、Eg=約1.2eVの間接遷移型半導体といわれています。また、光吸収係数が高いと予想される(10^5 /cm@1.5eV)ことから、薄膜太陽電池材料としての応用を期待しております。しかしながら研究例が非常に少ないために、その物性は殆ど明らかにされておらず、また作製方法も確立されていません。私たちはこの新しい半導体に注目し、薄膜の結晶成長及び物性評価を行っています。そして最終的には 薄膜太陽電池デバイス を作製する予定です。