科学研究費補助金


平成29年度〜平成30年度
      挑戦的研究(萌芽) 「シリサイド半導体への酸素添加によるSiタンデム太陽電池用トップセルの開拓」
平成29年度〜平成31年度
      若手研究A 「III-V属化合物薄膜のモノライク・低温合成技術の構築とユビキタス太陽電池の創製」
平成27年度〜平成29年度
      基盤研究A 「結晶Siタンデム型太陽電池に向けたSi系ワイドギャップ新材料の探索」
平成26年度〜平成28年度
      若手研究A 「プラスチックを基材とした高効率・多接合型薄膜太陽電池のボトムセル技術」
平成26年度〜平成28年度
      挑戦的萌芽研究 「シリコンLST融合型ゲルマニウム・ナノワイヤの創製と超高速トランジスタの実証」
平成26年度〜平成28年度
      基盤研究A(分担) 「強誘電体障壁強磁性トンネル接合素子の開発と電界効果によるスピン輸送制御」
平成26年度〜平成27年度
      挑戦的萌芽研究 「新規シリサイド半導体の熱電物性の探索」
平成21年度〜平成23年度
      基盤研究B 1,270万円 「マイクロチャネルエピタキシーによる赤外線受光用大粒径鉄シリサイド膜」
平成19年度〜平成22年度
      特定領域研究 スピン流の創出と制御「シリコンベース素子を用いたスピン注入効率の最適化」
平成18年度〜平成20年度
      基盤研究B 1,200万円 「シリサイド半導体の禁制帯幅拡大と伝導型制御による高効率太陽電池」
平成18年度〜平成19年度
      萌芽研究 270万円 「アルカリ土類金属を用いたシリコンベース狭ギャップ半導体」
平成15年度〜平成16年度
      萌芽研究 340万円 「アルカリ土類金属を用いた新しいシリコン系半導体の探索」
平成13年度〜平成14年度
      奨励研究A 200万円 「半導体鉄シリサイドを用いた光配線用赤外発光ダイオードの研究開発」
平成12年度〜平成14年度
      基盤研究B展開 510万円 「半導体鉄シリサイドを用いた室温動作赤外発光ダイオードの作製」 
平成11年度〜平成12年度
      奨励研究A 200万円 「直接遷移型半導体 β-FeSi2を用いたSi上発光ダイオードの研究開発」
平成9年度〜平成11年度
      特定領域研究A 600万円 「シリコン系スピン制御半導体の創成と光磁気特性の研究」
平成9年度〜平成10年度
      奨励研究A 200万円 「直接遷移型半導体 β-FeSi2を用いたシリコン系発光素子の研究開発」

 

財団助成金等


平成29年度
 JST戦略的創造研究推進事業(さきがけタイプ)

平成27年度
 JST戦略的創造研究推進事業(CRESTタイプ, 研究代表者)

平成26年度
 JST戦略的創造研究推進事業(CRESTタイプ, 研究代表者)
 
平成25年度
 JST戦略的創造研究推進事業(CRESTタイプ, 研究代表者)
 
平成24年度
 JST戦略的創造研究推進事業(CRESTタイプ, 研究代表者)
 
平成23年度
 JST戦略的創造研究推進事業(CRESTタイプ, 研究代表者)
 
平成22年度
 JST戦略的創造研究推進事業(CRESTタイプ, 研究代表者)
 
平成21年度
 JST戦略的創造研究推進事業(さきがけタイプ)
 
平成20年度
 JST戦略的創造研究推進事業(さきがけタイプ)
     
平成19年度
      (財)東電記念科学技術研究所助成 220万円
      JST戦略的創造研究推進事業(さきがけタイプ)
      日立電線

平成18年度
      (財)日本板硝子材料工学助成会(平成18〜19) 150万円
      (財)東電記念科学技術研究所助成 230万円
       JST戦略的創造研究推進事業(さきがけタイプ)
      日立電線

平成17年度
      (財)東電記念科学技術研究所助成 400万円
平成14年度
      NEDO産業技術研究助成(平成14〜16年度) 3,373万円
      カシオ科学技術研究助成200万円
      泉科学技術振興財団110万円
平成13年度
      三菱マテリアル 100万円
平成12年度
      村田学術振興財団研究助成 140万円
      吉川・小澤エレクトロニクス研究助成 250万円
平成11年度
      C&C財団若手研究員助成 200万円