■電子デバイス界面テクノロジー研究会 |
1/19〜11/21 ＠東レ総合研修センター |
|---|---|
| SiO2/SiCの界面近傍酸化剤濃度に基づいた界面特性の考察 | 花里 耕平, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 |
| SiC酸化膜表面・界面のラフネス変化と電気的特性の評価（ポスター） | 永井 龍, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 |
| SiC(Si, C, m , a面)上熱酸化SiO2膜のエッチングレート（ポスター） | 塲本 恵介, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 |
■第63回応用物理学会春季学術講演会 |
3/19〜3/22 ＠東工大 大岡山キャンパス |
| SiC熱酸化膜における界面近傍の膜質評価 | 永井 龍, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 |
| SiCのWet酸化に伴う酸化膜表面および界面のラフネス増加 | 川村 浩晃, 永井 龍, 飯塚 望, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 |
| SiC熱酸化膜のステップエッチングによる 表面ラフネス増加 | 永井 龍, ○飯塚 望, 川村 浩晃, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 |
■第78回応用物理学会秋季学術講演会 |
9/13〜9/16 ＠朱鷺メッセ |
| 熱酸化SiO2/SiC界面遷移層の評価 | 永井 龍, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 |
| SiC上Wet酸化膜密度評価 | 飯塚 望，小澤 航大, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 |
■先進パワー半導体分科会第3回講演会 |
11/8〜11/9 ＠つくば国際会議場 |
| SiC熱酸化における界面遷移層とその熱処理効果 (ポスター） | 永井 龍, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 |
| SiC C 面上に乾燥酸素および水蒸気雰囲気で形成した熱酸化SiO2 膜密度 (ポスター） | 飯塚 望, 小澤航大, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 |
■ECS 230th Meeting, PRiME |
8/2〜8/7 ＠Honolulu, HI |
| Interfacial Transitional Layer in SiO2 film thermally grown on SiC(000-1) (ポスター） | Ryu Nagai, Ryu Hasunuma, and Kikuo Yamabe |