■電子デバイス界面テクノロジー研究会 |
1/19〜11/21 ＠東レ総合研修センター |
|---|---|
| 熱酸化SiO2/SiC界面近傍の不均一層とそのリーク電流特性（ポスター） | 永井 龍, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 |
| SiC C 面上に乾燥酸素および水蒸気雰囲気で形成した熱酸化SiO2 膜密度（ポスター） | 飯塚 望, 小澤 航大, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 |
| SiC上TEOS-SiO2の熱処理による絶縁特性の改善（ポスター） | 川村 浩晃, 前田 貫太, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 |
■第64回応用物理学会春季学術講演会 |
3/14〜3/17 ＠パシフィコ横浜 |
| 熱酸化膜/SiC界面近傍の不均一層とそのリーク電流特性（ポスター） | 永井 龍, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 |
| MIMキャパシタの電荷放出特性評価手法 | 小澤 航大, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 |
| TEOS-CVD-SiO2膜の絶縁特性の基板効果 | 川村 浩晃, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 |
| SiC(000-1)のウェット酸化における界面酸化剤濃度 | 芹澤 直也, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 |
■第78回応用物理学会秋季学術講演会 |
9/5〜9/8 ＠福岡コンベンションセンター |
| SiC C面上Wet酸化膜に対する酸素雰囲気熱処理の効果 | 飯塚 望, 蓮沼 隆 |
| KFMによるSiN膜中捕獲電荷の放出特性評価 | 小澤 航大, 蓮沼 隆 |
| TEOS-CVD-SiO2膜の熱処理に伴う界面酸化量の評価 | 川村 浩晃, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 |
| Si上SiO2膜のステップエッチングに伴う表面ラフネス増加 | 我妻 匠, 蓮沼 隆 |
■先進パワー半導体分科会第4回講演会 |
11/2〜11/5 ＠名古屋国際会議場 |
| 発表題目 | 登壇者 |
| 発表題目 | 登壇者 |
■DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES |
11/20〜11/22 ＠Todaiji Temple Cultural Center, Nara, Japan |
| Electrical analysis on the interface defects of SiO2 films fabricated by wet oxidation process on SiC (000-1) | Nozomu Iitsuka and Ryu Hasunuma |