National Conferences

- 2020 -

• 岡田崇太， 吉田勝尚， 佐野伸行，”3次元デバイス構造のもとでの単原子層MoS2チャネルのモンテカルロシミュレーションⅡ”，2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会，12p-A202-11(上智大学， 千代田区， 2020年3月12日)

- 2019 -

• 岡田崇太， 吉田勝尚， 佐野伸行，”3次元デバイス構造のもとでの単原子層MoS2チャネルのモンテカルロシミュレーション”，2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会，18p-E303-4(北海道大学， 札幌市， 2019年9月18日)
• 塚原浩平， 吉田勝尚， 佐野伸行，”ドリフト拡散法における離散不純物モデルの移動度に関する考察”，2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会，18p-E303-2(北海道大学， 札幌市， 2019年9月18日)
• 石黒裕暉， 吉田勝尚， 佐野伸行，”MoS2単原子層膜におけるFröhlichフォノン相互作用での前方散乱に関する考察”，2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会，11p-W521-5(東京工業大学， 目黒区， 2019年3月11日)
• 菅吉朗， 吉田勝尚， 佐野伸行，”酸化膜界面近傍に局在する不純物による散乱ポテンシャルの乱雑位相近似”，2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会，10a-S221-11(東京工業大学， 目黒区， 2019年3月10日)
• 塚原浩平， 吉田勝尚， 佐野伸行，”ドリフト拡散シミュレーションにおける基盤不純物の離散性に伴った分極効果”，2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会，10a-S221-10(東京工業大学， 目黒区， 2019年3月10日)

- 2018 -

Under construction

- 2010 -

• 唐澤貴彦， 佐野伸行，”GAA MOSFET構造でのポテンシャル揺らぎに伴ったバンドテール効果”， 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会， 17p-S-2(長崎大学， 長崎市， 2010年9月17日)．
• 吉田勝尚， 岡田至崇， 佐野伸行，”中間バンド型量子ドット太陽電池のデバイスシミュレーション(II)“， 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会， 16a-NC-19(長崎大学， 長崎市， 2010年9月16日)．
• 佐野伸行， Ting-wei Tang， Massimo V. Fischetti， “ナノスケールMOSFETにおける電子輸送機構とデバイスシミュレーション”， 2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会 応用物理学会シンポジウム「半導体プロセス・デバイス・回路のモデリングとシミュレーション」， 17p-C-6 (東海大学， 平塚市， 2010年3月17日)
• 佐野伸行， 中西洸平， “SiナノワイヤFETのモンテカルロシミュレーションと多体効果”， 2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会 応用物理学会シンポジウム「2010〜30年代のナノエレクトロニクスデバイスの本命を考える」， 19a-TK-9 (東海大学， 平塚市， 2010年3月19日)．
• 中西洸平， 唐澤貴彦， 佐野伸行， “ナノスケールMOSFETでのチャネル電子に対する長距離クーロン相互作用”， 2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会， 18a-B-8 (東海大学， 平塚市， 2010年3月18日)．
• 吉田勝尚， 岡田至崇， 佐野伸行， “中間バンド型量子ドット太陽電池のデバイスシミュレーション(I)”， 2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会， 18a-M-2 (東海大学， 平塚市， 2010年3月18日)．

- 2009 -

• 吉田勝尚， 岡田至崇， 佐野伸行， “疑似的な量子ドット超格子における電子輸送の解析”， 2009年秋季 第70回応用物理学会学術講演会， 8a-TH-5 (富山大学， 富山市， 2009年9月8日)．
• 唐澤貴彦， 中西洸平， 佐野伸行， “ドリフト拡散シミュレーションにおける離散不純物分布によるポテンシャル揺らぎの考察”， 2009年秋季 第70回応用物理学会学術講演会， 8p-TB-9 (富山大学， 富山市， 2009年9月8日)．
• 佐野伸行， “微視的揺らぎと少数電子系の輸送機構”， 科学研究費補助金 特定領域研究 シリコンナノエレクトロニクスの新展開 - ポストスケーリングテクノロジー - 第六回 全体会議， (メルパルク名古屋， 名古屋市， 2009年8月6-7日)．
• 中西洸平， 唐澤貴彦， 佐野伸行， “自己無撞着モンテカルロ法によるナノスケール・デバイス・シミュレーション”， 科学研究費補助金 特定領域研究 シリコンナノエレクトロニクスの新展開 - ポストスケーリングテクノロジー - 第六回 全体会議， P307 (メルパルク名古屋， 名古屋市， 2009年8月6日)．
• 唐澤貴彦， 中西洸平， 佐野伸行， “ドリフト拡散シミュレーションにおける離散不純物モデルと移動度の検討”， 科学研究費補助金 特定領域研究 シリコンナノエレクトロニクスの新展開 - ポストスケーリングテクノロジー - 第六回 全体会議， P308 (メルパルク名古屋， 名古屋市， 2009年8月6日)．
• 佐野伸行， 上地忠良， “少数電子で動く未来デバイスの姿 －デバイスシミュレーションからのメッセージ－”， 2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演会 応用物理学会シンポジウム「ポストスケーリング時代をデバイス・物性物理から斬る- これが半導体デバイスの未来像だ-」， 1p-ZT-8 (筑波大学， つくば市， 2009年4月1日)．
• 中西洸平， 福井貴之， 上地忠良， 佐野伸行， “自己無憧着モンテカルロシミュレーションでのチャネル電子のサイズ効果”， 2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演会， 31a-V-7 (筑波大学， つくば市， 2009年3月31日)．
• 上地忠良， 福井貴之， 中西洸平， 佐野伸行， “ナノスケールデバイスにおける電子輸送のモンテカルロ・シミュレーション”， 科学研究費補助金 特定領域研究 シリコンナノエレクトロニクスの新展開 - ポストスケーリングテクノロジー - 第五回 全体会議・第三回 成果報告会， P307 (東京大学， 文京区， 2009年1月28日)．
• 上地忠良， 福井貴之， 中西洸平， 佐野伸行， “ナノスケールデバイスにおける電子輸送のモンテカルロ・シミュレーション”， 科学研究費補助金 特定領域研究 シリコンナノエレクトロニクスの新展開 - ポストスケーリングテクノロジー - 第五回 全体会議・第三回 成果報告会， P307 (東京大学， 文京区， 2009年1月28日)．
• 福井貴之， 中西洸平， 上地忠良， 佐野伸行， “空間的に局在した離散不純物における輸送特性”， 科学研究費補助金 特定領域研究 シリコンナノエレクトロニクスの新展開 - ポストスケーリングテクノロジー - 第五回 全体会議・第三回 成果報告会， P308 (東京大学， 文京区， 2009年1月28日)．

- 2008 -

• 両角直人， 名取研二， “フラックス方程式に基づいたシリコンの高電界輸送の解析”， シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)　「プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般」， 13 (機械振興会館， 港区， 2008年11月14日)．
• 名取研二， “ドリフト拡散電流と， “kT 層””， 2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会， 4p-E-9 (中部大学， 春日井市， 2008年9月4日)．
• 両角直人， 名取研二， “フラックス方程式に基づいたシリコンの高電界輸送の解析”， 2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会， 4p-E-10 (中部大学， 春日井市， 2008年9月4日)．
• 福井貴之， 中西洸平， 上地忠良， 佐野伸行， “偏りを持った不純物分布における長距離クーロン相互作用の重要性”， 2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会， 3p-P11-5 (中部大学， 春日井市， 2008年9月3日)．
• 上地忠良， 福井貴之， 中西洸平， 佐野伸行， “ダブルゲートMOSFETsにおけるポテンシャル揺らぎ解析”， 2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会， 3p-P11-6 (中部大学， 春日井市， 2008年9月3日)．
• 上地忠良， 福井貴之， 中西洸平， 佐野伸行， “ナノスケールMOSFET におけるポテンシャル揺らぎとデバイス特性”， 科学研究費補助金 特定領域研究 シリコンナノエレクトロニクスの新展開 - ポストスケーリングテクノロジー - 第四回 全体会議， P307 (KKRホテル名古屋， 名古屋市， 2008年8月7日)．
• 福井貴之， 中西洸平， 上地忠良， 佐野伸行， “偏りを持った不純物分布におけるクーロン相互作用の影響”， 科学研究費補助金 特定領域研究 シリコンナノエレクトロニクスの新展開 - ポストスケーリングテクノロジー - 第四回 全体会議， P308 (KKRホテル名古屋， 名古屋市， 2008年8月7日)．
• 福井貴之， 上地忠良， 佐野伸行， “３次元モンテカルロ・シミュレーションによる縮退電子のクーロン相互作用の導入”， 2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会 応用物理学会シンポジウム「半導体のプロセス・デバイス・回路のモデリングとシミュレーション」， 27p-ZC-6 (日本大学， 船橋市， 2008年3月27日)．
• 名取研二， “バリステイックなナノワイヤMOSFETのコンパクト理論”， 2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会， 28a-P5-10 (日本大学， 船橋市， 2008年3月28日)．
• 両角直人， 名取研二， “キャリアの反射・透過確率を用いたシリコンダイオード構造の電流特性解析”， 2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会， 28a-P5-18 (日本大学， 船橋市， 2008年3月28日)．
• 大矢敦史， 名取研二， “ショットキーMOSFET構造におけるゲート電極による鏡像力効果の影響”， 2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会， 28a-P5-19 (日本大学， 船橋市， 2008年3月28日)．
• 中西洸平， 福井貴之， 上地忠良， 佐野伸行， “等間隔に配置した離散不純物のもとでの電子輸送特性”， 2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会， 28p-NB-8 (日本大学， 船橋市， 2008年3月28日)．
• 柴野望己， 佐藤卓， 佐野伸行， “量子輸送シミュレーションにおける後方散乱の影響の組込み”， 2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会， 28p-NB-11 (日本大学， 船橋市， 2008年3月28日)．
• 佐野伸行， “ナノデバイスでの微視的揺らぎと電子輸送， そしてデバイス特性ばらつき”， 科学研究費補助金 特定領域研究 シリコンナノエレクトロニクスの新展開 - ポストスケーリングテクノロジー - 第二回 成果報告会 (秋葉原コンペンションホール， 千代田区， 2008年3月7日-8日)．
• 佐藤卓， 佐野伸行， “非平衡グリーン関数法によるナノスケール素子の散逸効果と境界条件整合性”， 科学研究費補助金 特定領域研究 シリコンナノエレクトロニクスの新展開 - ポストスケーリングテクノロジー - 第二回 成果報告会 P307 (秋葉原コンペンションホール， 千代田区， 2008年3月7日)．
• 中西洸平， 福井貴之， 上地忠良， 佐野伸行， “３Ｄ粒子シミュレーションによる離散不純物分布のもとでの電子輸送特性解析”， 科学研究費補助金 特定領域研究 シリコンナノエレクトロニクスの新展開 - ポストスケーリングテクノロジー - 第二回 成果報告会 P308 (秋葉原コンペンションホール， 千代田区， 2008年3月7日)．
• 佐野伸行， “IEDM2007報告会 モデリング・シミュレーション・セッション”， IEEE EDチャプター (機械振興会館， 2008年1月14日)．

- 2007 -

• 福井貴之， 上地忠良， 佐野伸行， “フルクーロン相互作用のもとでのモンテカルロ・シミュレーション”， 科学研究費補助金 特定領域研究 シリコンナノエレクトロニクスの新展開 - ポストスケーリングテクノロジー - 第三回 全体会議， P307 (メルパルクNAGOYA， 名古屋市， 2007年12月21日)．
• 上地忠良， 福井貴之， 佐野伸行， “縮退電子のポテンシャル揺らぎの３次元シミュレーション解析”， 科学研究費補助金 特定領域研究 シリコンナノエレクトロニクスの新展開 - ポストスケーリングテクノロジー - 第三回 全体会議， P308 (メルパルクNAGOYA， 名古屋市， 2007年12月21日)．上地忠良， 福井貴之， 佐野伸行， “縮退電子のポテンシャル揺らぎの３次元シミュレーション解析”， 科学研究費補助金 特定領域研究 シリコンナノエレクトロニクスの新展開 - ポストスケーリングテクノロジー - 第三回 全体会議， P308 (メルパルクNAGOYA， 名古屋市， 2007年12月21日)．
• 名取研二， “バリステイック・チャネル素子におけるソース・ドレイン電極”， 2007年秋季 第68回応用物理学会学術講演会， 5p-ZE-9 (北海道大学， 札幌市， 2007年9月5日)．
• 大矢敦史， 名取研二， “ゲート付きショットキー接合におけるポテンシャル障壁の透過率の解析”， 2007年秋季 第68回応用物理学会学術講演会， 5p-ZE-10 (北海道大学， 札幌市， 2007年9月5日)．
• 両角直人， 名取研二， “弾性散乱のみを考慮した高電界輸送の解析”， 2007年秋季 第68回応用物理学会学術講演会， 7a-ZL-8 (北海道大学， 札幌市， 2007年9月7日)．
• 上地忠良， 福井貴之， 佐野伸行， “クーロン相互作用によるポテンシャル揺らぎの３次元粒子シミュレーション”， 2007年秋季 第68回応用物理学会学術講演会， 7a-ZE-9 (北海道大学， 札幌市， 2007年9月7日)．
• 福井貴之， 上地忠良， 佐野伸行， “クーロンポテンシャルを完全に組み込んだ電子輸送シミュレーション”， 2007年秋季 第68回応用物理学会学術講演会， 7a-ZE-10 (北海道大学， 札幌市， 2007年9月7日)．
• 佐藤卓， 佐野伸行， “極微細デバイス内でのフォノン散乱による緩和過程の解析”， 2007年秋季 第68回応用物理学会学術講演会， 7p-ZE-7 (北海道大学， 札幌市， 2007年9月7日)．
• 佐野伸行， “ナノ素子の少数電子系による揺らぎと輸送機構”， 科学研究費補助金 特定領域研究 シリコンナノエレクトロニクスの新展開 - ポストスケーリングテクノロジー - 第二回 全体会議 (メルパルクNAGOYA， 名古屋市， 2007年8月9日-10日)．
• 佐野伸行， 小田中紳二， “デバイス特性ばらつきにおける物理的揺らぎと統計的ばらつき”， 応用物理学会 シリコンテクノロジー 第94回研究会 (機械振興会館， 2007年7月6日) [シリコンテクノロジー Vol.94， pp.6-10， 2007]．
• 名取研二， “シリコンの高電界輸送を見直す―オームの法則と速度飽和―”， 2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会， 27a-SC-6 (青山学院大学， 相模原市， 2007年3月27日)．
• 山田達也， 三瀬信行， 松木武雄， 栄森貴尚， 奈良安雄， 佐野伸行， “MOSFETゲート電極内仕事関数エンジニアリングによるしきい値電圧調整”， 2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会， 28a-G-3 (青山学院大学， 相模原市， 2007年3月28日)．
• 福井貴之， 上地忠良， 佐野伸行， “電子輸送シミュレーションにおける局在性を考慮した不純物モデル”， 2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会， 28a-G-4 (青山学院大学， 相模原市， 2007年3月28日)．
• 佐藤卓， 日下裕幸， 佐野伸行， “非平衡グリーン関数法によるナノスケールデバイスでの緩和過程の解析”， 2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会， 28p-G-1 (青山学院大学， 相模原市， 2007年3月28日)．
• 両角康宏， 小林勇介， 名取研二， 角嶋邦之， アヘメドパールハット， 筒井一生， 服部健雄， 杉井信之， 岩井洋， “RTモデルによるMOSFETパラメーターにおけるバリステイック伝導性の調査”， 2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会， 28p-G-6 (青山学院大学， 相模原市， 2007年3月28日)．
• 佐野伸行， “微視的ゆらぎと少数電子系の輸送機構”， 科学研究費補助金 特定領域研究 シリコンナノエレクトロニクスの新展開 - ポストスケーリングテクノロジー - 第一回 成果報告会 (東京工業大学， 目黒区， 2007年3月15日-16日)．

- 2006 -

• 佐野伸行， 日下裕幸， 上地忠良， “ナノスケール素子の電子輸送モデリングについての私見”， 応用物理学会 シリコンテクノロジー 第86回研究会 (大阪大学， 2006年11月17日) [シリコンテクノロジー Vol.86， pp.12-15， 2006]．
• 佐野伸行， “微視的ゆらぎと少数電子系の輸送機構”， 科学研究費補助金 特定領域研究 シリコンナノエレクトロニクスの新展開 - ポストスケーリングテクノロジー - 第一回 全体会議 (名古屋大学， 名古屋市， 2006年9月2日-3日)．
• 山田達也， 佐野伸行， “半導体素子におけるソフトエラーの不純物プロファイル依存性”， 2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会， 31p-ZR-4 (立命館大学， 草津市， 2006年8月31日)．
• 上地忠良， 佐野伸行， “半導体における離散不純物によるポテンシャルゆらぎの研究”， 2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会， 31p-ZR-5 (立命館大学， 草津市， 2006年8月31日)．
• 日下裕幸， 佐野伸行， “ナノスケール素子の電子輸送～Detailed Balance の観点からの解析”， 2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会， 31p-ZR-10 (立命館大学， 草津市， 2006年8月31日)．
• 佐野伸行， “極限MOSにおける電子輸送と特性ばらつきの起源”， 半導体技術ロードマップ委員会 TCAD専門部会 (STRJ-WG10) (日本電子機械工業会， 東京， 2006年7月25日)．
• 佐野伸行， “ナノスケールSi素子の電子輸送モデリングとシミュレーション”， 応用物理学会シンポジウム「半導体のプロセス・デバイス・回路のモデリングとシミュレーション」 (武蔵工業大学， 大田区， 2006年3月22日)．
• 清水共， 名取研二， 中村淳， 名取晃子， “第一原理計算による超薄膜Al/Si界面の検討：界面水素終端の影響”， 2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会， 22p-V-1 (武蔵工業大学， 大田区， 2006年3月22日)．
• 名取研二， 来栖貴史， “弾性散乱下のキャリヤ輸送とオームの法則”， 2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会， 26p-X-3 (武蔵工業大学， 大田区， 2006年3月26日)．

- 2005 -

• 佐野伸行， “ナノ素子の少数電子系による揺らぎと輸送機構”， 特定領域研究「シリコンナノエレクトロニクスの新展開―ポストスケーリングテクノロジー」 (名古屋大学， 2005年9月24日-25日)．
• 名取研二， 来栖貴史， “理論／小規模計算からみたナノスケールMOSの描像”， 応用物理学会シンポジウム「ULSIプロセス・デバイス技術と計算科学の融合」 9p-ZK-2 (徳島大学， 徳島市， 2005年9月9日)．
• 半田哲也， 名取研二， “シリコン・ナノワイヤFETの電流電圧特性”， 2005年秋季 第66回応用物理学会学術講演会， 10p-ZN-13 (徳島大学， 徳島市， 2005年9月9日)．
• 日下裕幸， 佐野伸行， “半導体極微細構造における電子輸送でのチャネル内散乱の考察”， 2005年秋季 第66回応用物理学会学術講演会， 8p-S-9 (徳島大学， 徳島市， 2005年9月8日)．
• 佐野伸行， “SiCデバイスのシミュレーションに向けた基礎物性と輸送特性”， 講習会「SiC半導体素子の開発とパワーデバイスへの応用」 (日本テクノセンター， 千代田区， 2005年6月20日)．
• 佐野伸行， “ナノ素子の少数電子系による輸送機構と揺らぎ”， 応用物理学会シンポジウム「シリコンナノエレクトロニクスの新展開」 (埼玉大学， さいたま市， 2005年3月30日)．
• 清水共， 名取研二， 中村淳， 名取晃子， “第一原理計算による超薄膜Al/Si界面の検討：Si面方位依存”， 2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会， 30a-ZC-6 (埼玉大学， さいたま市， 2005年3月30日)．
• 名取研二， 来栖貴史， “準バリステイックMOSFETの簡易なモデリング法”， 2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会， 31a-P5-29 (埼玉大学， さいたま市， 2005年3月31日)．
• 来栖貴史， 名取研二， “Monte Carlo法によるナノスケールn-i-nダイオードの弾道輸送についての解析（II）”， 2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会， 1a-P6-1 (埼玉大学， さいたま市， 2005年4月1日)．
• 日下裕幸， 佐野伸行， “半導体極微細構造での粒子シミュレーションにおけるエネルギー緩和”， 2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会， 31p-ZD-12 (埼玉大学， さいたま市， 2005年3月31日)．

- 2004 -

• 佐野伸行， “High-k導入に伴った極微細素子構造での揺らぎと輸送機構”， 誘電体薄膜集積技術調査専門委員会 (電気学会) (交通協会新国際ビル， 東京， 2004年12月20日)．
• 鬼木基行， 清水共， 名取研二， “ポリシリコン電極キャパシタの量子キャパシタンス（その２）”， 2004年秋季 第65回応用物理学会学術講演会， 1p-L-11 (東北学院大学， 仙台市， 2004年9月1日)．
• 名取研二， 来栖貴史， “準バリステイックMOSFET　－非弾性散乱によるエネルギ緩和の役割―”， 2004年秋季 第65回応用物理学会学術講演会， 3p-L-17 (東北学院大学， 仙台市， 2004年9月3日)．
• 北見昌寛， 仁藤記寛， 名取研二， “極微細MOSFETのサブスレショルド・リーク　－バリステイック電流―”， 2004年秋季 第65回応用物理学会学術講演会， 3p-L-18 (東北学院大学， 仙台市， 2004年9月3日)．
• 仁藤記寛， 北見昌寛， 名取研二， “極微細MOSFETのトンネル・リーク電流”， 2004年秋季 第65回応用物理学会学術講演会， 3p-L-19 (東北学院大学， 仙台市， 2004年9月3日)．
• 来栖貴史， 名取研二， “Monte-Carlo法によるナノスケールn-i-nダイオードの弾道輸送についての解析”， 2004年秋季 第65回応用物理学会学術講演会， 1a-ZC-6 (東北学院大学， 仙台市， 200年9月1日)．
• 佐野伸行， “半導体微細構造における準弾道電子輸送の運動論的考察”， 2004年秋季 第65回応用物理学会学術講演会， 1a-ZC-7 (東北学院大学， 仙台市， 200年9月1日)．
• 上地忠良， 佐野伸行， “電子間クーロン相互作用の長距離成分を含む粒子シミュレーションの高精度化”， 2004年秋季 第65回応用物理学会学術講演会， 1a-ZC-9 (東北学院大学， 仙台市， 2004年9月1日)．
• 清家晋， 佐野伸行， “4H-SiCの現実的バンド構造を反映した輸送特性解析”， 2004年秋季 第65回応用物理学会学術講演会， 4p-K-6 (東北学院大学， 仙台市， 2004年9月4日)．
• 三浦真澄， 佐野伸行， “微細MOSFETでの離散不純物に伴った巨視的ポテンシャルと微視的ポテンシャル”， 応用物理学会シンポジウム (東京工科大学， 八王子市， 2004年3月29日)．
• 名取研二， “準バリステイックMOSFET　－Injection-Relaxation Model-“， 2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会， 29p-ZH-19 (東京工科大学， 八王子市， 2004年3月29日)．
• 上地忠良， 鳥山周一， 佐野伸行， “自己無撞着な粒子シミュレーションにおける長距離ポテンシャルと散乱の関係”， 2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会， 28p-B-11 (東京工科大学， 八王子市， 2004年3月28日)．
• 木村洋二， 名取研二， “カーボンナノチューブFETの電気的特性（２）”， 2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会， 28a-ZX-10 (東京工科大学， 八王子市， 2004年3月28日)．

- 2003 -

• 鳥山周一， 佐野伸行， “微細MOSFET におけるパーコレーション伝導に関する理論的考察”， STARC シンポジウム 2003 (千里ライフサイエンスセンター， 豊中市， 2003年9月11日)．
• 清水共， 名取研二， 中村淳， 名取晃子， “第一原理計算による金属／半導体界面近傍における静電特性”， 2003年秋季 第64回応用物理学会学術講演会， 30a-A-11 (福岡大学， 福岡市， 2003年8月30日)．
• 北原義之， 鳥山周一， 佐野伸行， “TCADによるポリシリコンTFT特性の粒径ばらつき依存性の評価”， 2003年秋季 第64回応用物理学会学術講演会， 1p-A-14 (福岡大学， 福岡市， 2003年9月1日)．
• 鬼木基行， 清水共， 名取研二， “ポリシリコン電極キャパシタの量子キャパシタンス”， 2003年秋季 第64回応用物理学会学術講演会， 1p-YD-17 (福岡大学， 福岡市， 2003年9月1日)．
• 来栖貴史， 名取研二， 佐野伸行， “分子動力学法を応用したモンテカルロ・シミュレーションにおける浅い不純物による捕獲現象”， 2003年秋季 第64回応用物理学会学術講演会， 30a-N-5 (福岡大学， 福岡市， 2003年8月30日)．
• 鳥山周一， 佐野伸行， “微細MOSFETにおけるパーコレーション伝導に関する考察（Ⅱ）”， 2003年秋季 第64回応用物理学会学術講演会， 30a-N-7 (福岡大学， 福岡市， 2003年8月30日)．
• 清家晋， 佐野伸行， “4H-SiCにおける衝突イオン化確率とその方向依存性”， 2003年秋季 第64回応用物理学会学術講演会， 1p-B-13 (福岡大学， 福岡市， 2003年9月1日)．
• 木村洋二， 名取研二， “カーボンナノチューブFETの電気的特性”， 2003年秋季 第64回応用物理学会学術講演会， 31p-E-14 (福岡大学， 福岡市， 2003年8月31日)．
• 鳥山周一， 佐野伸行， “微細MOSFET におけるパーコレーション伝導に関する考察”， 2003年春季 第50回応用物理学関係連合講演会， (神奈川大学， 2003年)．
• 木村洋二， 名取研二 “ナノワイヤFETの特性　－バリステイックな場合―”， 2003年春季 第50回応用物理学関係連合講演会， (神奈川大学， 2003年)．
• 佐野伸行， “電子デバイスにおける特性ばらつきの物理的起源”， 学振第154委員会 第42回研究会 (東京， 2003)．

- 2002 -

• 鳥山周一， 佐野伸行， 松沢一也， 小田嘉則， 中山範明， “微細MOSFETにおけるデバイス特性バラツキに関する理論的考察”， 応用物理学会 シリコンテクノロジー 第45回研究会 (機械振興会館， 2002) [シリコンテクノロジー Vol.45， pp.22-26， 2002]．
• 鳥山周一， 佐野伸行， “微細MOSFET におけるデバイス特性バラツキに関する理論的考察”， STARC シンポジウム 2002 (はまぎんホール ヴィアマーレ， 横浜市， 2002年9月12日)．
• 鳥山周一， 佐野伸行， 松沢一也， 小田嘉則， 中山範明， “微細MOSFET におけるしきい値電圧ゆらぎの確率密度関数II”， 2002年秋季 第63回応用物理学会学術講演会， (新潟大学， 2002)．
• 佐野伸行， “デバイスシミュレーションとその物理”， 産総研 次世代半導体研究センター（MIRAI） (産業技術総合研究所， 2002)．
• 鳥山周一， 来栖貴史， 佐野伸行， “微細MOSFETにおけるしきい値電圧ゆらぎの確率密度関数”， 応用物理学会シンポジウム「半導体のプロセス・デバイス・回路のモデリングとシミュレーション」 (東海大学， 2002年3月)．
• 金子英， 佐野伸行， “Si-MOSFET でのさまざまな不純物プロファイルにおけるしきい値電圧バラつき”， 応用物理学会シンポジウム「半導体のプロセス・デバイス・回路のモデリングとシミュレーション」 (東海大学， 2002年3月)．
• 名取研二， 清水共， 池野邊剛志， 佐野伸行， “バリステイックMOSFET特性への多サブバンド効果”， 2002年春季 第49回応用物理学関係連合講演会， (東海大学， 2002年3月)．
• 松沢一也， 佐野伸行， “デバイスモデリングの立場からみたSub-10nm半導体デバイス”， 学振 第165委員会 第22回研究会 (東京， 2002)．

- 2001 -

• 池野邊剛志， 名取研二， “速度飽和を取り入れたMOSFETの動作特性―各種モデルの比較―”， 2001年秋季 第62回応用物理学会学術講演会， (2001年)．
• 名取研二， 佐野伸行， “バリステイックMOSFETと最近の極微細MOS試作報告”， 2001年秋季 第62回応用物理学会学術講演会， (2001年)．
• 名取研二， 佐野伸行， “デバイス・バラツキを考慮した回路の最適化（II）”， 2001年春季 第48回応用物理学関係連合講演会， (2001年)．
• 佐野伸行， “半導体でのモンテカルロ法を用いた電子輸送シミュレーション”， 産総研 パワーエレクトロニクス研究センター (産業技術総合研究所， 2001)．
• 佐野伸行， “Vthばらつきの定量的シミュレーションにむけた離散不純物モデル”， 応用物理学会 シリコンテクノロジー 第25回研究会 （応用物理学会）(武蔵工業大学， 2001) [シリコンテクノロジー Vol.25， pp.50-55， 2001]．

- 2000 -

• 名取研二， 佐野伸行， “デバイス・バラツキを考慮した回路の最適化”， 2000年秋季 第61回応用物理学会学術講演会， (2000年)．
• 来栖貴史， 佐野伸行， 名取研二， “３次元離散布不純物分布モデルにおけるMOSFETの閾値電圧特性”， 2000年秋季 第61回応用物理学会学術講演会， (2000年)．
• 野口慎一郎， 名取研二， 佐野伸行， “電子デバイスに流れる電流と回路電流”， 2000年秋季 第61回応用物理学会学術講演会， (2000年)．
• 池野邊剛志， 名取研二， 佐野伸行， “MOSFETの電流電圧特性における速度飽和の影響”， 2000年秋季 第61回応用物理学会学術講演会， (2000年)．
• 清水共， 名取研二， “原子鎖十字路の電子輸送特性（III）”， 2000年秋季 第61回応用物理学会学術講演会， (2000年)．
• 清水共， 名取研二， 佐野伸行， “原子鎖十字路の電子輸送特性（Ⅱ）”， 2000年春季 第47回応用物理学関係連合講演会， (2000年)．
• 名取研二， 佐野伸行， “コンタクト抵抗の下限値を考える”， 2000年春季 第47回応用物理学関係連合講演会， (2000年)．
• 佐野伸行， “SiGe系FET実現のための課題は？”， 下田 Workshop「基本技術の確立で材料， デバイスの拡大を」 (軽井沢， 2000年10月25日-27日)．
• 佐野伸行， 富沢雅彰， 名取研二， “Si-MOSFETsでのしきい値電圧ゆらぎのシミュレーション解析についての考察”， 応用物理学会シンポジウム「半導体のプロセス・デバイス・回路のモデリングとシミュレーション」 (2000年3月)．

- 1999 -

• 清水共， 名取研二， 佐野伸行， “原子鎖十字路の電子輸送特性”， 1999年秋季 第60回応用物理学会学術講演会， (1999年)．
• 名取研二， 佐野伸行， “高誘電体薄膜キャパシタと電極容量”， 1999年秋季 第60回応用物理学会学術講演会， (1999年)．
• 北原義之， 佐野伸行， 名取研二， 向井幹雄， 松澤一也， “極微細デバイス構造のもとでの電流ゆらぎのシミュレーション解析Ⅱ”， 1999年春季 第46回応用物理学関係連合講演会， (1999年)．
• 名取研二， 佐野伸行， “電極電子による遮蔽と静電容量―金属高誘電体接合―”， 1999年春季 第46回応用物理学関係連合講演会， (1999年)．
• 佐野伸行， “電子輸送とモンテカルロ・シミュレーション”， SELETE TCAD産学連携協議会 研究会 （半導体先端テクノロジーズ）(東洋大学， 1999)．

- 1998 -

• 佐野伸行， 名取研二， 向井幹雄， 松澤一也， “極微細デバイス構造のもとでの電流ゆらぎのシミュレーション解析”， 1998年秋季 第59回応用物理学会学術講演会， (1998年)．
• 名取研二， 佐野伸行， “極薄膜キャパシタの有効誘電率に対する金属電極の影響”， 1998年秋季 第59回応用物理学会学術講演会， (1998年)．
• 名取研二， 佐野伸行， “デジタル回路の熱雑音によるスケーリング限界”， 1998年春季 第45回応用物理学関係連合講演会， (1998年)．
• 佐野伸行， “微細デバイスのモンテカルロ・シミュレーション”， STARCシンポジウム 98 （半導体理工学研究センター）(京都， 1998)．
• 佐野伸行， “Advanced Modeling: electron transport and Monte Carlo”， 日本電気（株）マイクロエレクトロニクス研究所（川崎， 1998)．

- 1997 -

• 佐野伸行， 名取研二， “Siにおけるフォノンを介するイオン化過程の重要性”， 1997年秋季 第58回応用物理学会学術講演会， 2p-B-12 (秋田大学， 秋田市， 1997年10月2日)．
• 名取研二， 佐野伸行， “共鳴トンネル型単電子トランジスタ －低トンネル確率極限”， 1997年秋季 第58回応用物理学会学術講演会， 4p-C-15 (秋田大学， 秋田市， 1997年10月4日)．
• 小間隆二， 佐野伸行， 名取研二， “電子 - 電子散乱確率のデバイス構造依存性”， 応用物理学会シンポジウム「半導体のプロセス・デバイス・回路シミュレーション」， 28p-B-6 (日本大学， 船橋市， 1997年3月28日)．
• 大谷大二郎， 名取研二， 佐野伸行， “平行平板型キャパシタの有効誘電率”， 応用物理学会シンポジウム「半導体のプロセス・デバイス・回路シミュレーション」， 28p-B-7 (日本大学， 船橋市， 1997年3月28日)．
• 佐野伸行， 名取研二， “Si-MOSFETsにおける低バイアス下での基盤電流ゆらぎ（Ⅰ）”， 1997年春季 第44回応用物理学関係連合講演会， 29a-B-7 (日本大学， 船橋市， 1997年3月29日)．
• 渡辺徹， 佐野伸行， 名取研二， “極微細デバイス構造のもとでの電子分布関数の高エネルギー・テール”， 1997年春季 第44回応用物理学関係連合講演会， 29a-B-9 (日本大学， 船橋市， 1997年3月29日)．
• 栗本優彦， 名取研二， 佐野伸行， “共鳴トンネル型単電子トランジスタの多安定状態”， 1997年春季 第44回応用物理学関係連合講演会， 30a-SZQ-4 (日本大学， 船橋市， 1997年3月30日)．
• 佐野伸行， “極微細構造デバイス・シミュレーション”， 先端機能集積システム専門委員会（日本電子工業振興協会）(東京， 1997)．
• 佐野伸行， “異方的衝突イオン化過程と基板電流のゆらぎ”， （株）東芝 先端半導体デバイス研究所 (川崎， 1997)．

- 1996 -

• 佐野伸行， 名取研二， “Siでの正孔イオン化率におけるRandom-k近似の破綻”， 1996年秋季 第57回応用物理学会学術講演会， 7a-V-8 (九州産業大学， 福岡市， 1996年9月7日)．
• 名取研二， 佐野伸行， “半導体単電子トランジスタの共鳴トンネル動作モード”， 1996年秋季 第57回応用物理学会学術講演会， 9a-B-1 (九州産業大学， 福岡市， 1996年9月9日)．
• 名取研二， 佐野伸行， “極微細な半導体単電子トランジスタへ向けて”， 1996年春季 第43回応用物理学関係連合講演会， 26a-ZA-7 (東洋大学， 朝霞市， 1996年3月26日)．
• 佐野伸行， 名取研二， “量子細線における電界効果に伴うドリフト速度の抑制”， 1996年春季 第43回応用物理学関係連合講演会， 28a-PB-3 (東洋大学， 朝霞市， 1996年3月28日)．

- 1995 -

• 名取研二， “微細系のキャパシタンス- －電子トランジスタへの応用”， 1995年秋季 第56回応用物理学会学術講演会， 28p-ZW-7 (金沢工業大学， 野々市町， 1995年8月28日)．
• 佐野伸行， 富沢雅彰， 吉井彰， “極微細Si-MOSFET’sにおけるホット・キャリア効果の温度依存性：モンテカルロ解析”， 応用物理学会シンポジウム「半導体のプロセス・デバイス・回路シミュレーション」， 28a-TF-7 (東海大学， 平塚市， 1995年3月28日)．
• 名取研二， “微細系のキャパシタンス”， 1995年春季 第42回応用物理学関係連合講演会， 30p-R-1 (東海大学， 平塚市， 1995年3月30日)．

- 1994 -

• 佐野伸行， 富沢雅彰， 吉井彰， “不均一電界のもとでのフルバンド・モンテカルロ法とエネルギ・バランス法との比較検討”， 1994年秋季 第55回応用物理学会学術講演会， 19p-ZE-2 (名城大学， 名古屋市， 1994年9月19日)．
• 名取研二， 大場照広， “微細系のキャパシタンス -２重ゲート極薄SOIMOSの場合-“， 1994年秋季 第55回応用物理学会学術講演会， 19p-ZG-9 (名城大学， 名古屋市， 1994年9月19日)．
• 佐野伸行， 吉井彰， “Siでのしきい値エネルギ－近傍におけるイオン化確率”， 応用物理学会シンポジウム「半導体のプロセス・デバイス・回路シミュレーション」， 28a-ZM-7 (明治大学， 川崎市， 1994年3月28日)．
• 名取研二， “バリステイック伝導領域のMOSFETの電流制御機構”， 1994年春季 第41回応用物理学関係連合講演会， 30p-ZG-13 (明治大学， 川崎市， 1994年3月30日)．
• 佐野伸行， “モンテカルロ法による高電界効果の解析”， 超集積デバイス調査専門委員会（電気学会） (東京， 1994)．
• 佐野伸行， “デバイス物理モデリング：キャリア輸送シミュレーションの手法とその限界”， 超集積先端システム専門委員会（日本電子工業振興協会）(東京， 1994)．

- 1993 -

• 名取研二， “バリステイック伝導領域のMOSFET”， 1993年秋季 第54回応用物理学会学術講演会， (1993年)．
• 佐野伸行， 名取研二， “Si-MOSFETsにおける低バイアス下での基板電流ゆらぎ”， 応用物理学会シンポジウム「半導体のプロセス・デバイス・回路のモデリングとシミュレーション」 (1993年3月)．
• 名取研二， “電子波導波路接合の反射／透過特性”， 1993年春季 第40回応用物理学関係連合講演会， (1993年)．
• 佐野伸行， “半古典的輸送方程式の限界と量子輸送”， ＭＯＳ型半導体素子セミナー（応用物理学会） (大阪大学工学部， 1993)．

- 1992 -

• 佐野伸行， “半導体デバイスにおける非平衡キャリア輸送”， 非平衡物理に関する研究会（科技庁） (筑波大学， 1992)， 物性研究， 59， 177 (1992)．
• 佐野伸行， “高電界電子輸送とモンテカルロ・シミュレーション”， ＭＯＳ型半導体素子セミナー（応用物理学会） (大阪大学工学部， 1992)．