博士論文(Ph.D Thesis)

  1. CAO Yuguang  (December 2024)
    Investigation of boron and oxygen related point defects in boron doped barium disilicide thin films
  2. DU Rui  (September 2024)
    High-temperature deposition of barium disilicide by sputtering method and design of heterojunction with electron transport layer
  3. 青貫　翔  (March 2024)
    Growth of n-type barium disilicide and device modeling towards high conversion efficiency
  4. 小森　太郎  (March 2023)
    Investigation of magneto-transport properties of Mn4N-based nitrides for efficient current-induced domain wall motion
  5. 西田　竹志  (March 2023)
    多接合III-V/Ge太陽電池の薄膜合成と粒径制御
  6. GHOSH Sambit  (September 2022)
    Manipulation of Domain Walls in Rare-earth-free Anti-perovskite Ferrimangetic Nitrides
  7. 中村　惇平  (March 2022)
    Muon spin rotation study of layered chalcogenide compounds
  8. 今城　利文  (March 2022)
    多結晶Ge薄膜のキャリア移動度向上に関する研究
  9. 山下　雄大  (March 2022)
    BaSi2光吸収層の高品位成長と太陽電池の設計・作製
  10. 村田　博雅  (March 2021)
    多層グラフェンの低温合成と二次電池応用に関する研究
  11. XU Zhihao  (March 2021)
    Significant improvement of photoresponsivity of BaSi2 passivated by atomic H and exploring the H states via muon spin rotation
  12. 佐藤　拓磨  (March 2020)
    EPR studies on defects in semiconducting barium disilicide
  13. 茂藤　健太  (March 2020)
    IV族混晶半導体薄膜の結晶成長とトランジスタ応用に関する研究
  14. 上村　浩司  (March 2020)
    微細加工による微小冷電子源を利用した磁気センサに関する研究
  15. 具志　俊希  (March 2019)
    Mn4N thin films for spintronics applications based on current-induced domain wall motion
  16. Deng Tianguo  (March 2019)
    Carrier transport properties in BaSi2 and structure design of BaSi2 solar cells
  17. 神　好人  (March 2019)
    ECRプラズマ流を用いた高精度加工技術の研究
  18. 髙部 涼太  (March 2018)
    BaSi2表面パッシベーションと高品質BaSi2エピタキシャル膜の成長
  19. 馬場 正和  (March 2016)
    BaSi2エピタキシャル膜における粒界の研究
  20. 伊藤 啓太  (March 2014)
    逆ペロブスカイト型遷移金属強磁性窒化物の磁気特性
  21. Weijie Du  (August 2013)
    Formation of High-quality BaSi2 thin-films with large photoresponsivity and the structure design for BaSi2 solar cells
  22. Muhammad Ajmal Khan;  (March 2013)
    Engineering of impurity doped regions in semiconducting BaSi2 by MBE for thin film solar cells application
  23. 眞壁 健司;  (March 2013)
    Fe3Si/CaF2多層膜による強磁性共鳴トンネルダイオードの作製と評価
  24. 鈴野 光史;  (March 2012)
    高品質ヘテロ界面・低残留キャリア密度鉄シリサイドによる高効率赤外発光受光デバイス
  25. 佐藤 具就;  (March 2009)
    高歪量子井戸構造のMOVPE成長と2μm帯半導体レーザへの応用
  26. 大塚 照久;  (March 2008)
    環境半導体β-FeSi受光デバイスの研究
  27. 山口 公明;  (March 2007)
    Si基板上への強磁性窒化物のエピタキシャル成長と磁気特性評価
  28. 高倉 健一郎;  (March 2002)
    Si(001)基板上への半導体β-FeSi2連続膜の成長と電気・光学特性の研究

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