現在、世間でも騒がれているように、半導体技術はナノメートル (10^-9m) の領域に達し、世界各国でナノテクノロジーの研究が盛んに行われている。 本研究室では、ナノサイエンス・ナノテクノロジーをキーワードにこれまでに世界に先駆け、レーザー手法を用いた研究を行ってきている。 2001年度にはレーザー手法に関する国際会議 (COLA '01) をつくばで行った。 これまでの研究では簡便で多様性に富む手法を用いてきたが、その場合、創製したナノ構造体は制御性が悪くランダム配列であるために、その単一ナノ構造の物性計測が困難となるだけでなく、ナノ素子の作製を目指す場合にも致命的になる場合が予想される。 従って、ナノ構造体の配列法の開発が必須である。 また、単一ナノ構造体に不純物をドーピングすることによって 光デバイスや量子コンピューターなどに有用な新機能性を発現することも大いに期待されるが、そのためには表面、界面を十分に制御することが重要になる。

　そこで、レーザー手法によるナノ構造体の創製とその新しい配列法の開発、並びに新機能発現を狙った研究を進めるために、 2002年4月から5年計画で認められた筑波大学特別プロジェクト「ナノサイエンス」で革新的な研究領域を切り開いて行く。

“ナノ秒レーザー” 進化したナノ構造体の創製

“フェムト秒レーザー” ナノ構造体及びナノホールの配列

高速相変化ダイナミクス

ナノ構造の機能性発現