受賞

  1. Young Scientist Awards (Oral Session) in The 5th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials, Miyazaki, July 23 (2019)   

    (受賞対象論文)H. Murata, Y. Nakajima, T. Suemasu, and K. Toko
    " Improving Crystal and Electrical Properties of Multilayer Graphene on Insulator formed by Ni-Induced Layer Exchange "

  2. Young Scientist Awards (Oral Session) in The 5th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials, Miyazaki, July 23 (2019)   

    (受賞対象論文)Z. Xu, K. Gotoh, T. Deng, K. Toko, N. Usami, D. Migas, T. Suemasu
    " Significant improvement on photoresponsivity and minority carrier lifetime of atomic H passivated BaSi2 epitaxial films "

  3. Young Scientist Awards (Poster Session) in The 5th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials, Miyazaki, July 23 (2019)   

    (受賞対象論文)T. Nemoto, S. Matsuno, M.Mesuda, H. Kuramochi, K. Toko, and T. Suemasu
    " Drastic enhancement of photoresponsivity in C-doped BaSi2 films formed by radio-frequency sputtering "

  4. 2018年度数理物質科学研究科長表彰  

    (受賞対象論文)具志俊希  博士論文
    「Mn4N thin films for spintronics applications based on current-induced domain wall motion」, March 25 (2019).

  5. 2018年度数理物質科学研究科長表彰  

    (受賞対象論文)山下雄大  修士論文
    「BaSi2/Si界面およびBaSi2光吸収層の欠陥準位評価」, March 25 (2019).

  6. 2018年度数理物質科学研究科長表彰  

    (受賞対象論文)今城利文  修士論文
    「革新多接合太陽電池の実現に向けた赤外光吸収材料の研究」, March 25 (2019).

  7. 2018年度応用理工学類長表彰  

      斎藤聖也  (成績優秀のため)
    March 25 (2019).

  8. 2018年度数理物質系物理工学域学修優秀賞  

    (受賞対象論文) 斎藤聖也  卒業論文
    「Ge薄膜の固相成長におけるAsドーピング効果と高電子移動度の実証」 , March 25 (2019)

  9. 2018年度応用理工学類長表彰  

      廣瀬拓  (成績優秀のため)
    March 25 (2019).

  10. 2019年春季応用物理学会講演奨励賞

    (受賞対象論文)中島義基, 村田博雅, 末益崇, 都甲薫
    「多層グラフェンの合成に向けた炭素/金属固相反応の包括的研究」, March 12 (2019).

  11. 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞  

    (受賞者)都甲薫, December 23 (2018).

  12. 第10回 半導体・材料デバイスフォーラム 学生発表最優秀賞 (口頭発表)

    (受賞対象論文)西田 竹志, 茂藤 健太, 都甲 薫, 末益 崇
    「非晶質基板上の多結晶GaAs膜における分光感度の初実証」, October 20 (2018).

  13. Young Scientist Award, 4th Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (ASCO-NANOMAT), Vladivostok, Russia (September 24, 2018)

    (受賞対象論文) T. Deng, T. Sato, Z. Xu, R. Takabe, S. Yachi, Y. Yamashita, K. Toko and T. Suemasu
    " Towards BaSi2 homojunction solar cells on Si(001) "

  14. IWP Global Award in 2018 Tsukuba Global Science Week Interdisciplinary Workshop on Science and Patents, Tsukuba (September 21, 2018)

    (受賞対象論文) K. Kodama, T. Deng, and T. Suemasu
    " First operation of BaSi2 pn homojunction solar cells by structure optimization "

  15. 2018年春季応用物理学会英語講演奨励賞

    (受賞対象論文) Toshiki Gushi, Laurent Vila, Jean-Philippe Attane, Olivier Fruchart, Alain Marty, Stefania Pizzini, Jan Vogel, Fumiya Takata, Akihito Anzai, and Takashi Suemasu
    「Investigation of spin-transfer properties in ferrimagnetic Mn4N nanowires」, March 19 (2018).

  16. 2018年春季応用物理学会講演奨励賞

    (受賞対象論文)小玉 小桃, 都甲 薫, 末益 崇
    「MBE法によるBaSi2 pnホモ接合太陽電池の作製」, March 19 (2018).

  17. 2017年度筑波大学学生表彰  

    (受賞対象論文)髙部涼太  博士論文
    「BaSi2表面パッシベーションと高品質BaSi2エピタキシャル膜の成長」, March 23 (2018).

  18. 2017年度数理物質科学研究科長表彰  

    (受賞対象論文)谷内卓  修士論文
    「p-BaSi2/n-Siヘテロ接合太陽電池の作製と評価」, March 23 (2018).

  19. 2017年度数理物質科学研究科長表彰  

    (受賞対象論文)村田博雅  修士論文
    「金属誘起層交換による絶縁基板上多層グラフェンの合成」, March 23 (2018).

  20. 2017年度数理物質科学研究科長表彰  

    (受賞対象論文)吉峯遼太  修士論文
    「非晶質前駆体の固相反応による絶縁体上多結晶Ge薄膜の高品質合成」, March 23 (2018).

  21. 2017年度数理物質系物理工学域学修優秀賞  

    (受賞対象論文)西田竹志  卒業論文
    「Al誘起成長法を利用した絶縁体上Ge光吸収層の結晶成長」, March 23 (2018).

  22. 2017年度理工学群長賞  

      中島義基  (成績優秀のため)
    March 23 (2018).

  23. 2017年度応用理工学類長表彰  

      杉山稜汰  (成績優秀のため)
    March 23 (2018).

  24. 2017年度応用理工学類長表彰  

      西田竹志  (成績優秀のため)
    March 23 (2018).

  25. 2018年春季応用物理学会 Poster Award

    (受賞対象論文)中島義基, 村田博雅, 末益崇, 都甲薫
    「グラファイト薄膜の金属誘起層交換成長における金属種効果」, March 19 (2018).

  26. 第9回 半導体材料・デバイスフォーラム 学生発表最優秀賞(大学の部)(ポスター発表)

    (受賞対象論文)今城利文, 髙部涼太, 都甲薫, 末益 崇,
    「Ge基板上SrGe2薄膜の結晶成長と電気的特性評価」, December 24 (2017).

  27. 第9回 半導体材料・デバイスフォーラム 学生発表最優秀賞(大学の部)(口頭発表)

    (受賞対象論文)吉峯遼太, 茂藤健太, 末益崇, 都甲薫,
    「ガラス上Ge薄膜におけるキャリア散乱要因の低減と高移動度化」, December 24 (2017).

  28. 2017年応用物理学会結晶工学分科会主催 第6回結晶工学未来塾 発表奨励賞

    (受賞対象論文)村田博雅、都甲薫、末益崇
    「Ni誘起層交換による多層グラフェンの合成と透明導電膜応用」, Nov. 2 (2017).

  29. Excellent Poster Award in 2017 Tsukuba Global Science Week Interdisciplinary Workshop on Science and Patents, Tsukuba (September 26, 2017)

    (受賞対象論文) K. Kusano, K. Toko, A. Yamamoto, T. Suemasu
    " Al-induced crystallization of thermoelectric SiGe film on insulator "

  30. Memorial Prize in 2017 Tsukuba Global Science Week Interdisciplinary Workshop on Science and Patents, Tsukuba (September 26, 2017)

    (受賞対象論文) S. Yachi, R. Takabe, K. Toko, and T. Suemasu
    " Achievement of the conversion efficiency of 9.9% in p-BaSi2/n-Si hetero solar cells "

  31. Memorial Prize in 2017 Tsukuba Global Science Week Interdisciplinary Workshop on Science and Patents, Tsukuba (September 26, 2017)

    (受賞対象論文) H. Murata, K. Toko, and T. Suemasu
    " Low-temperature (500 °C) synthesis of multilayer graphene on glass through metal-induced layer exchange "

  32. 2017年秋季応用物理学会講演奨励賞

    (受賞対象論文)茂藤健太、都甲薫、吉峯遼太、末益崇
    「前駆体の原子密度制御による固相成長GeSn/ガラスの高移動度化」, September 8 (2017).

  33. 筑波大学若手教員特別奨励賞 

    (受賞者)都甲薫, June 15 (2017).

  34. 文部科学大臣表彰 若手科学者賞 

    (受賞者)都甲薫, Apr. 11 (2017).

  35. 2016年度数理物質科学研究科長表彰  

    (受賞対象論文)中田充希  修士論文
    「絶縁体上Ⅳ族半導体薄膜の低温形成と環境発電デバイスへの応用」, March 24 (2017).

  36. 2016年度数理物質系物理工学域学修優秀賞  

    (受賞対象論文)今城利文  卒業論文
    「Ge基板上におけるSrGe2薄膜の熱反応エピタキシー」, March 24 (2017).

  37. 2017年春季応用物理学会 Poster Award

    (受賞対象論文)都甲薫、中田充希、山本淳、末益崇
    「Al誘起層交換によるSi1-xGex熱電薄膜の低温合成」 March 16 (2017).

  38. 筑波大学 2016 Best Faculty Member (領域:研究)  

    (受賞者)都甲薫, Feb. 20 (2017).

  39. 2016年秋季応用物理学会講演奨励賞

    (受賞対象論文) 髙部涼太、谷内卓、都甲薫、末益崇
    「大気暴露時間およびa-Siキャップ層の膜厚がp-BaSi2/n-Siヘテロ太陽電池性能に与える効果」 Sept. 15 (2016).

  40. 第39回光通信研究会 Best Introduction賞

    (受賞者) 髙部 涼太, Aug.. 10 (2016).

  41. Young Scientist Award (Poster Session) in 2016 Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials, Fukuoka (July 18, 2016)

    (受賞対象論文) H. Murata, K. Toko, and T. Suemasu
    " Multi-layer Graphene on Insulator Formed by Co-induced Layer Exchange "

  42. Young Scientist Award (Poster Session) in 2016 Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials, Fukuoka (July 18, 2016)

    (受賞対象論文) S. Yachi, R. Takabe, K. Toko, and T. Suemasu
    "p-BaSi2/n-Si Solar Cells with Conversion Efficiency Approaching 10% by Reduction of Contact Resistance and Surface Passivation using a-Si Capping Layers "

  43. Young Scientist Award (Oral Session) in 2016 Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials, Fukuoka (July 18, 2016)

    (受賞対象論文) R. Takabe, S. Yachi, D. Tsukahara, K. Toko, and T. Suemasu
    "Fabrication of B-doped p-BaSi2 on n-Ge(111)Substrates for Heterojunction Solar Cells "

  44. 2015年度APEX/JJAP編集貢献賞  

      末益  崇

  45. 2015年度数理物質科学研究科長表彰  

    (受賞対象論文)馬場  正和  博士論文
    「BaSi2エピタキシャル膜における粒界の研究」, March 23 (2016).

  46. 2015年度数理物質科学研究科長表彰  

    (受賞対象論文)具志  俊希  修士論文
    「磁気力顕微鏡を用いたFe4N強磁性細線の磁区観察と磁壁の電流検出」, March 23 (2016).

  47. 2015年度数理物質科学研究科長表彰  

    (受賞対象論文)大谷  直生  修士論文
    「絶縁体上Ge薄膜へのSn導入効果」, March 23 (2016).

  48. 2015年度応用理工学類長表彰  

      谷内  卓  (成績優秀のため)
    March 23 (2016).

  49. 平成27年度  筑波大学若手教員奨励賞  

    (受賞者)都甲薫, Dec. 18 (2015).

  50. 2015年秋季応用物理学会講演奨励賞

    (受賞対象論文) 馬場正和、香山正憲、都甲薫、末益崇
    " 第一原理計算によるBaSi2(011)/(011)双晶粒界・界面構造についての考察 " September 15, 2015

  51. 2015年応用物理学会結晶工学分科会主催 第4回結晶工学未来塾 発表奨励賞

    (受賞対象論文)大谷直生, 都甲薫, 末益崇
    「極低温(70℃)固相成長による高Sn組成(25%)GeSn薄膜の絶縁体上合成」, Oct. 29 (2015).

  52. Young Scientist Award, 3rd Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Vladivostok, Russia

    (受賞対象論文) T. Gushi, K. Ito, S. Honda, Y. Yasutomi, S. Higashikozono, K. Toko, H. Oosato, Y. Sugimoto, K. Asakawa, N. Ota, and T. Suemasu
    " Observation and control of magnetic domain structure in Fe4N ferromagnetic nanowire " August 25, 2015

  53. 2015 42nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference Best Poster Award, New Orleans, USA

    (受賞対象論文) M. Baba, K. Watanabe, K. O. Hara, T. Sekiguchi, W. Du, R. Takabe, K. Toko, N. Usami, and T. Suemasu
    " Cross-sectional electric field distributions in BaSi2/Si hetero pn junctions ", June 17, 2015

  54. 2015 5th AASEF Best Poster Award, Tsukuba, Japan  

    (受賞対象論文) R. Takabe, K. Toko, K. O. Hara, N. Usami, and T. Suemasu
    " Crystal growth of BaSi2 continuous films on Ge(111) substrate ", May 12, 2015

  55. 平成26年度  笹川科学研究奨励賞  

    (受賞者)都甲薫, Apr. 13 (2015).

  56. 2014年度数理物質科学研究科長表彰  

    (受賞対象論文)髙部涼太  修士論文
    「厚膜および大粒径BaSi2の作製と少数キャリア寿命測定」, March 25 (2015).

  57. 2014年度数理物質科学研究科長表彰  

    (受賞対象論文)中沢宏紀  修士論文
    「Al誘起成長法を利用した Geベース太陽電池構造の開発」, March 25 (2015).

  58. 2014年度数理物質系物理工学域学修優秀賞  

    (受賞対象論文)中田充紀  卒業論文
    「高配向薄膜を利用したガラス上におけるGeナノワイヤの合成」, March 25 (2015).

  59. SATテクノロジー・ショーケース2015 学生奨励賞  

    (受賞対象論文)中沢宏紀
    「安価な高効率太陽電池に向けたプラスチック上Ge光吸収層の開発」, Jan. 21 (2015).

  60. 第3回 エヌエフ基金研究開・ュ奨励賞優秀賞  

    (受賞者)都甲薫, Nov. 21 (2014).

  61. ICSS-Silicide 2014 Young Scientist Award  

    (受賞者)馬場正和, July 21 (2014).

  62. 第27回 安藤博記念学術奨励賞  

    (受賞者)都甲薫, June 28 (2014).

  63. 第13回 船井研究奨励賞  

    (受賞者)都甲薫, April 19 (2014).

  64. 2013年度数理物質科学研究科長表彰  

    (受賞対象論文)伊藤啓太  博士論文
    「逆ぺロブスカイト型遷移金属強磁性窒化物の磁気特性」, March 25 (2014).

  65. 2013年度数理物質科学研究科長表彰  

    (受賞対象論文)沼田諒平  修士論文
    「絶縁基板上におけるIV族半導体の金属触媒誘起成長」, March 25 (2014).

  66. 2013年度数理物質科学研究科長表彰  

    (受賞対象論文)小池信太郎  修士論文
    「Si(001)基板上へのBaSi2膜のエピタキシャル成長と分光感度特性」, March 25 (2014).

  67. 2013年度数理物質系物理工学域学修優秀賞  

    (受賞対象論文)大谷直生  卒業論文
    「Al誘起成長法によるGe/プラスチック構造の低温形成」, March 25 (2014).

  68. 2013年度応用理工学類長表彰  

      大谷直生  (成績優秀のため)
    March 23 (2014).

  69. 2013年秋季応用物理学会講演奨励賞

    (受賞対象論文)沼田諒平, 都甲薫, 大谷直生, 宇佐美徳隆, 末益崇
    「絶縁基板上における大粒径Ge(111)薄膜の極低温(200度)Al誘起成長」 18a-B4-2, Sept. 18 (2013).

  70. 2013年応用物理学会結晶工学分科会主催 第2回結晶工学未来塾 発表奨励賞

    (受賞対象論文)沼田諒平, 都甲薫, 大谷直生, 宇佐美徳隆, 末益崇
    「大粒径Ge(111)/プラスチックの創出に向けた極低温(180度)金属触媒誘起成長」 Nov. 7 (2013).

  71. 2013年 Young Scientist Award (Best Oral Presentation) in ASCO-NANOMAT 2013, Vladivostok, Russia (Aug. 22, 2013)

    (受賞対象論・カ) K. Toko, N. Saitoh, N. Yoshizawa, N. Usami, and T. Suemasu
    " Al-induced crystallized Ge thin films on SiO2 as epitaxial template for advanced materials "

  72. 2013年 Young Scientist Award in 2013 Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials, Tsukuba (July 28, 2013)

    (受賞対象論文) K. Nakazawa, K. Toko, N. Saitoh, N. Yoshizawa, N. Usami, and T. Suemasu
    " Effect of Ge/Al thickness on Al-induced crystallization of amorphous Ge layers on glass substrates "

  73. 2013年 SPRUC(SPring-8 User Community) Young Research Award

    (受賞理由) Keita Ito,
    " 研究において顕著な成果を上げ、短期間に著名なジャーナルに複数の論文をすべ てFIRST AUTHORとして発表している。これらの仕事は伊藤氏が中心になって進められ、研究者としての能力の高さが評価できる研究成果となっている。 "

  74. 2013年 Best Poster Award in the 39th IEEE Photovoltaic Specialist Conference, Tampa, USA (June 18, 2013)

    (受賞対象論文) Masakazu Baba, Sadahiro Tsurekawa, Kotaro Nakamura, Du Weijie, Shintaro Koike, Kaoru Toko, Kosuke O. Hara, Noritaka Usami, and Takashi Suemasu,
    " Characterization of grain boundary properties in BaSi2 epitaxial films on Si(111) and Si(001) by Kelvin probe force microscopy "

  75. 2012年秋季応用物理学会講演奨励賞

    (受賞対象論文)中村航太郎、馬場正和、M. Ajmal Khan、Weijie Du、宇佐美徳隆、原康祐、都甲薫、末益崇
    「BaSi2エピタキシャル膜中のp型不純物原子AlとBの格子拡散および粒界拡散の評価」 14a-F2-3, Sep. 14 (2012).

  76. 2012年度数理物質科学研究科長表彰  

    (受賞対象論文)中村  航太郎  修士論・カ
    「BaSi2エピタキシャル薄中におけるp型不純物原子の拡散評価」, March 25 (2013).

  77. 2012年度数理物質科学研究科長表彰  

    (受賞対象論文)馬場  正和  修士論文
    「Si(111)基板上BaSi2薄膜の大粒径化と結晶・ア界評価」, March 25 (2013).

  78. 2012年度数理物質系物理工学域学修優秀賞  

    (受賞対象論文)中沢  宏紀  卒業論文
    「非晶質Ge薄膜/ガラスのAl誘起成長に与える膜厚効果と導電膜上への応用」, March 25 (2013).

  79. 2012年度応用理工学類長表彰  

      髙部涼太  (成績優秀のため)
    March 23 (2013).

  80. Most Questions Award in the 35th International Symposium on Optical Communications, Yamanashi, 2012.

    (受賞者)Muhammad Ajmal Khan

  81. Best poster award in the 8th International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC8), Tsukuba, May 8, 2012.

    (受賞対象論文) K. Ito, K. Harada, T. Sanai, K. Okamoto, K. Kabara, H. Takahashi, K. Toko, S. Ueda, Y. Imai, K. Miyamoto, T. Okuda, M. Tsunoda, A. Kimura, and T. Suemasu,
    " Negative spin-polarization in ferromagnetic Fe4N films "

  82. 2011年度数理物質科学研究科長表彰  

    (受賞対象論文)鈴野  光・j  博士論文  
    「 高品質ヘテロ界面・低残留キャリア密度鉄シリサイドによる高効率赤外発光受光デバイス」, March 23 (2012).

  83. 2011年度数理物質科学研究科長表彰  

    (受賞・ホ象論文)藤  克昭  修士論文
    「各種基板上BaSi2薄膜のMBE成長と物性評価」, March 23 (2012).

  84. SSDM Young Researcher Award (2010 International Conference on Solid State Devices and Materials)

    (受賞対象論文)Kaoru Toko
    " Single-Crystalline (100) Ge Stripes with High Mobilities Formed on Insulating Substrates by Rapid-Melting-Growth with Artificial Single-Crystal Si Seeds ", Sept. 20, 2011.

  85. 2010年度数理物質科学研究科長表彰  

    (受賞対象論文)齋藤  隆允  修士・_文  
    「n+-BaSi2/p+-Siトンネル接合上BaSi2膜の作製と分光感度特性評価」, March 25 (2011).

  86. 2010年度数理物質科学研究科長表彰  

    (受賞対象論文)伊藤  啓太  修士論文
    「MBE法によるγ'-Fe4N薄膜のエピタキシャル成長とXMCD測定による磁気モーメント評価」, March 25 (2011).

  87. 2010年度数理物質系物理工学域学修優秀賞  

    (受賞対象論文)馬場正和  卒業論文
    「EBIC法によるシリサイド半導体薄膜の少数キャリア拡散長評価」, March 25 (2011).

  88. 2010年度数理物質系物理工学域学修優秀賞  

    (受賞対象論文)中村航太郎  卒業論・カ
    「不純物ドーピングによるp型BaSi2膜の形成と不純物拡散の評価」, March 25 (2011).

  89. 2010年 Bronze poster award in the 4th AEARU Advanced Materials Science Workshop

    (受賞対象論文)
    K. Sadakuni-Makabe, K. Harada, M. Suzuno, and T. Suemasu,
    「Ferromagnetic Resonant Tunneling Diodes for Spin-Filter Applications」, P-18, Tsukuba, Sept. 1 (2010).

  90. 2010年春応用物理学会講演奨励賞

    (受賞対象論文)
    齋藤隆允、松本雄太、武石充智、佐々木亮、藤克昭、岡田淳史、末益崇、
    「n+-BaSi2/p+-Siトンネル接合の形成とBaSi2膜の分光感度特性評価」, 19p-TN-2, March 19 (2010).

  91. 2009年 Oral presentation award in the 19th international photovoltaic scientific engineering conference and exhibition, Jeju, Korea (Nov.12, 2009)

    (受賞対象論文)
    Noritaka Usami, Dai Tsukada, Yuta Matsumoto, Akiko Nomura, Toetsu Shishido, Takashi Suemasu,
    " Impact of growth temperature on microstructures in polycrystalline Si thin film grown by Al-induced layer exchange process (NMD6-05) "

  92. 2007年 Excellent poster award (Mohri prize) in the 3rd International Symposium on Physical Sciences in Space

    (受賞対象論文)
    M. Kaneko, T. Suemasu, Y. Adachi, K.Kinoshita and S. Yoda,
    Investigation on Single Crystallization Mechanims in InGaAs Bulk Crystal Growth by the Traveling Liquidus-Zone Method "

  93. 2004年秋季応用物理学会講演奨励賞

    (受賞対象論文)
    猪俣裕哉、伊澤孝昌、末益崇、長谷川文夫 「MBE法によるSi(111)基板上への半導体Ba1-xSrxSi2膜のエピタキシャル成長と評価」 2a-P4-26, Sep. 2 (2004).

  94. 2002年秋季応用物理学会講演奨励賞

    (受賞対象論文)
    木村武,秋山賢輔, 高橋健治,金子  智,大屋誠志郎,小沼誠司,末益  崇,長谷川文夫,舟窪  浩, 「b-FeSi2初期層を用いたSi(100)及びSi(111)基板上へのb-FeSi2 薄膜のMOCVD合成」 26p-ZC-17, Sept. 26 (2002)

  95. 2001年度応用物理学会論文賞(JJAP論文奨励賞) 「半導体鉄シリサイドを用いた室温発光ダイオードの作製」

    (受賞対象論文) T.Suemasu, Y.Negishi, K.Takakura and F.Hasegawa: "Room Temperature 1.6mm Electroluminescence from a Si-Based Light Emitting Diode with b-FeSi22 Active Region,"Jpn.J.Appl.Phys. Vol.39, No.10B (2000) L1013-L1015.

  96. 1998年電子材料シンポジウム EMS賞

    (受賞対象論文) T.Suemasu, K.Takakura, M.Tanaka, T.Fujii, Y.Iikura and F.Hasegawa, "Magnetotransport Study of Single-Crystalline b-FeSi2 Layers on Si(001)," the 17th Electronic Materials Symposium , C2, Izunagaoka, July 8, 1998.


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