資源の豊富な元素で構成される半導体および磁性体の中には、非常に面白い物性を示すものがあります。 そのような材料を用いて、これまでに実現できていなかった新しい機能を発現するデバイスの作製を目指して研究しています。半導体では、アルカリ土類金属とSiの化合物である半導体BaSi₂や14族元素(C,Si,Ge,Sn)で構成される半導体を扱っています。 また、ガラスやプラスチックなどの非晶質基板の上に、大きなキャリア移動度を示す14族半導体薄膜を形成し、トランジスタや熱電素子を作製しています。 さらに、磁性体では、Fe₄N, Co₄N, Mn₄Nを用いて、磁性細線デバイスやスピン注入源の研究に取り組んでいます。 どの研究も、他の研究機関と強力に連携して研究を進めていて、結晶成長という物作りから、物性の評価、デバイスの設計・作製・評価、さらには第一原理計算まで、幅広いレンジで研究を行っています。特に、半導体薄膜の結晶成長について装置が充実していて、物作りが得意な研究室です。 同じ研究室内で、半導体と磁性体の両方を扱っている点も研究室の特徴です。最新の研究成果は、学術論文として公開しています。 "学術論文(Publications)" や"学会発表(Presentations)"ページにて、最新の研究成果にアクセスできるようになっていますので、そちらをご覧ください。