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    2018年

  1. 草野 欽太, 都甲 薫
    " 無機材料をベースとしたフレキシブル熱電変換シート "
    JST公開シンポジウム「微小エネルギーを利用した革新的な環境発電技術の創出」, P15, 東京, Nov. 7 (2018).
  2. 髙原 大地, 末益 崇, 都甲 薫
    " 絶縁体上における高移動度Si1−xGex薄膜の固相成長 "
    第10回半導体材料・デバイスフォーラム, P-2, 熊本, October 20 (2018).
  3. 西田 竹志, 茂藤 健太, 都甲 薫, 末益 崇
    " 非晶質基板上の多結晶GaAs膜における分光感度の初実証 "
    第10回半導体材料・デバイスフォーラム, O-4, 熊本, October 20 (2018).
  4. S. Matsuno, K. Toko, M. Mesuda, H. Kuramochi, T. Suemasu,
    " Significant improvement of photoresponsivity of BaSi2 films directly formed by sputtering with various Ba-to-Si deposited atomic ratios, "
    The 37th Electronic Materials Symposium (EMS 37), Fr1-8, 滋賀, Oct. 11 (2018).
  5. Komomo Kodama, Tianguo Deng, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu,
    " First experimental demonstration of BaSi2 pn homojunction solar cells, "
    The 37th Electronic Materials Symposium (EMS 37), Th1-16, 滋賀, Oct. 11 (2018).
  6. 今城 利文、茂藤 健太、吉峯 遼太、末益 崇、都甲 薫
    " GeO2下地層による固相成長Ge薄膜の高移動度化とプラスチック上展開 "
    第79回応用物理学会秋季学術講演会 21a-233-5, 名古屋, Sept. 20 (2018).
  7. 伊藤 健治、大砂 哲、末益 崇、中野 秀之
    " Si(111)基板上CaSi2薄膜の構造評価 "
    第79回応用物理学会秋季学術講演会 20a-PA4-9, 名古屋, Sept. 20 (2018).
  8. 星田 裕文、末益 崇、寺井 慶和
    " BaSi2エピタキシャル膜における光変調反射率スペクトルのBa/Siフラックス比依存性 "
    第79回応用物理学会秋季学術講演会 20a-PA4-3, 名古屋, Sept. 20 (2018).
  9. Louise BENINCASA, Hirofumi Hoshida, Tianguo Deng, Takuma Sato, Kaoru Toko, Yoshikazu Terai, Takashi Suemasu
    " Investigation of defect levels in undoped-BaSi2 epitaxial films by PL measurement "
    第79回応用物理学会秋季学術講演会 20a-PA4-2, 名古屋, Sept. 20 (2018).
  10. 伊藤 啓太、召田 雅実、倉持 豪人、末益 崇、高梨 弘毅
    " BaSi2薄膜への磁性3d遷移金属添加の試み "
    第79回応用物理学会秋季学術講演会 20a-PA4-1, 名古屋, Sept. 20 (2018).
  11. Zhihao Xu, Kazuhiro Gotoh, Tianguo Deng, Kaoru Toko, Noritaka Usami, Takashi Suemasu
    " significant photoresponsivity improvement of BaSi2 films by atomic hydrogen irradiation using radio-frequency plasma "
    第79回応用物理学会秋季学術講演会 19p-436-17, 名古屋, Sept. 19 (2018).
  12. 佐藤 拓磨、Gambarelli Serge、山下 雄大、末益 崇
    " 電子スピン共鳴によるBaSi2薄膜の欠陥評価 "
    第79回応用物理学会秋季学術講演会 19p-436-16, 名古屋, Sept. 19 (2018).
  13. 山下 雄大、佐藤 拓磨、都甲 薫、上殿 明良、末益 崇
    " MBE法により成長したBaSi2光吸収層中の点欠陥評価 "
    第79回応用物理学会秋季学術講演会 19p-436-15, 名古屋, Sept. 19 (2018).
  14. 杉山 周、都甲 薫、末益 崇
    " Ba/Si堆積レート比がB-doped BaSi2膜の電気特性に与える影響 "
    第79回応用物理学会秋季学術講演会 19p-436-9, 名古屋, Sept. 19 (2018).
  15. 松野 賢司, 髙部 涼太, 召田 雅実, 倉持 豪人, 都甲 薫, 末益 崇
    " スパッタリング法によるBa/Si堆積比の異なるBaSi2膜の作製と評価 "
    第79回応用物理学会秋季学術講演会 19p-436-7, 名古屋, Sept. 19 (2018).
  16. 杉山 稜汰、都甲 薫、末益 崇
    " ITO堆積時の圧力によるp-BaSi2/n-Siヘテロ接合太陽電池特性への影響 "
    第79回応用物理学会秋季学術講演会 19p-436-5, 名古屋, Sept. 19 (2018).
  17. T. Deng, Z. Xu, Y. Yamashita, K. Kodama,K. Toko, T. Suemasu
    " Potential of BaSi2 homojunction solar cells on a p+-BaSi2/p+-Si tunnel junction "
    第79回応用物理学会秋季学術講演会 19p-436-2, 名古屋, Sept. 19 (2018).
  18. (invited) 小玉 小桃, Tianguo Deng, Zhihao Xu, 山下 雄大, 都甲 薫, 末益 崇,
    " BaSi2 pn ホモ接合太陽電池の作製と特性評価 "
    第79回応用物理学会秋季学術講演会 19p-436-1, 名古屋, Sept. 19 (2018).
  19. 高原 大地、末益 崇、都甲 薫
    " Sb添加Ge, Si薄膜の固相成長に与える前駆体加熱堆積効果 "
    第79回応用物理学会秋季学術講演会 18a-235-9, 名古屋, Sept. 19 (2018).
  20. 西田 竹志, 斎藤 聖也, 茂藤 健太, 末益 崇, 都甲 薫
    " Al誘起成長Ge薄膜をシードとした大粒径GaAs層の形成 "
    第79回応用物理学会秋季学術講演会 18a-235-8, 名古屋, Sept. 18 (2018).
  21. 中島 義基, 村田 博雅, 末益 崇, 都甲 薫
    " 層交換の新展開:多層グラフェンのFe誘起成長 "
    第79回応用物理学会秋季学術講演会 18p-235-6, 名古屋, Sept. 18 (2018).
  22. 草野 欽太, 辻 美紀江, 末益 崇, 都甲 薫
    " 多結晶Ge薄膜の極低温(80℃)層交換合成とフレキシブル熱電応用 "
    第79回応用物理学会秋季学術講演会 18p-235-1, 名古屋, Sept. 18 (2018).
  23. 安西 聡仁、具志 俊希、小森 太郎、都甲 薫、末益 崇
    " 酸化物基板上へのMn4N薄膜の成長と磁気特性の膜厚依存性評価 "
    第79回応用物理学会秋季学術講演会 18p-131-2, 名古屋, Sept. 18 (2018).
  24. T. Komori, T. Gushi, A. Anzai, K. Toko, S. Isogami and T. Suemasu
    " Significant modification of magneto-transport properties of Mn4N thin films by Ni substitution "
    第79回応用物理学会秋季学術講演会 18a-131-7, 名古屋, Sept. 18 (2018).
  25. T. Gushi, L. Vila, J. P. Attané, O. Fruchart, A. Marty, S. Pizzini, J. Vogel, M. Klug, J. Pena-Garcia, A. Anzai, T.Komori and T. Suemasu
    " UltrafastSTT-driven domainwall motion in Mn4N microstrips "
    第79回応用物理学会秋季学術講演会 18a-131-6, 名古屋, Sept. 18 (2018).
  26. 伊藤 啓太, 林田 誠弘, 水口 将輝, 末益 崇, 柳原 英人, 高梨 弘毅
    " 脱窒素法によるL10-FeNi薄膜の作製 "
    日本金属学会2018年秋季講演大会 p217, 仙台, Sept. 19 (2018).
  27. 伊藤 啓太, 林田 誠弘, 水口 将輝, 末益 崇, 柳原 英人, 高梨 弘毅
    " FeNiN薄膜からの脱窒素によるL10-FeNi薄膜の形成 "
    第42回日本磁気学会学術講演会 13aD-7, 東京, Sept. 13 (2018).
  28. 杉山 稜汰, 都甲 薫, 末益 崇
    " BaSi2太陽電池特性向上に向けたITO加熱条件最適化 "
    第18回シリサイド系半導体・夏の学校 P16, 浜松, July 21(2018)
  29. 松野賢司, 召田雅実, 倉持豪人, 都甲薫, 末益崇
    " スパッタリング法によるBa/Si堆積比を変えたBaSi2膜の評価 "
    第18回シリサイド系半導体・夏の学校 P15, 浜松, July 21(2018)
  30. 杉山周, 都甲 薫, 末益 崇
    " MBE成長速度がBaSi2エピタキシャル膜に及ぼす影響 "
    第18回シリサイド系半導体・夏の学校 P14, 浜松, July 21(2018)
  31. (invited) 都甲 薫
    " 無機材料の低温合成技術をベースとしたフレキシブル熱電変換薄膜 "
    第二回フォノンエンジニアリング研究会, 熱海, July 13 (2018).
  32. 小玉 小桃, Tianguo Deng, 都甲 薫, 末益 崇,
    " BaSi2 pn ホモ接合太陽電池の動作実証 "
    第15回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム PB-40, 札幌, July 12 (2018).
  33. 山下 雄大, 佐藤 拓磨, 都甲 薫, 末益 崇,
    " DLTS法を用いたundoped BaSi2光吸収層の欠陥評価 "
    第15回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム PB-39, 札幌, July 12 (2018).
  34. Zhihao Xu, Tianguo Deng, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu
    " Optimal growth condition of hydrogenated amorphous silicon on BaSi2 epitaxial films "
    第15回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム PB-38, 札幌, July 12 (2018).
  35. Tianguo Deng, Zhihao Xu, Yudai Yamashita, Komomo Kodama, Kaoru Toko and Takashi Suemasu
    " Potential of BaSi2 homojunction solar cells on Si(001) substrate "
    第15回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム PB-37, 札幌, July 12 (2018).
  36. (invited) 都甲 薫
    " 層交換によるIV族材料の薄膜合成 "
    Photon Factory研究会, つくば, July 3 (2018).
  37. 今城 利文, 茂藤 健太, 末益 崇, 都甲 薫
    " 非晶質Ge/GeO2/プラスチックの固相成長による超高移動度(570 cm2/Vs)フレキシブル薄膜 "
    第3回機能性薄膜研究会, 19-1, 福岡, May 19 (2018).
  38. 星田 裕文、村社 尚紀、末益 崇、寺井 慶和
    " ラマン偏光解消度によるBaSi2エピタキシャル膜の分子振動モード解析 "
    第65回応用物理学会春季学術講演会 19p-F202-9, 東京, March 19 (2018).
  39. 伊藤 健治、大砂 哲、中野 秀之、末益 崇
    " Si(111)基板上へのCaSi2薄膜形成 "
    第65回応用物理学会春季学術講演会 18p-P6-9, 東京, March 18 (2018).
  40. 西田 竹志, 中田 充紀, 末益 崇, 都甲 薫
    " Al誘起成長Ge薄膜をシードとした大粒径厚膜Ge層の形成 "
    第65回応用物理学会春季学術講演会 20p-F214-2, 東京, March 20 (2018).
  41. (invited) 茂藤 健太, 吉峰 遼太, 末益 崇, 都甲 薫
    " ガラス上における高移動度GeSn薄膜の固相成長 "
    第65回応用物理学会春季学術講演会 20p-F214-1, 東京, March 20 (2018).
  42. 中島 義基, 村田 博雅, 末益 崇, 都甲 薫
    " グラファイト薄膜の金属誘起層交換成長における金属種効果 "
    第65回応用物理学会春季学術講演会 19a-P6-32, 東京, March 19 (2018).
  43. 松野賢司, 髙部涼太, 召田雅実, 倉持豪人, 都甲薫, 末益崇
    " ヘリコン波プラズマスパッタ法によるSi基板上多結晶BaSi2膜の作製 "
    第65回応用物理学会春季学術講演会 19p-F202-11, 東京, March 19 (2018).
  44. 杉山 周, 髙部 涼太, 都甲 薫, 末益 崇
    " MBE法を用いたBaSi2エピタキシャル膜の成長速度の影響 "
    第65回応用物理学会春季学術講演会 19p-F202-8, 東京, March 19 (2018).
  45. 今城 利文, 都甲 薫, 髙部 涼太, 末益 崇
    " Ge(110)基板上SrGe2薄膜の電気的特性に与える成長温度の影響 "
    第65回応用物理学会春季学術講演会 19p-F202-7, 東京, March 19 (2018).
  46. 杉山 稜汰, 髙部 涼太, 都甲 薫, 末益 崇
    " ITO加熱堆積によるp-BaSi2/n-Siヘテロ接合太陽電池特性への効果 "
    第65回応用物理学会春季学術講演会 19p-F202-4, 東京, March 19 (2018).
  47. 佐藤 拓磨, 山下 雄大, 都甲 薫, 末益 崇
    " BaSi2エピタキシャル膜ラマンスペクトルの膜厚およびBa/Si体積レート比依存性 "
    第65回応用物理学会春季学術講演会 19a-F202-8, 東京, March 19 (2018).
  48. 山下 雄大, 都甲 薫, 末益 崇
    " ポストアニールがBaSi2光吸収層の欠陥準位に及ぼす影響 "
    第65回応用物理学会春季学術講演会 19a-F202-7, 東京, March 19 (2018).
  49. 小玉 小桃, 都甲 薫, 末益 崇
    " MBE法によるBaSi2 pnホモ接合太陽電池の作製 "
    第65回応用物理学会春季学術講演会 19a-F202-2, 東京, March 19 (2018).
  50. T. Deng, T. Sato, Z. Xu, R. Takabe, S. Yachi, Y. Yamashita, K. Toko, and T. Suemasu
    " Investigation on p-BaSi2/n-Si heterojunction solar cells using a Si(001) substrate "
    第65回応用物理学会春季学術講演会 19a-F202-1, 東京, March 19 (2018).
  51. Taro Komori, Toshiki Gushi, Fumiya Takata, Akihito Anzai, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu
    " Epitaxial growth of Mn4-xNixN thin films by MBE and their characterizations "
    第65回応用物理学会春季学術講演会 19p-D104-18, 東京, March 19 (2018).
  52. Toshiki Gushi, Laurent Vila, Jean-Philippe Attane, Olivier Fruchart, Alain Marty, Stefania Pizzini, Jan Vogel, Fumiya Takata, Akihito Anzai, and Takashi Suemasu
    " Investigation of spin-transfer properties in ferrimagnetic Mn4N nanowires "
    第65回応用物理学会春季学術講演会 19p-D104-17, 東京, March 19 (2018).
  53. Z. Xu, K. Gotoh, T. Deng, K. Toko, N. Usami, and T. Suemasu
    " Surface passivation effect of RF-plasma processed a-Si:H layers on the optical properties of BaSi2 epitaxial films "
    第65回応用物理学会春季学術講演会 18p-P6-10, 東京, March 18 (2018).
  54. 高原 大地, 吉峯 遼太, 末益 崇, 都甲 薫
    " 絶縁体上Ge(Si)薄膜の大粒径固相成長と高移動度化 "
    第65回応用物理学会春季学術講演会 18p-C304-9, 東京, March 18 (2018).
  55. 安西 聡仁, 具志 俊希, 高田 郁弥, 都甲 薫, 花島 隆泰, 末益 崇
    " Mn4N垂直磁化膜上のFe4N膜の深さ方向磁化分布評価 "
    第65回応用物理学会春季学術講演会 17p-P10-47, 東京, March 17 (2018).
  56. Fumiya Takata, Toshiki Gushi, Akihito Anzai, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu
    " Crystal growth of L10-MnAl film on Mn4N underlayer and effect of crystallinity on magnetic properties "
    第65回応用物理学会春季学術講演会 17p-P10-44, 東京, March 17 (2018).
  57. 村田 博雅, 末益 崇, 都甲 薫
    " Ni誘起層交換によるグラファイト薄膜の合成と透明導電膜応用 "
    第65回応用物理学会春季学術講演会 17p-C202-7, 東京, March 17 (2018).
  58. 草野 欽太, 山本 淳, 末益 崇, 都甲 薫
    " Al誘起層交換によるフレキシブルSi1-xGex熱電薄膜 "
    第65回応用物理学会春季学術講演会 17a-F102-8, 東京, March 17 (2018).
  59. (invited) 都甲 薫
    " 絶縁体上における高機能IV族材料の薄膜合成技術 "
    山梨大学サイエンスカフェ講演会, 山梨, February 2 (2018).
  60. (invited) 都甲 薫
    " IV族半導体薄膜の"層交換"とカーボン材料への応用 "
    第2回界面ナノ科学研究会, 熱海, January 11 (2018).
  61. 2017年

  62. (invited)末益 崇,
    " BaSi2膜の組成比制御とホモ接合太陽電池への取り組み, "
    日本学術振興会第175委員会, 福島, December 26 (2017).
  63. 今城利文, 髙部涼太, 都甲薫, 末益 崇,
    " Ge基板上SrGe2薄膜の結晶成長と電気的特性評価, "
    第9回半導体材料・デバイスフォーラム, P-4, 都城, December 24 (2017).
  64. 吉峯遼太, 茂藤健太, 末益崇, 都甲薫,
    " ガラス上Ge薄膜におけるキャリア散乱要因の低減と高移動度化, "
    第9回半導体材料・デバイスフォーラム, O-5, 都城, December 24 (2017).
  65. 安西聡仁,花島隆泰,具志俊希,高田郁弥,都甲薫,末益崇,
    " MnxFe4-xN薄膜のエピタキシャル成長と磁気特性, "
    第36回電子材料シンポジウム, Th4-3, 長浜, November 9 (2017).
  66. 高田郁弥, 具志俊希, 安西聡仁, 都甲薫, 末益崇,
    " 格子不整合率がτ-MnAl薄膜の歪みと磁気特性に与える影響, "
    第36回電子材料シンポジウム, Th4-2, 長浜, November 9 (2017).
  67. 安西 聡仁,花島 隆泰,具志 俊希,高田 郁弥,都甲 薫,末益 崇,
    " Mn4N上Fe4N垂直磁化積層膜の作製, "
    第6回結晶工学未来塾, 東京大学, November 2 (2017).
  68. 村田 博雅,都甲 薫,末益 崇,
    " Ni誘起層交換による多層グラフェンの合成と透明導電膜応用, "
    第6回結晶工学未来塾, 東京大学, November 2 (2017).
  69. 高田 郁弥, 伊藤 啓太, 都甲 薫, 竹田 幸治, 斎藤 祐児, 高梨 弘毅, 木村 昭夫, 末益 崇
    " XMCD測定によるNixFe4-xN(x = 1, 3)薄膜中の3d元素の優先占有サイトの評価 "
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 5a-C18-1, 福岡, September 5 (2017).
  70. T. Gushi, L. Vila, J. P. Attane, O. Fruchart, A. Marty, S. Pizzini, F. Takata, A. Anzai and T. Suemasu
    " Magnetic properties of perpendicularly magnetized Mn4N thin films deposited on MgO and STO substrates, for current-induced domain-wall motion devices "
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 5a-C18-6, 福岡, September 5 (2017).
  71. 安西 聡仁, 花島 隆泰, 具志 俊希, 高田 郁弥, 都甲 薫, 末益 崇
    " Mn4N上Fe4N垂直磁化積層膜の作製 "
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 5a-C18-8, 福岡, September 5 (2017).
  72. 吉峯 遼太, 都甲 薫, 末益 崇
    " 高正孔移動度(380cm^2/Vs)Ge薄膜のガラス上低温合成 "
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 7a-C21-3, 福岡, September 7 (2017).
  73. 谷内 卓, 髙部 涼太, 都甲 薫, 末益 崇
    " テンプレート形成時間を変えたp-BaSi2/n-Siヘテロ太陽電池のDLTS法による欠陥準位評価 "
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 7a-C13-8, 福岡, September 7 (2017).
  74. Emha Bayu Miftahullatif, Takabe Ryota, Yachi Suguru, Toko Kaoru, Suemasu Takashi
    " Photoresponse properties of low B-doped p-BaSi2 on P+ ion-implanted Si (111) "
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 7a-C13-11, 福岡, September 7 (2017).
  75. Z.Xu, T.Deng, R.Takabe, K.Toko, T. Suemasu
    " Formation of hydrogenated amorphous Si layers by RF plasma generator on Al-capped Si(111) substrate: application to BaSi2 solar cells "
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 7a-c13-12, 福岡, September 7 (2017).
  76. 髙原 大地, 都甲 薫, 吉峯 遼太, 末益 崇
    " 絶縁体上Si1-xGex薄膜の固相成長における前駆体の加熱堆積効果 "
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 7a-C21-4, 福岡, September 7 (2017).
  77. 松野 賢司, 髙部 涼太 ,都甲 薫, 末益 崇
    " ヘリコン波プラズマスパッタ法によるSi (111)基板上BaSi2膜の作製 "
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 7p-PB4-8, 福岡, September 7 (2017) .
  78. 佐藤 拓磨, 髙部涼太, 小玉 小桃, 都甲 薫, 末益 崇
    " DLTS法によるBaSi2エピタキシャル膜内の欠陥評価 "
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 7p-PB4-9, 福岡, September 8 (2017).
  79. Deng Tianguo, Xu Zhihao, Emha Bayu Miftahullatif, Takabe Ryota, Toko Kaoru and Suemasu Takashi
    " Carrier transport properties of boron-doped p-BaSi2 on Si(111) and Si(001) "
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 7P-PB4-10, 福岡, September 7 (2017).
  80. 髙部 涼太, T. Deng, 小玉 小桃, 山下 雄大, 都甲 薫, 末益 崇
    " Ba/Siフラックス比がundoped BaSi2膜の電気特性に与える効果 "
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 8a-C11-2, 福岡, September 8 (2017).
  81. 星田 裕文, 村社 尚紀, 飯沼 元輝, 江口 元, 末益 崇, 寺井 慶和
    " 赤外吸収測定によるBaSi2エピタキシャル膜の分子振動評価 "
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 8a-C11-3, 福岡, September 8 (2017).
  82. 小玉 小桃, 髙部 涼太, 都甲 薫, 末益 崇
    " BaSi2 pnホモ接合太陽電池に向けた積層構造のエピタキシャル成長 "
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 8a-C11-4, 福岡, September 8 (2017).
  83. 今城 利文, 髙部 涼太, 都甲 薫, 末益 崇
    " SrGe2薄膜の結晶成長に与えるGe基板面方位の効果 "
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 8a-C11-6, 福岡, September 8 (2017).
  84. 山下 雄大, 髙部 涼太, 都甲 薫, 末益 崇
    " Si基板前処理がp-BaSi2/n-Siヘテロ接合太陽電池特性に与える効果 "
    第64回応用物理学会秋季学術講演会 8a-C11-9, 福岡, September 8 (2017).
  85. 茂藤 健太, 都甲 薫, 吉峯遼太,末益 崇
    " 前駆体の原子密度制御による固相成長GeSn/ガラスの高移動度化 "
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 8a-C19-5, 福岡, September 8 (2017).
  86. 草野 欽太, 都甲 薫, 山本 淳, 末益 崇
    " Al誘起層交換により形成したガラス上Si1-xGex薄膜の熱電特性評価 "
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 8a-C19-6, 福岡, September 8 (2017).
  87. 村田 博雅, 都甲 薫, 末益 崇
    " 多層グラフェンの層交換合成における界面層挿入効果 "
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 8a-C19-9, 福岡, September 8 (2017).
  88. 髙部 涼太, Tianguo Deng, 小玉 小桃, 山下 雄大, 都甲 薫, 末益 崇,
    " Ba/Siフラックス比の異なるundoped BaSi2/Si(111)のMBE成長 "
    第17回シリサイド系半導体・夏の学校 P5, 浜松, July 29 (2017).
  89. M. Emha Bayu, R. Takabe, S. Yachi, K. Toko, T. Suemasu
    " External Quantum Efficiency (EQE) and J-V characteristic of low B-doped p-BaSi2 on P+ ion-implanted Si (111) "
    第17回シリサイド系半導体・夏の学校 P6, 浜松, July 29 (2017).
  90. 松野 賢司, 髙部涼太, 都甲 薫, 末益 崇
    " スパッタリング法によるSi(111)基板上BaSi2膜の作製 "
    第17回シリサイド系半導体・夏の学校 P8, 浜松, July 29 (2017).
  91. 今城 利文, 髙部 涼太, 都甲 薫, 末益 崇,
    " 基板面方位と成長温度の変調によるGe基板上SrGex薄膜の組成制御 "
    第17回シリサイド系半導体・夏の学校 P21, 浜松, July 29 (2017).
  92. 髙部 涼太, Tianguo Deng, 小玉 小桃, 山下 雄大, 都甲 薫, 末益 崇,
    " MBE成長中のBa/Siフラックス比がBaSi2エピタキシャル膜に与える影響 "
    第14回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム N-6, 名古屋, July 20 (2017).
  93. 山下雄大, 髙部涼太, 都甲 薫, 末益 崇
    " BaSi2/n-Siヘテロ接合型太陽電池特性のSi基板前処理依存性 "
    第14回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム N-10, 名古屋, July 20 (2017).
  94. 小玉小桃, 髙部涼太, 都甲薫, 末益崇
    " BaSi2 pn ホモ接合太陽電池作製に向けた表面電極/Sb-doped n-BaSi2間の接触抵抗低減とデバイス応用 "
    第14回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム N-11, 名古屋, July 20 (2017).
  95. (invited) 高部 涼太, 谷内 卓, 都甲 薫, 末益 崇
    " Ba/Siフラックス比を変えて作製したSi(111)基板上undoped n-BaSi2エピタキシャル膜の評価 "
    第64回応用物理学会春季学術講演会 16p-B5-1, 横浜, March 16 (2017).
  96. 都甲 薫, 中田 充紀, 山本 淳, 末益 崇
    " Al誘起層交換によるSi1-xGex熱電薄膜の低温合成 "
    第64回応用物理学会春季学術講演会 16a-P6-9, 横浜, March 16 (2017).
  97. 安西 聡仁, 具志 俊希, 東小薗 創真, 高田 郁弥, 都甲 薫, 末益 崇
    " 逆ペロブスカイト型強磁性窒化物MnxFe4-xN 薄膜の磁気特性 "
    第64回応用物理学会春季学術講演会 14p-P10-67, 横浜, March 14 (2017).
  98. 小玉 小桃, 髙部 涼太, 谷内 卓, 都甲 薫, 末益 崇
    " BaSi2 pn ホモ接合太陽電池作製に向けた表面電極/Sb-doped n-BaSi2間の接触抵抗低減 "
    第64回応用物理学会春季学術講演会 16a-B5-10, 横浜, March 16 (2017).
  99. 高田 郁弥, 具志 俊希, 東小薗 創真, 都甲 薫, 末益 崇
    " N添加がL10-MnAlの磁気異方性に与える影響 "
    第64回応用物理学会春季学術講演会 14p-P10-49, 横浜, March 14 (2017).
  100. 村社 尚紀, 星田 裕文, 飯沼 元輝, 江口 元, 末益 崇, 寺井 慶和
    " BaSi2エピタキシャル膜における近赤外欠陥発光の評価 "
    第64回応用物理学会春季学術講演会 15p-P13-3, 横浜, March 15 (2017).
  101. 須原 貴道, 中川 慶彦, 原 康祐, 黒川 康良, 末益 崇, 宇佐美 徳隆
    " 真空蒸着法により作製したa-Si/BaSi2の接触抵抗低減効果 "
    第64回応用物理学会春季学術講演会 16a-B5-11, 横浜, March 16 (2017).
  102. 山下 雄大, 谷内 卓, 髙部 涼太, 都甲 薫, 末益 崇
    " p-BaSi2の厚みとp-BaSi2/n-Siヘテロ接合太陽電池特性の関係 "
    第64回応用物理学会春季学術講演会 16a-B5-7, 横浜, March 16 (2017).
  103. 吉峯 遼太, 都甲 薫, 末益 崇
    " ガラス上における大粒径Ge薄膜の固相成長と高移動度実証 "
    第64回応用物理学会春季学術講演会 17a-E206-11, 横浜, March 17 (2017).
  104. 高原 大地, 都甲 薫, 吉峯 遼太, 末益 崇
    " ガラス上における大粒径Si1-xGex薄膜の固相成長 "
    第64回応用物理学会春季学術講演会 14a-P3-1, 横浜, March 14 (2017).
  105. 谷内 卓, 髙部 涼太, 都甲 薫, 末益 崇
    " BaSi2テンプレート層がp-BaSi2/n-Siヘテロ太陽電池特性に与える効果 "
    第64回応用物理学会春季学術講演会 16a-B5-6, 横浜, March 16 (2017).
  106. 今城 利文, 都甲 薫, 末益 崇
    " Ge基板上におけるSrGe2薄膜の反応性エピタキシャル成長 "
    第64回応用物理学会春季学術講演会 16a-B5-4, 横浜, March 16 (2017).
  107. 村田 博雅, 都甲 薫, 末益 崇
    " 絶縁基板上多層グラフェンの低温層交換合成と特性評価 "
    第64回応用物理学会春季学術講演会 14p-318-6, 横浜, March 14 (2017).
  108. Xu Zhihao, Deng Tianguo, Takabe Ryota, Emha Bayu Miftahullatif, Toko Kaoru, Suemasu Takashi
    " Characterizations of crystalline quality and electrical properties of nitrogen-doped BaSi2 films on Si(111) "
    第64回応用物理学会春季学術講演会 15p-P13-2, 横浜, March 15 (2017).
  109. Deng Tianguo, Takabe Ryota, Xu Zhihao, Toko Kaoru, Gotoh Kazuhiro, Usami Noritaka, Suemasu Takashi
    " Characterization of p-BaSi2/n-Si solar cells using Boron-doped p-BaSi2 on textured n-Si (001) grown by molecular beam epitaxy "
    第64回応用物理学会春季学術講演会 16a-B5-8, 横浜, March 16 (2017).
  110. Miftahullatif Emha Bayu, Ryouta Takabe, Suguru Yachi, Kaoru Toko, Takashi Suemasu
    " Fabrication of low B-doped p-BaSi2/n+-Si heterojunction solar cells "
    第64回応用物理学会春季学術講演会 15p-P13-1, 横浜, March 15 (2017).
  111. 2016年

  112. (invited) 都甲 薫, 山本 淳, 末益 崇,
    " SiGe薄膜の低温合成技術と熱電変換への応用 "
    応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究集会, つくば, Nov. 14 (2016).
  113. (invited) 都甲 薫, 末益 崇,
    " IV族半導体薄膜の金属誘起層交換成長 ―現象の理解と制御― "
    第8回半導体材料・デバイスフォーラム, 熊本, Nov. 5 (2016).
  114. 髙部 涼太, 谷内 卓, M. Emha Bayu, Y. Li, 都甲 薫, 末益 崇,
    " p-BaSi2/n-Siヘテロ太陽電池作製と今後の展望, "
    第28回シリサイド系半導体と関連物質研究会, 3, 新潟, September 16 (2016).
  115. Li Yunpeng, Takabe Ryota, Deng Tianguo, Toko Kaoru, Sekiguchi Takashi, Suemasu Takashi,
    " Possibility of fabricating n-BaSi2/p type multicrystalline Si (p-mc-Si) heterojunction solar cells, "
    第77回応用物理学会秋季学術講演会 16a-P3-4, 新潟, September 16 (2016).
  116. M. Emha Bayu, Cham Thi Trinh, R. Takabe, S. Yachi, K. Toko, N. Usami, T. Suemasu,
    " Minority-carrier lifetime in B-doped BaSi2 epitaxial films, "
    第77回応用物理学会秋季学術講演会 16a-P3-5, 新潟, September 16 (2016).
  117. 村田 博雅, 都甲 薫, 末益 崇
    " Ni誘起層交換成長による絶縁基板上多層グラフェンの低温合成, "
    第77回応用物理学会秋季学術講演会 16p-D61-3, 新潟, September 16 (2016).
  118. 中田 充紀, 都甲 薫, 山本 淳, 末益 崇
    " ガラス上Si1-xGex薄膜のAl誘起成長と熱電特性評価, "
    第77回応用物理学会秋季学術講演会 16p-D61-4, 新潟, September 16 (2016).
  119. 谷内 卓, 髙部 涼太, 都甲 薫, 末益 崇,
    " p-BaSi2/n-Siヘテロ接合太陽電池特性のp-BaSi2膜厚依存, "
    第77回応用物理学会秋季学術講演会 15p-B3-9, 新潟, September 15 (2016).
  120. 髙部 涼太, 谷内 卓, 都甲 薫, 末益 崇,
    " 大気暴露時間およびa-Siキャップ層の膜厚がp-BaSi2/n-Siヘテロ太陽電池性能に与える効果, "
    第77回応用物理学会秋季学術講演会 15p-B3-10, 新潟, September 15 (2016).
  121. Deng Tianguo, Takabe Ryota, Yachi Suguru, Xu Zhihao, Miftahullatif Emha Bayu, Toko Kaoru, Usami Noritaka, Suemasu Takashi
    " Characterization of undoped-BaSi2 and Boron-doped BaSi2 on textured Si (001) substrate grown by molecular beam epitaxy, "
    第77回応用物理学会秋季学術講演会 15a-B3-7, 新潟, September 15 (2016).
  122. Zhihao Xu, Tianguo Deng, Ryota Takabe, Miftahullatif Emha Bayu, Kaoru Toko, Takashi Suemasu,
    " Fabrication of nitrogen-doped BaSi2 films on Si(111) by molecular beam epitaxy,"
    第77回応用物理学会秋季学術講演会 15a-B3-6, 新潟, September 15 (2016).
  123. 吉峯 遼太、都甲 薫、末益 崇,
    " IV族半導体の金属誘起層交換成長, "
    第77回応用物理学会秋季学術講演会 14p-B7-8, 新潟, September 14 (2016).
  124. 高田郁弥, 伊藤啓太, 鹿原和樹, 東小薗創真, 具志俊希, 都甲薫, 角田匡清, 末益崇
    " NixFe4-xN(x = 1, 3)薄膜の負の異方向性磁気抵抗効果, "
    第77回応用物理学会秋季学術講演会 13p-P8-22, 新潟, September 13 (2016).
  125. 東小薗 創真, 伊藤 啓太, 具志 俊希, 高田 郁弥, 都甲 薫, 末益 崇,
    " MBE法で作製したα'-Fe16-xMnxN2(x=0,1,2)薄膜の磁気特性, "
    第77回応用物理学会秋季学術講演会 13p-P8-26, 新潟, September 13 (2016).
  126. 伊藤 啓太, 鹿原 和樹, 高田 郁弥, 東小薗 創真, 具志 俊希, 都甲 薫, 角田 匡清, 末益 崇,
    " エピタキシャルNixFe4-xN(x = 0, 1, 3, 4)薄膜の磁気物性の評価,"
    第40回日本磁気学会学術講演会 6pA-6, 石川, September 6 (2016).
  127. 髙部 涼太, 谷内 卓, 都甲 薫, 末益 崇,
    " 非晶質Siキャップ層によるBaSi2太陽電池特性の改善, "
    第39回光通信研究会, D-3, 山梨, August 10 (2016).
  128. 具志 俊希
    " Fe4N強磁性細線中の磁壁における抵抗変化の検出, "
    第39回光通信研究会 P2-32, 山梨, August 9 (2016).
  129. 村田 博雅、都甲 薫、末益 崇,
    " 絶縁基板上多層グラフェン合成に向けた金属誘起層交換成長の検討, "
    第63回応用物理学会春季学術講演会 20a-P4-17, 東京, March 20 (2016).
  130. 吉峯 遼太、都甲 薫、末益 崇,
    " ガラス上Ge薄膜のAg誘起層交換成長, "
    第63回応用物理学会春季学術講演会 20a-H112-2, 東京, March 20 (2016).
  131. (invited) 馬場 正和、香山 正憲、都甲 薫、末益 崇,
    " Si(111)基板上BaSi2エピタキシャル膜の双晶粒界に対する第一原理計算, "
    第63回応用物理学会春季学術講演会 21a-S223-1, 東京, March 21 (2016).
  132. 横山 晟也、召田 雅実、倉持 豪人、都甲 薫、末益 崇,
    " RFスパッタリング法による多結晶BaSi2薄膜の形成, "
    第63回応用物理学会春季学術講演会 21p-P13-11, 東京, March 20 (2016).
  133. 谷内 卓、武内 大樹、高部 涼太、都甲 薫、末益 崇,
    " a-Si層挿入による表面電極/BaSi2間の接触抵抗低減, "
    第63回応用物理学会春季学術講演会 21a-S223-4, 東京, March 21 (2016).
  134. LI YUNPENG、Trinh Cham Thi、Takabe Ryota、Toko Kaoru、Sekiguchi Takashi、Usami Noritaka、Suemasu Takashi,
    " Minority-carrier lifetime of BaSi2 formed on various multicrystalline Si substrates, "
    第63回応用物理学会春季学術講演会 21p-S223-7, 東京, March 21 (2016).
  135. 都甲 薫、中田 充紀、大谷 直生、Jevasuwan Wipakorn、深田 直樹, 末益 崇
    " プラスチック上Ge薄膜の結晶方位制御と垂直配向ナノワイヤ合成, "
    第63回応用物理学会春季学術講演会 21p-P7-7, 東京, March 20 (2016).
  136. 山口 陽己、村社 尚紀、山﨑 一輝、尾方 済人、塚本 裕明、末益 崇、寺井 ・c和
    " 偏光ラマンスペクトル測定によるBaSi2の分子振動モード解析, "
    第63回応用物理学会春季学術講演会 21p-S223-8, 東京, March 21 (2016).
  137. 東小薗 創真、伊藤 啓太、具志 俊希、都甲 薫、末益 崇
    " MgAl2O4基板上への高配向(α''')-Fe16N2薄膜のエピタキシャル成長, "
    第63回応用物理学会春季学術講演会 21a-W241-7, 東京, March 21 (2016).
  138. 高田 郁弥、伊藤 啓太、具志 俊希、東小薗 創真、都甲 薫、末益 崇
    " MBE法による強磁性窒化物NixFe4-xN薄膜のエピタキシャル成長, "
    第63回応用物理学会春季学術講演会 21a-W241-6, 東京, March 21 (2016).
  139. 具志 俊希、伊藤 啓太、東小薗 創真、都甲 薫、大里 啓孝、杉本 喜正、本多 周太、末益 崇
    " 異方性磁気抵抗効果を利用したFe4N 細線における磁壁の電流検出, "
    第63回応用物理学会春季学術講演会 19p-P1-18, 東京, March 19 (2016).
  140. 高部 涼太、武内 大樹、Du Weijie、伊藤 啓太、都甲 薫、上田 茂典、木村 昭夫、末益 崇
    " 硬X線光電子分光法によるa-Si/BaSi2のバンドアライメント測定, "
    第63回応用物理学会春季学術講演会 21a-S223-3, 東京, March 21 (2016).
  141. 塚原 大地、武内 大樹、Weijie Du、髙部 涼太、都甲 薫、宇佐美 徳隆、末益 崇
    " シリサイド系半導体材料BaSi2を用いたSiベースヘテロ接合太陽電池の作製, "
    第63回応用物理学会春季学術講演会 20p-P13-10, 東京, March 20 (2016).
  142. 伊藤 啓太、具志 俊希、東小薗 創真、都甲 薫、白井 正文、角田 匡清、末益 崇
    " 垂直磁気異方性をもつ正方晶フェリ磁性Mn4N薄膜の磁気構造, "
    第63回応用物理学会春季学術講演会 19p-P1-17, 東京, March 19 (2016).
  143. Trinh Cham Thi、Nakagawa Yoshihiko、Hara Kosuke、Takabe Ryota、Suemasu Takashi、Usami Noritaka
    " Photoresponse property of BaSi2 film grown on Si substrate by vacuum evaporation, "
    第63回応用物理学会春季学術講演会 21p-S223-6, 東京, March 21 (2016).
  144. Suwardy Joko、Subramani Thiyagu、〇Jevasuwan Wipakorn、Toko Kaoru、Suemasu Takashi、Fukata Naoki
    " Formation of Large-grain polycrystalline Si Layer on Quartz by Al-induced Crystallization for Thin-Film Solar Cells, "
    第63回応用物理学会春季学術講演会 21p-P9-9, 東京, March 21 (2016).
  145. 中田 充紀、都甲 薫、原 康祐、宇佐美 徳隆、末益 崇
    " Al誘起成長Ge薄膜をシードとした低不純物密度Ge層の厚膜形成, "
    第63回応用物理学会春季学術講演会 21p-P8-15, 東京, March 21 (2016).
  146. Miftahullatif Emha Bayu、Urai H、Tsukahara Daichi、Toko Kaoru、Makimura Tetsuya、and Suemasu Takashi
    " Effects of pulse laser annealing on the crystallinity and electrical properties of B-doped BaSi2 epitaxial thin films, "
    第63回応用物理学会春季学術講演会 21p-S223-10, 東京, March 21 (2016).
  147. 原 康祐、Trinh Thi Cham、黒川 康良、有元 圭介、山中 淳二、中川 清和、末益 崇、宇佐美 徳隆
    " 高速成膜によるBaSi2蒸着膜の構造・特性変化, "
    第63回応用物理学会春季学術講演会 21p-S223-3, 東京, March 21 (2016).
  148. 須原 貴道、村田 晃一、Navabi Aryan、Che Xiaoyu、中川 慶彦、原 康祐、黒川 康良、末益 崇、Wang Kang L、宇佐美 徳隆
    " アンドープBaSi2蒸着膜へのポストアニール効果, "
    第63回応用物理学会春季学術講演会 21p-S223-2, 東京, March 21 (2016).
  149. 2015年

  150. 伊藤 啓太, 具志 俊希, 東小薗 創真, 竹田 幸治, 斎藤 祐児, 都甲 薫, 柳原 英人, 角田 匡清, 小口 多美夫, 木村 昭夫, 喜多 英治, 末益 ・・
    " Fe4Nエピタキシャル薄膜の窒素原子占有度の評価, "
    第39回日本磁気学会学術講演会 11aA-10, 名古屋, September 11 (2015).
  151. 大谷 直生, 都甲 薫, 中田 充紀, 末益 崇,
    " ガラス上多結晶Ge 薄膜におけるSn パッシベーション効果, "
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 13a-2W-7, 名古屋, September 13 (2015).
  152. 中田 充紀, 都甲 薫, 末益 崇,
    " Al 誘起成長法による大粒径Si0.5Ge0.5(111)/ 絶縁体の形成, "
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 13a-2W-4, 名古屋, September 13 (2015).
  153. 塚本 裕明, 山口 陽己, 山﨑 一輝, 末益 崇, 寺井 慶和,
    " BaSi2 エピタキシャル膜の光変調ラマンスペクトル, "
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 15p-2R-21, 名古屋, September 15 (2015).
  154. 山口 陽己, 尾方 済人, 塚本 裕明, 末益 崇, 寺井 慶和,
    " BaSi2 エピタキシャル膜における偏光ラマンスペクトル解析, "
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 15p-2R-20, 名古屋, September 15 (2015).
  155. 中川 慶彦, 原 康祐, 黒川 康良, 末益 崇, 宇佐美 徳隆,
    " 真空蒸着法で作製し・スBaSi2 膜の面方位の形成メカニズムの検討, "
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 15p-2R-18, 名古屋, September 15 (2015).
  156. 原 康祐, Du Weijie, 有元 圭介, 山中 淳二, 中川 清和, 都甲 薫, 末益 崇, 宇佐美 徳隆,
    " アルカリ金属フッ化物処理によるBaSi2 薄膜の電気特性制御, "
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 15p-2R-17, 名古屋, September 15 (2015).
  157. 高部 涼太, 馬場 正和, Du Weijie, 原 康祐, 都甲 薫, 宇佐美 徳隆, 末益 崇,
    " Ge(111) 基板上BaSi2 エピタキシャル膜の分光感度特性, "
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 15p-2R-16, 名古屋, September 15 (2015).
  158. 高部 涼太, 伊藤 啓太, Du Weijie, 都甲 薫, 上田 茂典, 木村 昭夫, 末益 崇,
    " 硬X ・・d子分光法による自然酸化膜/BaSi2 のバンドオフセット測定, "
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 15p-2R-15, 名古屋, September 15 (2015).
  159. 武内 大樹, Du Weijie, 高部 涼太, 都甲 薫, 原康祐, 宇佐美 徳隆, 末益 崇,
    " DLTS 法によるboron doped p-BaSi2 膜中の欠陥準位評・ソ, "
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 15p-2R-14, 名古屋, September 15 (2015).
  160. 武内 大樹, Du Weijie, 高部 涼太, 都甲 薫, 原康祐, 宇佐美 徳隆, 末益 崇,
    " In-situ MoOx キャップを施したBaSi2 エピタキシャル膜の電気/ 光学特性評価, "
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 15p-2R-13, 名古屋, September 15 (2015).
  161. 馬場 正和, 香山 正憲, 都甲 薫, 都甲薫, 末益 崇,
    " 第一原理計算によるBaSi2(011)/(011) 双晶粒界・界面構造についての考察, "
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 15p-2R-12, 名古屋, September 15 (2015).
  162. 横山 晟也, 召田 雅実, 倉持 豪人, 都甲薫, 末益 崇,
    " ヘリコン波プラズマスパッタ法によるBaSi2 薄膜の作製, "
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 15a-PB3-2, 名古屋, September 15 (2015).
  163. 塚原 大地, 馬場 正和, 都甲 薫, 末益 崇,
    " MBE 法でエピタキシャル成長したBaSi2 膜粒径の成長膜厚依存性, "
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 15a-PB3-1, 名古屋, September 15 (2015).
  164. 具志 俊希, 伊藤 啓太, 東小薗 創真, 都甲薫, 大里 啓孝, 杉本 喜正, 本多 周太, 末益 崇,
    " Fe4N 細線における磁壁物性の細線形状依存性の評価, "
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 13a-2J-8, 名古屋, September 13 (2015).
  165. 東小薗 創真, 伊藤 啓太, 具志 俊希, 都甲 薫, 末益 崇,
    " α-Fe 下地を用いたMgAl2O4 基板上へのα '-Fe-N のエピタキシャル成長, "
    第76回応用物理学会秋季学術講演会 13p-PA1-24, 名古屋, September 13 (2015).
  166. 2014年

  167. JAEJUN LEE, HIROKI TAKEUCHI, RYOTA TAKABE, KAORU TOKO, and TAKASHI SUEMASU,
    " Fabrication of Ba(Si,C)2 films on Si(111) by plasma-assisted molecular beam epitaxy, "
    第62回応・p物理学会春季学術講演会 14p-A25-3, 神奈川, March 14 (2015).
  168. Weijie Du, Masakazu Baba, Ryota Takabe, Hiroki Takeuchi, Daichi Tsukahara, Kaoru Toko, Noritaka Usami, Takashi Suemasu,
    " Formation of MoO3/n-BaSi2 heterojunctions for solar cell applications, "
    第62回応用物理学会春季学術講演会 14a-A25-1, 神奈川, March 14 (2015).
  169. Joko Suwardy, Wipakorn Jevasuwan, Kaoru Toko, Takashi Suemasu, Naoki Fukata,
    " Formation of polycrystalline Silicon Layer on Quartz substrate by Aluminium-induced Crystallization, "
    第62回応用物理学会春季学術講演会 12p-A18-1, 神奈川, March 12 (2015).
  170. 高部 涼太、原 康祐、都甲 薫、宇佐美 徳隆、末益 崇,
    " 固相成長テンプレートを用いたGe(111)基板上へのBaSi2 膜作製, "
    第62回応用物理学会春季学術講演会 14p-A25-2, 神奈川, March 14 (2015).
  171. 関口 隆史、山根 久典、陳 君、渡辺 健太郎、末益 崇 ,
    " アンモニアプロセスを用いたBaSi2薄膜の合成と評価, "
    第62回応用物理学会春季学術講演会 14p-A25-1, 神奈川, March 14 (2015).
  172. 鈴木 慎太郎、須原 貴道、原 康祐、末益 崇、宇佐美 徳隆,
    " SnS/BaSi2ヘテロ接合太陽電池に向けた真空蒸着法によるSnS薄膜作製, "
    第62回応用物理学会春季学術講演会 14a-A25-11, 神奈川, March 14 (2015).
  173. 中川 慶彦、原 康祐、末益 崇、宇佐美 徳隆,
    " 真空蒸着法により作製したBaSi2薄膜の膜厚による影響, "
    第62回応用物理学会春季学術講演会 14a-A25-10, 神奈川, March 14 (2015).
  174. 須原 貴道、原 康祐、末益 崇、宇佐美 徳隆,
    " 真空蒸着法による導電性基板上への BaSi2薄膜の作製, "
    第62回応用物理学会春季学術講演会 14a-A25-9, 神奈川, March 14 (2015).
  175. 原 康祐、末益 崇、宇佐美 徳隆,
    " 希少元素フリーSnS/BaSi2太陽電池の提案と数値シミュレーション, "
    第62回応用物理学会春季学術講演会 14a-A25-8, 神奈川, March 14 (2015).
  176. 横山 晟也、Nurul A. A. Latiff、馬場 正和、李 云鵬、召田 雅実、倉持 豪人、都甲 薫、末益 崇,
    " RFスパッタ法により作製したBaSi2薄膜表面の粒界ポテンシャル評価, "
    第62回応用物理学会春季学術講演会 14a-A25-6, 神奈川, March 14 (2015).
  177. 塚原 大地、馬場 正和、都甲 薫、渡辺 健太郎、関口 隆史、末益 崇,
    " KFM法によるバイアス印加時Si(111)基板上BaSi2 pn接合におけるポテンシャル観察, "
    第62回応用物理学会春季学術講演会 14a-A25-5, 神奈川, March 14 (2015).
  178. 李 云鵬、馬場 正和、沼田 涼平、都甲 薫、宇佐美 徳隆、関口 隆史、末益 崇,
    " 多結晶Si上に成長したBaSi2薄膜表面のKFM法によるポテンシャル分布評価, "
    第62回応用物理学会春季学術講演会 14a-A25-4, 神奈川, March 14 (2015).
  179. 馬場 正和、香山 正徳、都甲 薫、末益 崇,
    " BaSi2 domain boundary の最安定構造及び界面特性についての考察 , "
    第62回応用物理学会春季学術講演会 14a-A25-3, 神奈川, March 14 (2015).
  180. 武内 大樹、Du Weijie、高部 涼太、都甲 薫、原 康祐、宇佐美 徳隆、末益 崇,
    " MBE法で・`成したBaSi2エピタキシャル膜/酸化膜界面の欠陥準位評価, "
    第62回応用物理学会春季学術講演会 14a-A25-2, 神奈川, March 14 (2015).
  181. 具志 俊希、伊藤 啓太、安富 陽子、東小薗 創真、都甲 薫、大里 啓孝、杉本 喜正、浅川 潔、太田 憲雄、本多 周太、末益 崇,
    " 負のスピン分極率を有するFe4N強磁性・ラ線の磁壁形成位置の制御, "
    第62回応用物理学会春季学術講演会 11p-D11-7, 神奈川, March 11 (2015).
  182. 東小薗 創真、伊藤 啓太、安富 陽子、具志 俊希、都甲 薫、末益 崇,
    " MBE法によるα"-Fe16N2薄膜のエピタキシャル成長, "
    第62回応用物理学会春季学術講演会 11p-D11-6, 神奈川, March 11 (2015).
  183. 伊藤 啓太、安富 陽子、鹿原 和樹、具志 俊希、東小薗 創真、都甲 薫、角田 匡清、末益 崇,
    " CoxMn4-xN エピタキシャル薄膜の飽和磁化と垂直磁気異方性の評価, "
    第62回応用物理学会春季学術講演会 11p-D11-5, 神奈川, March 11(2015).
  184. 中田 充紀、都甲 薫、Jevasuwan Wipakorn、深田 直樹、末益 崇,
    " Ge(111)薄膜を利用したガラス上Geナノワイヤの均一合成, "
    第62回応用物理学会春季学術講演会 11p-D7-12, 神奈川, March 11 (2015).
  185. 大谷直生,都甲 薫,末益 崇,
    " ガラス上Ge薄膜のAl誘起成長におけるSn添加効果 , "
    第62回応用物理学会春季学術講演会 11p-D7-11, 神奈川, March 11 (2015).
  186. 大谷直生,都甲 薫,末益 崇,
    " Al 非晶質Ge/ ガラスのSn 誘起低温・ャ長(70 ℃ ) による高Sn 濃度・多結晶 GeSn 薄膜の形成, "
    第75回応用物理学会秋季学術講演会 19p-A16-9, 札幌, Sept.19 (2014).
  187. 中沢宏紀,都甲 薫,末益 崇,
    " Al 誘起成長 Ge 層の選択的アイランド除去と光学特性評価, "
    第75回応用物理学会秋季学術講演会 19p-A16-8, 札幌, Sept.19 (2014).
  188. 今井庸二,相馬 貢,末益 崇,
    " BaSi2 への侵入型ドーピングの可能性について, "
    第75回応用物理学会秋季学術講演会 19p-A27-8, 札幌, Sept.19 (2014).
  189. 中川慶彦,原 康祐,末益 崇,宇佐美徳隆,
    " 真空蒸着法で作製したBaSi2薄膜のキャリアライフタイムの評価, "
    第75回応用物理学会秋季学術講演会 19p-A27-7, 札幌, Sept.19 (2014).
  190. 原 康祐,中川慶彦,末益 崇,宇佐美徳隆,
    " シリコン補給層を利用したガラス基板上BaSi2単相蒸着膜の厚膜化, "
    第75回応用物理学会秋季学術講演会 19p-A27-6, 札幌, Sept.19 (2014).
  191. Nurul Amal Abdullatiff,Seiya Yokoyama,Masami Mesuda,Hideto Kuramochi,Kaoru Toko,Takashi Suemasu,
    " Fabrication of BaSi2 films by RF sputtering on a heated glass substrate with pre-deposition Si layer, "
    第75回応用物理学会秋季学術講演会 19p-A27-5, 札幌, Sept.19 (2014).
  192. 章 寧,武内大樹,Weijie Du,高部涼太,馬場正和,塚原大地,都甲 薫,末益 崇,
    " ドープp型BaSi2の活性化率向上及び電気的特性評価, "
    第75回応用物理学会秋季学術講演会 19p-A27-4, 札幌, Sept.19 (2014).
  193. 武内大樹,Weijie Du,高部涼太,都甲 薫,末益 崇,
    " n-BaSi2エピタキシャル膜表面におけるパッシベーションと欠陥準位の関係, "
    第75回応用物理学会秋季学術講演会 19p-A27-3, 札幌, Sept.19 (2014).
  194. 塚原大地,馬場正和,都甲 薫,木村 隆,渡辺健太郎,関口隆史,末益 崇,
    " KFM 法によるSi(111) 基板上BaSi2 PN 接合の観察, "
    第75回応用物理学会秋季学術講演会 19p-A27-2, 札幌, Sept.19 (2014).
  195. 髙部涼太,馬場正和,Weijie Du,都甲 薫,原 康祐,宇佐美徳隆,末益 崇,
    " MBE 法によるGe(111) 基板上のBaSi2エピタキシャル膜の作製と評価, "
    第75回応用物理学会秋季学術講演会 19p-A27-1, 札幌, Sept.19 (2014).
  196. 伊藤啓太,佐内辰徳,安富陽子,具志俊希,都甲 薫,柳原英人,角田匡清,喜多英治,末益 崇,
    " CoxFe4-xN(x = 0, 1, 3) エピタキシャル膜のメスバウアー測定, "
    第75回応用物理学会秋季学術講演会 18a-S2-8, 札幌, Sept.18 (2014).
  197. 具志俊希,伊藤啓太,安富陽子,都甲 薫,大里啓孝,杉本喜正,浅川 潔,太田憲雄,本多周・セ・C末益 崇,
    " くの字型及び円弧状Fe4N 強磁性細線の作製と磁区観察, "
    第75回応用物理学会秋季学術講演会 18a-S2-7, 札幌, Sept.18 (2014).
  198. 安富陽子,伊藤啓太,具志俊希,都甲 薫,末益 崇,
    " CoxMn4-xN 薄膜における磁気特性のCo/Mn 比依存性, "
    第75回応用物理学会秋季学術講演会 18a-S2-6, 札幌, Sept.18 (2014).
  199. (invited) 都甲 薫, 中沢 宏紀、大谷 直生、宇佐美 徳隆、末益 崇,
    " 金属誘起層交換成長による非晶質基板上Ge 薄膜の結晶方位制御, "
    第75回応用物理学会秋季学術講演会 17p-A19-7, 札幌, Sept.17 (2014).
  200. (invited) 都甲 薫, 末益 崇,
    " 非晶質絶縁体上における大粒径Ge(111)薄膜のAl誘起低温成長, "
    シリコン材料・デバイス研究会(SDM) (6), 沖縄, April 10 (2014).
  201. 大谷直生, 都甲 薫, 沼田諒平, 中沢宏紀, 宇佐美徳隆, 末益 崇,
    " 絶縁膜上のAl誘起成長Ge層に与える基板効果とフレキシブル基板応用, "
    シリコン材料・デバイス研究会(SDM) (7), 沖縄, April 10 (2014).
  202. 中沢宏紀, 都甲 薫, 宇佐美徳隆, 末益 崇,
    " Al誘・N成長法による大粒径Ge/導電膜/ガラス構造の形成, "
    シリコン材料・デバイス研究会(SDM) (8), 沖縄, April 10 (2014).
  203. 高部涼太, 都甲 薫, 沼田諒平, 原 康祐, 馬場正和, Weijie Du, 宇佐美徳隆, 末益 崇,
    " Si(111)基板上BaSi2エピタキシャル膜の結晶・光学特性評価とガラス基板上への展開, "
    シリコン材料・デバイス研究会(SDM) (9), 沖縄, April 10 (2014).
  204. 2013年

  205. 中川慶彦,原康祐,宇佐美徳隆,末益崇,
    " 真空蒸着法によるSi基板上へのBaSi2薄膜の作製 , "
    第61回応用物理学会春季学術講演会, 20a-D3-10, 神奈川, March 20 (2014).
  206. 武内大樹,Weijie Du,馬場正和,高部涼太,都甲薫,末・Ev崇,
    " DLTS法によるアンドープn-BaSi2エピタキシャル膜中の欠陥準位評価, "
    第61回応用物理学会春季学術講演会, 20a-D3-8, 神奈川, March 20 (2014).
  207. 杜偉杰,馬場正和,高部涼太,章寧,小池信太郎,都甲薫,宇佐美徳隆,末益崇,
    " I-V and C-V characteristics of the metal/undoped-BaSi2 Schottky diodes, "
    第61回応用物理学会春季学術講演会, 20a-D3-7, 神奈川, March 20 (2014).
  208. 高部涼太,原康祐,馬場正和,Weijie Du,都甲薫,宇佐美徳隆,末益崇,
    " アンドープn型BaSi2エピタキシャル膜少数キャリア寿命の結晶粒径依存, "
    第61回応用物理学会春季学術講演会, 20a-D3-5, 神奈川, March 20 (2014).
  209. 塚原大地,馬場正和,髙部涼太,都甲薫,渡辺健太郎,原康介,宇佐美徳隆,末益崇,
    " KFM法によるSb-doped BaSi2薄膜表面の粒界ポテンシャル評価, "
    第61回応用物理学会春季学術講演会, 20a-D3-5, 神奈川, March 20 (2014).
  210. 馬場正和,塚原大地,Weijie Du,都甲薫1,渡辺健太郎,原康介,宇佐美徳隆,末益崇,
    " KFM 法によるB 添加p 型BaSi2 エピタキシャル薄膜表面のポテンシャル分布, "
    第61回応用物理学会春季学術講演会, 20a-D3-4, 神奈川, March 20 (2014).
  211. 章寧,馬場正和,Weijie Du,小池信太郎,高部涼太,都甲薫,末益崇,
    " BaSi2エピタキシャル膜におけるPの拡散係数評価, "
    第61回応用物理学会春季学術講演会, 20a-D3-3, 神奈川, March 20 (2014).
  212. 原康祐,宇佐美徳隆,馬場正和,都甲薫,末益崇,
    " BaSi2エピタキシャル薄膜へのAsイ・Iン注入と高温アニール, "
    第61回応用物理学会春季学術講演会, 20a-D3-2, 神奈川, March 20 (2014).
  213. Nurul Amal Abdul latiff,米山貴裕,召田雅実,倉持豪人,都甲薫,末益崇,
    " Formation of B-doped BaSi2 films by RF sputtering on a heated glass substrate, "
    第61回応・p物理学会春季・w術講演会, 20a-D3-1, 神奈川, March 20 (2014).
  214. 中沢宏紀,都甲薫,宇佐美徳隆,末益崇,
    " 逆 AIC 法を用いた多結晶 Ge/Al/ガラス構造の形成と拡散制御層効果 , "
    第61回応用物理学会春季学術講演会, 18a-F6-3, 神奈川, March 18 (2014).
  215. 大谷直生,都甲薫,沼田諒平,中沢宏紀,宇・Eイ美・ソ隆,末益崇,
    " プラスチック基板上における非晶質Ge薄膜のAl誘起成長法, "
    第61回応用物理学会春季学術講演会, 18a-F6-2, 神奈川, March 18 (2014).
  216. (講演奨励賞受賞講演)沼田諒平,都甲薫,大谷直生,宇佐美徳隆,末益崇,
    " Al 誘起層交換成長法によるGe 結晶薄膜/絶縁基板の極低温形成, "
    第61回応用物理学会春季学術講演会, 18a-F6-1, 神奈川, March 18 (2014).
  217. 具志俊希,伊藤啓太,佐内辰徳,安富陽子,都甲薫,大里啓孝,杉本喜正,浅川潔,太田憲雄,本多周太,末益崇,
    " Fe4N強磁性細線の作製と磁気力顕微鏡による磁区観察, "
    第61回応用物理学会春季学術講演会, 18a-E7-4, 神奈川, March 18 (2014).
  218. 伊藤啓太,安富陽子,朱思源,MunisaNurmamat,佐内辰徳,都甲薫,竹田幸治,斎藤祐児,木村昭夫,末益崇,
    " CoxMn4-xN(x = 0, 0.8)薄膜のX線磁気円二色性, "
    第61回応用物理学会春季学術講演会, 18a-E7-2, 神奈川, March 18 (2014).
  219. 安富陽子,伊藤啓太,佐内辰徳,具志俊希,都甲薫,末益崇,
    " MBE法により作製したCoxMn4-xN薄膜の磁気特性評価, "
    第61回応用物理学会春季学術講演会, 18a-E7-1, 神奈川, March 18 (2014).
  220. 沼田諒平,都甲薫,大谷直生,宇佐美徳隆,末益崇,
    " 大粒径Ge(111)/プラスチックの創出に向けた極低温(180oC)金属触媒誘起成長, "
    第2回結晶工学未来塾, 学習院大学, Nov. 7 (2014).
  221. 中沢宏紀,都甲薫,宇佐美徳隆,末益崇,
    " 金属を触媒としたGe薄膜/ガラスの(111)配向成長:Ge膜厚効果, "
    応用物理学会結晶工学分科会主催 第3回結晶工学未来塾,学習院大学, Nov. 7 (2014).
  222. ヌルル アブドゥルラティフ,米山貴裕,渋田見哲夫,松丸慶太郎,都甲薫,末益崇,
    " RFスパッタリングによる加熱ガラス基板上へのBaSi2膜の形成と評価, "
    第73回応用物理学会学術講演会, 20a-D6-9, 京都, Sept. 20 (2013).
  223. 章寧,中村航太・Y,馬場正和,Weijie Du,小池信太郎,高部涼太,都甲薫,末益崇,
    " BaSi2エピタキシャル膜におけるV族不純物(Sb, As)の拡散係数評価, "
    第73回応用物理学会学術講演会, 20a-D6-8, 京都, Sept. 20 (2013).
  224. 髙部涼太,中村航太郎,馬場正和,Weijie Du,Muhammad Ajmal Khan,都甲薫,笹瀬雅人,原康祐,宇佐美徳隆,末益崇,
    " 厚さ1.5μmを超えるBaSi2膜のSi(111)基板上へのMBE成長, "
    第73回応用物理学会学術講演会, 20a-D6-7, 京都, Sept. 20 (2013).
  225. 秋山賢輔,末益崇,
    " AgコートSi(100)基板上に形成したβ-FeSi2薄膜の時間分解フォトルミネッセンス評価, "
    第73回応用物理学会学術講演会, 20a-D6-3, 京都, Sept. 20 (2013).
  226. 村上英司郎,中島敏之,米岡将士,角田功,高倉健一郎,中庸行,末益崇,
    " 2MeV電子線・ニ射したひずみSi/ひずみ緩和Si0.7Ge0.3/Si基板構造のラマン分光法によるひずみ量評価, "
    第73回応用物理学会学術講演会, 20a-C9-1, 京都, Sept. 20 (2013).
  227. 島田直弥,馬場正和,小池信太郎,都甲薫,末益崇,
    " AZO透明導電膜とn+-BaSi2膜の接触抵抗評価,"
    第73回応用物理学会学術講演会, 19p-P8-4, 京都, Sept. 19 (2013).
  228. 小池信太郎,馬場正和,杜偉傑,高部涼太,章寧,都甲薫,末益崇,
    " Si(001)基板上に形成したトンネル・レ合上BaSi2膜のエピタキシャル成長と分光感度特性の評価,"
    第73回応用物理学会学術講演会, 19p-P8-3, 京都, Sept. 19 (2013).
  229. 渡辺健太郎,馬場正和,野久尾毅,関口隆史,末益崇,
    " Si(111)基板・紕aSi2薄膜の接合・結晶粒の電気特性,"
    第73回応用物理学会学術講演会, 19p-P8-2, 京都, Sept. 19 (2013).
  230. 沼田諒平,都甲薫,宇佐美徳隆,末益崇,
    "Al誘起成長Si層の結晶方位・粒径に与える成長温度効果,"
    第73回応用物理学会学術講演会, 18a-B4-3, 京都, Sept. 18 (2013).
  231. 沼田諒平,都甲薫,大谷直生,宇佐美徳隆,末益崇,
    "絶縁基板上における大粒径Ge(111)薄膜の極低温(200oC)Al誘起成長,"
    第73回応用物理学会学術講演会, 18a-B4-2, 京都, Sept. 18 (2013).
  232. 中沢宏紀,都甲薫,宇佐美徳隆, 末益崇,
    "導電膜/ガラス上における非晶質Ge薄膜のAl誘起成長,"
    第73回応用物理学会学術講演会, 18a-B4-1, 京都, Sept. 18 (2013).
  233. 佐内辰徳,伊藤啓太,安富陽子,都甲薫,末益崇,
    "MBE法により作製したCoxFe1-xNエピタキシャル膜の磁気異方性,"
    第73回応用物理学会学術講演会, 17a-C15-5, 京都, Sept. 17 (2013).
  234. 安富陽子,佐内辰徳,伊藤啓太,都甲薫,末益崇,
    "MBE法により作製したMn4N薄膜の垂直磁気異方性の評価,"
    第73回応用物理学会学術講演会, 17a-C15-4, 京都, Sept. 17 (2013).
  235. 伊藤啓太,佐内辰徳,安富陽子,都甲薫,竹田幸治,斎藤祐児,小口多美夫,木村昭夫,末益崇,
    "XMCDスペクトル形状から見るFe4N薄膜の局所電子構造,"
    第73回応用物理学会学術講演会, 17a-C15-3, 京都, Sept. 17 (2013).
  236. 島田直弥,馬場正和,米山貴裕,中村航太郎,小池信太朗,都甲薫,末益崇,
    "BaSi2/Si(111)へのAZO反射・h止膜の形成と光学特性の評価,"
    第60回応用物理学会春季学術講演会, 29p-G7-8, 神奈川, March 29 (2013).
  237. ヌルル アブドゥルラティフ,米山貴裕,渋田見哲夫,松丸慶太郎,都甲薫,末益崇,
    "RFスパッタ法を用いた加熱基板上への多結晶BaSi2膜の形成,"
    第60回応用物・掾EEw会春・G学術講演会, 29p-G7-9, 神奈川, March 29 (2013).
  238. 小池信太郎,馬場正和,中村航太郎,K.M. Ajamal,Weijie Du,都甲薫,末益崇,
    "Si(001)基板上BaSi2によるトンネル接合の形成と分光感度特性の評価,"
    第60回応用物理学会春季学術講演会, 29p-G7-7, 神奈川, March 29 (2013).
  239. 原康祐,宇佐美・ソ隆,中村航太郎,髙部涼太,馬場正和,都甲薫,末益崇,
    "アニールしたBaSi2エピタキシャル薄膜の余剰キャリア寿命,"
    第60回応用物理学会春季学術講演会, 29p-G7-6, 神奈川, March 29 (2013).
  240. 今井庸二,相馬貢,末益崇,
    "BaSi2への軽元素侵入型化合物の物性予測,"
    第60回応用物理学会春季学術講演会, 29p-G7-4, 神奈川, March 29 (2013).
  241. (講演奨励賞受賞講演)中村航太郎,馬場正和,Khan M. Ajmal,Weijie Du,宇佐美徳隆,原康祐,都甲薫,末益崇,
    "BaSi2エピタキシャル膜における不純物拡散係数の評価,"
    第60回応用物理学会春季学術講演会, 29p-G7-1, 神奈川, March 29 (2013).
  242. 章寧,中村航太郎,馬場正和,M.ajmal Khan,Weijie Du,小池信太郎,高部涼太,都甲薫,末益崇,
    "BaSi2エピタキシャル膜におけるⅤ族元素拡散係数の評価,"
    第60回応用物理学会春季学術講演会, 29p-G7-2, 神奈川, March 29 (2013).
  243. 高部涼太,馬場正和,中村航太郎,Ajmal Khan,Weilie Du,小池信太郎,都甲薫,原康祐,宇佐美徳隆,末益崇,
    "MBE法によるn型伝導P-doped BaSi2 膜の作製と評価,"
    第60回応用物理学会春季学術講演会, 29p-G7-3, 神奈川, March 29 (2013).
  244. 馬場正和,中村航太郎,Weijie Du,Khan M.ajimal,都甲薫,連川貞弘,原康介,宇佐美徳隆,末益崇,
    "BaSi2エピタキシャ・渠末撃フ粒界性格の評価,"
    第60回応用物理学会春季学術講演会, 29p-G7-5, 神奈川, March 29 (2013).
  245. 伊藤啓太,佐内辰徳,安富陽子,都甲薫,竹田幸治,齋藤祐児,今井庸二,木村昭夫,末益崇,
    "MBE法によ・闕・サしたエピタキシャルCo3FeN薄膜のXMCD測定,"
    第60回応用物理学会春季学術講演会, 30p-A7-1, 神奈川, March 30 (2013).
  246. 佐内辰徳,伊藤啓太,都甲薫,鹿原和樹,角田匡清,末益崇,
    "MBE法により作製したエピタキシャルCo3FeN薄膜の負のAMR効果,"
    第60回応用・ィ・搖w会・t季学術講演会, 30p-A7-2, 神奈川, March 30 (2013).
  247. 安富陽子,佐内辰徳,伊藤啓太,都甲薫,末益崇,
    "MBE法によるMn4N薄膜の成長,"
    第60回応用物理学会春季学術講演会, 30p-A7-3, 神奈川, March 30 (2013).
  248. 沼田諒平,都甲薫,宇佐美徳隆,末益崇,
    "Si(111)/Al/ガラス構造上におけるBaSi2層の結晶成長と分光感度評価,"
    第60回応用物理学会春季学術講演会, 28p-PB2-6, 神奈川, March 28 (2013).
  249. 中沢宏紀,都甲薫,宇佐美徳隆,末益崇,
    "Al誘起成長Ge薄膜/ガラスに与える Ge/Al 膜厚効果,"
    第60回応用物理学会春季学術講演会, 27p-G20-1, 神奈川, March 27 (2013).
  250. 沼田諒平,都甲薫,宇佐美徳隆,末益崇,
    "過飽和制御Al誘起成長による多結晶Ge/非晶質基板の極低温形成,"
    第60回応用物理学会・t季学術講演会, 27p-G20-2, 神奈川, March 27 (2013).
  251. 沼田諒平,都甲薫,宇佐美徳隆,末益崇,
    "Al誘起成長法によるSi/Al/ガラス構造の低温形成と結晶方位制御,"
    第60回応用物理学会春季学術講演会, 27p-G20-3, 神奈川, March 27 (2013).
  252. 2012年

  253. (invited) 末益 崇、宇佐美徳隆、関口隆史
    " 新しい太陽電池材料BaSi2の可能性,"
    第4回薄膜太陽電池セミナ-, 京都, Oct. 19 (2012).
  254. (invited) 末益 崇、宇佐美徳隆、関口隆史
    " 薄膜太陽電池新材料バリウムシリサイド,"
    金属学会セミナ-, 東京, Oct. 12 (2012).
  255. 都甲 薫,黒澤・ケ志,深・c直樹,齋藤徳・V,吉澤徳子,宇佐美徳隆,宮尾正信,末益 崇,
    "Al誘起成長法によるGe薄膜/ガラスの(111)面方位制御,"
    第72回応用物理学会学術講演会, 13p-J-5, 松山, Sept. 13 (2012).
  256. Khan Muhammad Ajmal,Koutaro Nakamura,Masakazu Baba,Weijie Du,Kaoru Toko,Shintaro Koike,Kosuke Hara O,Noritaka Usami,Takashi Suemasu,
    "Growth & electrical characterizations of B-doped p-BaSi2 layers on Si(111) by molecular beam epitaxy,"
    第72回応用物理学会学術講演会, 14a-F2-1, 松山, Sept. 14 (2012).
  257. 沼田諒平,馬場正和,都甲 薫,宇佐美徳隆,原 康祐,末益 崇,
    "ガラス上BaSi2膜の高配向成長に向けたAl誘起成長Si層の平坦化,"
    第72回応用物理学会学術講演会, 14a-F2-7, 松山, Sept. 14 (2012).
  258. 米山貴裕,渋田見哲夫,松丸慶太郎,都甲 薫,末益 崇
    "スパッタリング法による石英基板上へのBaSi2膜の形成,"
    第72回応用物理学会学術講演会, 14a-F2-6, 松山, Sept. 14 (2012).
  259. 小池信太郎,馬場正和,中村航太郎,Ajmal Khan M,Weijie Du,都甲 薫,末益 崇
    "Si(001)基板上BaSi2エピタキシャル膜の分光感度特性・]価,"
    第72回応用物理学会学術講演会, 14a-F2-5, 松山, Sept. 14 (2012).
  260. 原 康祐,星 裕介,宇佐美徳隆,白木靖寛,中村航太郎,都甲 薫,末益 崇
    "BaSi2エピタキシャル薄膜へのPH3注入及び高温アニール,"
    第72回応用物理学会学術講演会, 14a-F2-4, 松山, Sept. 14 (2012).
  261. 中村航太郎,馬場正和,Khan M. Ajmal,Weijie Du,宇佐美徳隆,原 康祐,都甲 薫,末益 崇
    "BaSi2エピタキシャル膜中のp型不純物原子AlとBの格子拡散および粒界拡散の評価,"
    第72回応用物理学会学術講演会, 14a-F2-3, 松山, Sept. 14 (2012).
  262. 馬場正和,中村航太郎,Du Weijie,Khan Muhammad Ajmal,小池信太郎,都甲 薫,斎藤徳之,吉澤徳子,・F佐・・ソ隆,末益 崇
    "MBE法によるSi(111)上への大粒径BaSi2エピタキシャル薄膜の作製,"
    第72回応用物理学会学術講演会, 12a-F2-2, 松山, Sept. 12 (2012).
  263. 舟瀬芳人,鈴野光史,都甲 薫,末益 崇
    "原子状水素援用MBE法によりエピタキシャル成長したβ-FeSi2薄膜の評価,"
    第72回応用物理学会学術講演会, 13p-F2-6, 松山, Sept. 13 (2012).
  264. 佐内辰徳,伊藤啓太,都甲 薫,末益 崇
    "MBE法により作製した(Co, Fe)4Nエピタキシャル膜の磁気特性評価,"
    第72回応用物理学会学術講演会, 12a-H6-6, 松山, Sept. 12 (2012).
  265. (invited) 都甲薫
    " Al誘起成長法を用いたSi薄膜/ガラスの結晶方位制御,"
    第14回シリサイド系半導体・夏の学校, 三浦, July. 29 (2012).
  266. 末益崇、W.Du, M.A. Khan,馬場正和、中村航太郎、小池信太郎、都甲薫、原康祐、宇佐美徳隆、関口隆史
    " 高効率薄膜太陽電池に向けたシリサイド半導体BaSi2,"
    第31回電子材料シンポジウム, Fr1-18, 伊豆, July. 12 (2012).
  267. 都甲薫、岡田淳史、原康祐、宇佐美徳隆、末益 崇
    " Al誘起成長法を用いた導電膜上におけるSi層の結晶方位制御,"
    第31回電子材料シンポジウム, Th5-10, 伊豆, July. 12 (2012).
  268. "Temperature dependent I-V characteristics of Sb doped n-BaSi2 films on Si(111) grown by MBE and investigation of ohmic contacts,"
    第59回応用物理学関係連合講演会, 16a-E1-6, 東京, March 16 (2012).
  269. 岡田淳史,都甲 薫,宇佐美徳隆,原 康祐,末益 崇
    "下地導電膜の選択によるAl誘起結晶化Si薄膜の(100),(111)方位制御,"
    第59回応用物理学関係連合講演会, 16p-F11-4, 東京, March 16 (2012).
  270. 藤 克昭,小池信太郎,都甲 薫,原 康・S,宇・イ美徳隆・C齋藤徳之,吉澤徳子,末益 崇
    "Si(100)基板上BaSi2薄膜の評価,"
    第59回応用物理学関係連合講演会, 17p-GP17-4, 東京, March 17 (2012).
  271. 米山貴裕,岡田敦史,鈴野光史,渋田見哲夫,松丸慶太郎,都甲 薫,末益 崇
    "スパッタ法によるBaSi2薄膜の形成と評価,"
    第9回応用物理学関係連合講演会, 17p-GP17-3, 東京, March 17 (2012).
  272. 鈴野光史,舟瀬芳人,虫生寛哉,秋山賢輔,都甲 薫,末益 崇
    " Si上大粒径β-FeSi2膜マイクロチャネルエピタキシーのためのマスク種及び試料作製条件の検討,"
    第59回応用物理学関係連合講演会, 17p-GP17-2, 東京, March 17 (2012).
  273. 舟瀬芳人,鈴野光史,都甲 薫,末益 崇
    " 原子状水素援用MBE法により作製したSi基板上β-FeSi2薄膜の電気特性評価,"
    第59回応用物理学関係連合講演会, 16a-E1-6, 東京, March 16 (2012).
  274. 中村航太郎,藤 克昭,馬場正和,K.M. Ajmal,W. Du,都甲 薫,末益 崇
    " MBE法によりエピタキシャル成長したBaSi2膜中の不純物原子の格子・粒界拡散の評価,"
    第59回応用物理学関係連合講演会, 16a-E1-5, 東京, March 16 (2012).
  275. 杜 偉傑,鈴野光史,藤 克昭,馬場正和,中村航太郎,Khan Muhammad Ajmal,都甲 薫,宇佐美徳隆,末益 崇
    " A new growth method for undoped BaSi2 on n+-BaSi2/p+-Si tunnel junction with high photoresponsivity towards high-efficiency thin-film solar cells,"
    第59回応用物理学関係連合講演会, 16a-E1-4, 東京, March 16 (2012).
  276. 原 康祐,宇佐美徳隆,藤 克昭,馬場正和,都甲 薫,末益 崇
    " BaSi2エピタキシャル薄膜のバルク少数キャリア寿命の決定,"
    第59回応用物理学関係連合講演会, 16a-E1-3, 東京, March 16 (2012).
  277. 馬場正和,Karolin Jiptner,藤 克昭,都甲 薫,関口隆史,末益 崇
    " 環境半導体BaSi2 ・フ・居サ性・電気特性評価,"
    第59回応用物理学関係連合講演会, 16a-E1-2, 東京, March 16 (2012).
  278. 原田一範,伊藤啓太,眞壁健司,岡本和晃,都甲 薫,叶  茂,宮本幸司,奥田太一,上田茂典,木村昭夫,末益 崇
    " 光電子分光法を用いたFe3Siの価電子帯スペクトルとスピン偏極度の評価,"
    第59回応用・ィ理・w関係連合講演会, 17a-DP1-2, 東京, March 17 (2012).
  279. 伊藤啓太,原田一範,佐内辰徳,岡本和晃,都甲 薫,上田茂典,今井庸二,宮本幸治,奥田太一,木村昭夫,末益 崇
    " スピン分解光電子分光によるFe4N薄膜の負のスピン分極の観測,"
    第59回応用物理学関係連合講演会, 16a-B4-8, 東京, March 16 (2012).
  280. 佐内辰徳,伊藤啓太,都甲 薫,末益 崇
    " MBE法による強磁性(Fe,Co)4N薄膜のエピタキシャル成長 ,"
    第59回応用物理学関係連合講演会, 161-B4-7, 東京, March 16 (2012).
  281. (invited) 末益 崇、宇佐美徳隆、関口隆史
    " Siベース新材料BaSi2を用いた薄膜結晶太陽電池を目指して,"
    日本学術振興会「エネルギー分野における薄膜技術」第131委員会, Feb. 3 (2012).
  282. 2011年

  283. (invited) 末益 崇、宇佐美徳隆、関口隆史
    " シリサイド半導体pn接合によるSiベース薄膜結晶太陽電池に向けて,"
    日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会, Dec. 20 (2011).
  284. 鄭 美娜,宇佐美徳隆,末益 崇,
    "Al誘起層交換成長によるアモルファスSiの結晶化における界面異種元素の影響, "
    第72回応用物理学会学術講演会, 2a-W-5, 山形, Sept 2, (2011).
  285. 原 康祐,宇佐美徳隆,星 裕介,白木靖寛,鈴野光史,都甲 薫,末益 崇,
    "BF2イオン照射したBaSi2エピタキシャル薄膜の高温アニール, "
    第72回応用物理学会学術講演会, 2a-W-4, 山形, Sept 2, (2011).
  286. 中村航太郎,藤・@克昭・CKhan M.ajmal,Weijie Du・C・ェ田淳史,馬場正和,都甲 薫,末益 崇,
    "MBE法によりエピタキシャル成長したBaSi2膜中のAlの拡散係数評価, "
    第72回応用物理学会学術講演会, 2a-W-3, 山形, Sept 2, (2011).
  287. 馬場正和,Weijie Du,Khan M.ajmal,藤 克昭,岡田淳史,中村航太郎,末益 崇,Karolin Jiptner,関口隆史,
    "EBIC法によるBaSi2薄膜の少数キャリア拡散長評価, "
    第72回応用物理学会学術講演会, 2a-W-2, 山形, Sept 2, (2011).
  288. 藤 克昭,岡田淳史,馬場正和,中村航太郎,都甲 薫,末益 崇,原 康祐,宇佐美徳隆,
    "BaSi2膜のSi(100)基板上へのMBE成長, "
    第72回応用物理学会学術講演会, 2a-W-1, 山形, Sept 2, (2011).
  289. 眞壁健司,鈴野光史,原田一範,末益 崇,秋永広幸,
    "Fe3Si/CaF2ヘテロ構造による微小強磁性共鳴トンネルダイオードの作製, "
    第72回応用物理学会学術講演会, 1p-W-12, 山形, Sept 1, (2011).
  290. 原田一範,眞壁健司,末益 崇,関場大一郎,秋永広幸,
    "Ar+ミリングを用いたFe3Si/CaF2/Fe3Si トンネル磁気抵抗素子の作製, "
    第72回応用物理学会学術講演会, 1p-W-11, 山形, Sept 1, (2011).
  291. 鈴野光史,舟瀬芳人,秋山賢輔,都甲 薫,末益 崇,
    "Si上大粒径β-FeSi2膜マイクロチャネルエピタキシーのための成長条件検討, "
    第72回応用物理学会学術講演会, 1p-W-4, 山形, Sept 1, (2011).
  292. 岡田淳史,都甲 薫,宇佐美徳隆,原 康祐,末益 崇,
    "拡散抑制層が導電膜上のAl誘起結晶化Siの配向面に与える影響, "
    第2回応用物理学会学術講演会, 2p-M-4, 山形, Sept 2, (2011).
  293. 伊藤啓太,原田一範,竹田幸治・C齋藤祐児,都甲 薫,末益 崇,木村昭夫,秋永広幸,
    "MBE法により成長したエピタキシャル強磁性窒化物薄膜のXMCD測定, "
    第72回応用物理学会学術講演会, 30p-ZS-8, 山形, Aug 30, (2011).
  294. (invited) 末益 崇、宇佐美徳隆、関口隆史
    " BaSi2 pn接合による薄膜結晶太陽電池を目指して ,"
    JSTさきがけ「界面の構造と制御」領域研究会, 岡山, June 3-4 (2011).
  295. (invited) 末益 崇
    " シリサイド系太陽電池及びスピントロニクス ,"
    電子情報通信学会シリコン・゙料・デバイス研究会(機能ナノデバイスおよび関連技術), 札幌, February 23,(2011).
  296. 眞壁健司, 鈴野光史, 原田一範, 末益崇,秋永広幸,
    " Fe3Si強磁性量子井戸層を用いた微小RTDの電流電圧特性, "
    第58回応用物理学関係連合講演会, 26p-KU-9, 神奈川, March 26, (2011).
  297. 中村航太郎, 齋藤 隆允, M. Ajmal Khan, Du Weijie, 岡田淳史, 藤 克昭,馬場正和,末益崇,
    " ドーパントの拡散を抑制したp型BaSi2膜のMBE成長,"
    第58回応用物理学関係連合講演会, 27a-KU-4, 神奈川, March 27 (2011).
  298. 藤 克昭,齋藤 隆允,末益崇,
    " 透明基板上へのBaSi2膜のMBE成長と評価,"
    第58回応用物理学関係連合講演会, 27a-KU-5, 神奈川, March 27 (2011).
  299. 原田一範,眞壁健司,末益 崇,秋永広幸,
    " Fe/Fe3Si/CaF2/Fe3Si MTJ構造における磁化の反平行状態の実現,"
    第58回応用物理学関係連合講演会, 26p-KU-10, 神奈川, March 26 (2011).
  300. 伊藤啓太,李根衡,原田一範,叶茂,竹田幸治, 齋藤祐児, 末益崇,木村昭夫,秋永広幸,
    " MBE法により作製したエピタキシャルFe4N薄膜のXMCD測定 ,"
    第58回応用物理学関係連合講演会, 25a-KM-9, 神奈川, March 25 (2011).
  301. Du Weijie, T. Saito, M. Ajmal Khan, K. Nakamura, M. Baba, K. Toh, N. Usami, and T. Suemasu,
    " Molecular beam epitaxy of undoped BaSi2/tunnel junction (n+-BaSi2/p+-Si) structure with reduced Sb diffusion ,"
    第58回応用物理学関係連合講演会, 27a-KU-3, 神奈川, March 27 (2011).
  302. " EBIC法によるBaSi2薄膜の少数キャリア拡散長評価,"
    第58回応用物理学関係連合講演会, 27a-KU-6, 神奈川, March 27 (2011).
  303. 鄭 美娜,有福直樹,岡田 篤,齋藤 隆允,末益 崇,宇佐美徳隆,
    " AIC法による多結晶Si結晶成長におけるAZO層の影響と結晶配向性に関する研究,"
    第58回応用物理学関係連合講演会, 27a-KU-7, 神奈川, March 27 (2011).
  304. 岡田淳史,宇佐美徳隆,笹瀬雅人,末益 崇,
    " 基板および酸化膜層がAIC-Si多結晶薄膜の配向性に与える影響,"
    第58回応用物理学関係連合講演会, 27a-KU-8, 神奈川, March 27 (2011).
  305. カロリン イプトナー,川上英輝,陳君,末益 崇,関口隆,
    " Si基板上にエピ成長したβ-FeSi2薄膜のSEM/EBSD/EBIC評価,"
    第58回応用物理学関係連合講演会, 26a-P7-10, 神奈川, March 26 (2011).
  306. 2010年

  307. M. Jung, A. Okada, T. Saito, T. Suemasu, and N. Usami
    " Study on preferential orientation and effect of Al-doped ZnO layer in polycrystalline silicon growth by aluminum-induced layer exchange method ,"
    応用物理学会結晶工学分科会主催2010年・年末講演会(エレクトロニクスの将来ビジョン ~発展史マップとアカデミックロードマップ~ &若手ポスター発表会), 東京, December 17 (2010).
  308. (invited) 末益 崇
    " 結晶成長クラスターについて ,"
    応用物理学会結晶工学分科会主催2010年・年末講演会(エレクトロニクスの将来ビジョン ~発展史マップとアカデミックロードマップ~ &若手ポスター発表会), 東京, December 17 (2010).
  309. (invited) 末益 崇、宇佐美徳隆
    " シリサイド半導体pn接合に・謔髞末血居サ太陽電池を目指して ,"
    日本学術振興会第125/162委員会研究会(高効率太陽電池の最前線), 伊豆, December 10,11 (2010).
  310. (invited) 末益 崇
    " 環境半導体光デバイス-豊富で安全な資源を用いた光デバイス用半導体の開発 ,"
    第118回微小光学研究会, 東北大学電気通信研究所, December 3 (2010).
  311. (invited) 末益 崇
    " Fe4N, Fe3Siをベースとする共鳴トンネル型スピンフィル・^ーの開発 ,"
    通研共同プロジェクト研究会, 東北大学電気通信研究所, Sepetember 29 (2010).
  312. " 太陽電池用シリコン系結晶の新展開,"
    第71回応用物理学会学術講演会, 16p-NE-2, Sept. 16 (2010).
  313. 李 根衡,伊藤啓太,末益 崇,
    " MBE法によるSi(100)基板上への強磁性体γ'-Fe4のエピタキシャル成長,"
    第71回応用物理学会学術講演会, 17a-NH-14, Sept. 17 (2010).
  314. 眞壁健司,鈴野光史,原田一範,末益 崇,秋永広幸,
    " Fe3Si/CaF2 多層構造による強磁性RTDの電気特性の測定,"
    第71回応用物理学会学術講演会, 17a-NH-13, Sept. 17 (2010).
  315. 原田一範,眞壁健司,末益 崇,秋永広幸,
    " MBE法によるFe3Si/CaF2/Fe3Si MTJ・\造の作製と磁気抵抗効果 ,"
    第71回応用物理学会学術講演会, 17a-NH-12, Sept. 17 (2010).
  316. 阿久津恵一,鈴野光史,川上英輝,末益 崇,
    " 原子状水素援用MBE法によるβ-FeSi2膜のキャリア密度の低減と電気特性評価 ,"
    第71回応用物理学会学術講演会, 17a-NH-5, Sept. 17 (2010).
  317. 川上英輝,鈴野光史,阿久津恵一,陳  君,Karolin Jiptner,関口隆史,末益 崇,
    " MBE法で形成したβ-FeSi2膜のEBICによる拡散長評価,"
    第71回応用物理学会学術講演会, 17a-NH-4, Sept. 17 (2010).
  318. 野村貴仁,浜田典昭,・t島洋紀,末益 崇,
    " 第一原理計算を用いたSi基板上のβ-FeSi2からの発光の解明,"
    第71回応用・ィ理学会学術講演会, 17a-NH-2, Sept. 17 (2010).
  319. 岡田淳史,齋藤隆允,藤 克昭,宇佐美徳隆,笹瀬雅人,末益 崇,
    " BaSi2薄膜太陽電池のためのAZO/SiO2基板上でのAIC法によるSi薄膜配向成長 ,"
    第71回応用物理学会学術講演会, 16p-NH-3, Sept. 16 (2010).
  320. M. Ajmal Khan,・V藤隆允・C藤 克昭,岡田淳史,末益 崇 ,
    " Epitaxial Growth and Electrical Characterization of Cu-doped BaSi2 films on Si(111) by Molecular Beam Epitaxy ,"
    第71回応用物理学会学術講演会, 16p-NH-2, Sept. 16 (2010).
  321. (講演奨励賞受賞講演) 齋藤隆允,M. Ajmal Khan,藤 克昭,岡田淳史,末益 崇,
    " n+-BaSi2/p+-Siトンネル接合上BaSi2膜の分光感度特性評価,"
    第71回応用物理学会学術講演会, 16p-NH-1, Sept. 16 (2010).
  322. 櫻井岳暁,大橋達也,北爪 光,久保田正人,末益 崇,秋本克洋,
    " 鉛フタロシアニン/C60太陽電池における有機緩衝層の役割,"
    第71回応用物理学会学術講演会, 15a-R-7, Sept. 15 (2010).
  323. 伊藤啓太,叶  茂,鈴野光史,原田一範,李 根衡,末益 崇,木村昭夫,秋永広幸,
    " SrTiO3(001)基板上に作製したエピタキシャルFe4N薄膜のXMCD測定,"
    第71回応用物理学会学術講演会, 14p-F-3, Sept. 14 (2010).
  324. 伊藤啓太, 李根衡, 末益崇,
    " MgO(001)基板への高配向強磁性Fe4N薄膜のMBE成長,"
    第57回応用物理学関係連合講演会, 17p-ZH-2, March 17 (2010).
  325. 阿久津恵一, 鈴野光史, 川上英輝, 末益崇,
    " 原子状水素援用MBE法によるβ-FeSi2膜のエピタキシャル成長と特性評価,"
    第57回応用物理学関係・A合講演会, 18p-TM-11, March 18 (2010).
  326. 川上英輝, 鈴野光史, 阿久津恵一, 陳君, 殷福星, 関口隆史, 末益崇,
    " MBE法によるSi基板へのβ-FeSi2膜の成長とEBICによる拡・U長評価,"
    第57回応用物理学関係連合講演会, 18p-TM-11, March 18 (2010).
  327. 鈴野光史, 阿久津恵一, 川上英輝, 秋山賢輔, 末益崇,
    " マイクロチャネルエピタキシー法による大粒径β-FeSi2膜の成長を目指して,"
    第57回応用物理学関係連合講演会, 18p-TM-10, March 18 (2010).
  328. 貞国健司, 鈴野光史, 末益・・ 原田一範, 秋永広幸,
    " Local Epitaxy法を用いたFe3Si/CaF2 多層構造による強磁性RTDの作製,"
    第57回応用物理学関係連合講演会, 18p-TM-6, March 18 (2010).
  329. 藤克昭, 松本雄太, 武石充智, 佐々木亮, 齋藤隆允, 岡田淳史, 末益崇, 宇佐美徳隆,
    " MBE法によるCaF2(111)基板へのBaSi2膜のエピタキシャル成長,"
    第57回応用物理学関係連合講演会, 19p-TN-5, March 19 (2010).
  330. 岡田淳史, 佐々木亮, 松本雄太,武石充智, 齋藤隆允, 藤克昭, 末益崇,
    " BaSi2薄膜太陽電池用<111>Si膜/AZO/SiO2基板およびAZO反射防止膜の形成,"
    第57回応用物理学関係連合講演会, 19p-TN-4, March 19 (2010).
  331. 松本雄太, M. Ajmal Khan, 齋藤隆允, 末益崇,
    " BaSi2を用いたショットキー型太陽電池構造の作製と光学・チ性評価,"
    第57回応用物理学関係連合講演会, 19p-TN-3, March 19 (2010).
  332. 齋藤隆允, 松本雄太, 武石充智, 佐々木亮, 藤克昭, 岡田淳史, 末益崇,
    " n+-BaSi2/p+-Siトンネル接合の形成とBaSi2膜の分光感度特性評価,"
    第57回応用物理学関係連合講演会, 19p-TN-2, March 19 (2010).
  333. 2009年

  334. (invited)末益 崇,鈴野光史, 松本雄太, 佐々木亮, 武石充智, 齋藤隆允
    " シリサイド半導体を用いたSi系薄膜結晶太陽電池を目指して ,"
    東北大多元物質科学研究所 素材工学研究懇談会, 東北大学さくらホール, November 18 (2009).
  335. 阿久・テ恵・黶C鈴野光史,川上英輝,・哩v 崇,
    " MBE法によりエピタキシャル成長したβ-FeSi2膜の分光感度特性の評価,"
    第70回応用物理学会学術講演会, 10a-TH-7, Sept. 10 (2009).
  336. 齋藤隆允,鈴野光史,松本雄太,武石充智,佐々木亮,末益 崇,
    " MBE法によるn+-BaSi2/p+-Si・gンネル接合の形成 ,"
    第70回応用物理学会学術講演会, 10a-TH-18, Sept. 10 (2009).
  337. 松本雄太,武石充智,佐々木亮,齋藤隆允,末益 崇,宇佐美徳隆
    " エピタキシャルBaSi2膜のEBSD測定 ,"
    第70回応用物理学会学術講演会, 10a-TH-17, Sept. 10 (2009).
  338. 武石充智,松本雄太,佐々木亮,齋藤隆允,末益 崇
    " AlドープBaSi2膜の高温アニールと電気特性の評価 ,"
    第70回応用物理学会学術講演会, 10a-TH-16, Sept. 10 (2009).
  339. 佐々木亮,松本雄太,武石充智,斉藤隆允,末益 崇,宇佐美徳隆
    " BaSi2太陽電池を目指したAIC法によるZnO/SiO2基板への(111)配向Si膜の形成と評価 ,"
    第70回応用物理学会学術講演会, 10a-TH-15, Sept. 10 (2009).
  340. 川上英輝,鈴野光史,阿久津恵一,末益 崇
    " MBE法で形成し・スp-β-FeSi2/n-Si(111)ヘテロ界面のDLTSによる欠陥評価 ,"
    第70回応用物理学会学術講演会, 10a-TH-6, Sept. 10 (2009).
  341. 鈴野光史,阿久津恵一,川上英輝,末益 崇,秋山賢輔
    " β-FeSi2単結晶島を成長核とするMOCVD横方向成長を用いた大結晶粒β-FeSi2膜の作製 ,"
    第70回応用物理学会学術講演会, 10a-TH-5, Sept. 10 (2009).
  342. 貞国健司,鈴野光史,末益 崇,秋永広幸
    " 微小領域におけるCaF2/Fe3Si/CaF2 強磁性RTD構造の作製 ,"
    第70回応用物理学会学術講演会, 10a-TH-4, Sept. 10 (2009).
  343. 伊藤啓太,李 根衡,末益 崇,高橋有紀子,宝野和博
    " ECR-NH3を用いた・ュ磁性Fe4N薄膜のエピタキシャル成長 ,"
    第70回応用物理学会学術講演会, 10p-ZE-13, Sept. 10 (2009).
  344. 佐藤具就,近藤康洋,関口隆史,末益 崇
    " MOVPE成長したIn0.80Ga0.20As歪量子井戸の欠陥進展に与えるSbサーファクタント効果 ,"
    第56回応用物理学・ヨ係連合講演会, 2p-J-3, April 2 (2009).
  345. 松本雄太,塚田 大,武石充智,佐々木亮,末益 崇
    " MBE法によるSi(111)基板上エピタキシャルBaSi2膜の分光感度特性 ,"
    第56回応用物理学関係連合講演会, 2a-ZA-5, April 2 (2009).
  346. 佐々木亮,塚田 大,松本雄太,武石充智,斉藤隆允,末益 崇
    " MBE法で形成したBaSi2/S(111)ヘテロ接合の電気特性評価 ,"
    第56回応用物理学関係連合講演会, 2a-ZA-4, April 2 (2009).
  347. 武石充智,塚田 大,松本雄太,佐々木亮,斎藤隆允,末益 崇
    " MBE法によるSi(111)へのAlドープp型BaSi2膜の成長と電気特性の評価 ,"
    第56回応用物理学関係連合講演会, 2a-ZA-3, April 2 (2009).
  348. 齋藤隆允,塚田 大,松本雄太,武石充智,佐々木亮,末益 崇
    " MBE法で形成したBaSi2エピタキシャル膜のウエットエッチングとXPSによる評価 ,"
    第56回応用物理学関係連合講演会, 2a-ZA-2, April 2 (2009).
  349. 塚田 大,松本雄太,武石充智,佐々木亮,齋藤隆允,末益 崇
    " 太陽電池を目指したALILE過程によるSiO2基板への(111)高配向Si膜の形成と評価 ,"
    第56回応用物理学関係連合講演会, 2a-ZA-1, April 2 (2009).
  350. 貞国健司,Teddy Harianto,末益 崇,秋永広幸
    " CaF2/Fe3Si ヘテロ構造を用いた強磁性共鳴トンネル構造の作製と評価 ,"
    第56回応用物理学関係連合講演会, 1p-ZA-16, April 1 (2009).
  351. 川上英輝,小泉朋朗,鈴野光史,佐々木亮,末益 崇
    " DLTS法を用いたβ-FeSi2/Si(111)ヘ・eロ界面におけるSi中・フ欠陥評価 ,"
    第56回応用物理学関係連合講演会, 1p-ZA-6, April 1 (2009).
  352. 楢原明理,伊藤啓太,末益 崇,Ammanabrolu Rajanikanth,高橋有紀子,宝野和博
    " MgO基板上の強磁性窒化鉄Fe4Nを用いたMTJ構造の作製と評価 ,"
    第56回応用物理学関係連合講演会, 1a-Q-23, April 1 (2009).
  353. 2008年

  354. (invited)末益 崇,塚田 大,松本雄太, 佐々木亮, 武石充智
    " シリサイド半導体のエピタキシャル成長とハンドエンジニアリング ,"
    日本学術振興会 結晶成長の科学と技術第161委員会第59回研究会, 東大生産研, December 19 (2008).
  355. (invited)末益 崇,塚田 大,松本雄太
    " シリサイド半導体のバンドギャップエンジニアリング -アルカリ土類金属シリサイドを例に ,"
    第69回応用物理学学術講演会結晶工学分科会・シリサイド系半導体と関連物質研究会共同企画「シリサイド系材料が開く新しい応用技術-結晶工学から斬るシリサイド系材料の可能性-」 シンポジウム, 4p-ZB-3, September 4 (2008).
  356. 貞国健司,Harianto Teddy,末益 崇,秋永広幸
    " MBE法によるCaF2/Fe3Si/CaF2/Fe3Si/CaF2強磁性共鳴トンネル構造の作製 ,"
    第69回応用物理学学術講演会, 4a-ZA-8, September 4 (2008).
  357. Teddy Harianto,貞国健司,末益 崇,秋永広幸
    " 磁気抵抗素子に向けたSi(111)基板上へのFe3Si/CaF2/3MTJ構造のエピタキシャル成長 ,"
    第69回応用物理学学術講演会, 4a-ZA-7, September 4 (2008).
  358. 塚田 大,松本雄太,末益 崇
    " 薄膜太陽電池を目指したAIC基板上へのBaSi2膜の作製 ,"
    第69回応用物理学学術講演会, 4a-ZA-4, September 4 (2008).
  359. 松本雄太,塚田大,末益 崇
    " ショットキー型太陽電池n+-BaSi2/BaSi2/CoSi2/p+-Si構造のMBE成長 ,"
    第69回応用物理学学術講演会, 4a-ZA-3, September 4 (2008).
  360. 楢原明理,末益 崇
    " MgO 基板上への強磁性窒化鉄Fe4N を用いたMTJ 構造の作製 ,"
    第69回応用物理学学術講演会, 4a-Q-7, September 4 (2008).
  361. (invited)末益 崇,・闌エ明理,Teddy Harianto,貞国健司,秋永広幸
    " 強磁性体Fe3Si, Fe-N膜からSiへのスピン注入 ,"
    第69回応用物理学学術講演会「半導体へのスピン注入とデバイス応用への展望」シンポジウム, 3p-CA-4ZR-8, September 3 (2008).
  362. 小泉朋朗,鈴野光史,末益 崇
    " MBE法によるSiGe/β-FeSi2/SiGe(001)構造のエピタキシャル成長と光学特性評価 ,"
    第69回応用物理学学術講演会, 3p-ZR-8, September 3 (2008).
  363. 鈴野光史,小泉朋朗,末益 崇
    " p-Si/β-FeSi2/n-Siダブルヘテロ構造の発光特性に与える界面欠陥の影響 ,"
    第69回応用物理学学術講演会, 3p-ZR-7, September 3 (2008).
  364. (invited) H. Akinaga, F. Takano, H. Shima, T. Suemasu
    " Development of silicon-based spintronic devices,"
    第32回日本磁気学会学術講演会12pB-4, Sept.12 (2008).
  365. 金子将士,末益 崇,木下恭一,依田眞一
    " Traveling Liquidus-Zone(TLZ)法で成長するInGaAsバルク結晶の単結晶化メカニズムの検討(II),"
    第55回応用物理学関係連合講演会, 28p-ZV-12, March 28 (2008).
  366. 大塚照久,末益 崇,Jun Chen,関口隆史
    " 電子線励起電流法によるn-型β-FeSi2 単結晶中の少数キャリア拡散長の評価,"
    第55回応用物理学関係連合講演会, 30a-C-5, March 30 (2008).
  367. 小泉朋朗,村瀬重光・C末益 崇,笹瀬雅人
    " Ne+イオン照射Si(001)基板を用いたp+-Si/p--Si/β-FeSi2/n+-Si(001)構造の作製と光学特性評価,"
    第55回応用・ィ理学関係・A合講演会, 29a-C-19, March 29 (2008).
  368. 鈴野光史、村瀬重光、小泉朋明、末益 崇
    " p+-Si/β-FeSi2/n+-Siダブルヘテロ構造LED発光強度のβ-FeSi2膜厚依存,"
    第55回応用物理学関係連合講演会, 29a-C-18, March 29 (2008).
  369. Teddy Harianto,貞国健司,末益 崇,秋永・L幸
    " 磁気抵抗測定に向けたFe3Si/CaF2/Fe3Si MTJ構造の選択エッチングの検討,"
    第55回応用物理学関係連合講演会, 29a-C-10, March 29 (2008).
  370. Junhua Hu,黒川貴規,高原省吾,板倉 賢,末益 崇,立岡浩一
    " MnCl2ソースを用いて成長したマンガンシリサイド薄膜の構造,"
    第55回応用物理学関係連合講演会, 29a-C-9, March 29 (2008).
  371. 塚田大、市川芳岳、小林道崇、松本雄太、末益 崇
    " BaSi2をベースとする薄膜太陽電池を目指したAIC基板の作製,"
    第55回応用物理学関係連合講演会, 29a-C-6, March 29 (2008).
  372. 松本雄太、末益 崇、小林道崇
    " MBE 法によるSi(111)へのSb ドープn 型BaSi2 膜の成長と電気特性の評価,"
    第55回応用物理学関係連合講演会, 29a-C-5, March 29 (2008).
  373. 市川芳岳、小林道崇,塚田 大,末益 崇,笹瀬雅人
    " ショットキー型太陽電池に向けたBaSi2/CoSi2/Si構造のMBE成長,"
    第55回応用物理学関係連合講演会, 29a-C-4, March 29 (2008).
  374. 楢原明理、末益 崇
    " MBE法によるMgO基板への高配向強磁性窒化鉄Fe4Nの形成,"
    第55回応用物理学関係連合講演会, 27a-A-8, March 27 (2008).
  375. 2007年

  376. 楢原明理、末益 崇
    "Si基板上への窒化物ベースMTJ構造の作製,"
    第68回応用物理学学術講演会, 7a-S-2, Sept.7 (2007).
  377. ハリアント テディ、末益 崇、秋永広幸
    "Si(111) 基板上へのFe3Si/CaF2/Fe3Si MTJ 構造のエピタキシャル成長と磁気特性評価,"
    第68回応用物理学学術講演会, 5p-Q-7, Sept.5 (2007).
  378. 村瀬重光、小泉朋朗、末益 崇
    "Gaドープp+-Si層導入によるp+-Si/β-FeSi2(膜)/n+-Si(001)構造の作製と発光特性評価,"
    第68回応用物理学学術講演会, 5a-Q-7, Sept.5 (2007).
  379. 鈴野光史、宇賀神佑太、村瀬重光、末益 崇
    "n+-epi-FZ-Si(111)基板上へのSi/β-FeSi2/Si(111)ダブルヘテロ構造のMBE成長と発光特性評価,"
    第68回応用物理学学術講演会, 5a-Q-7, Sept.5 (2007).
  380. 市川芳岳、小林道崇、末益 崇、笹瀬雅人
    "MBE法によるショットキー型太陽電池に向けたBaSi2/CoSi2/Si構造のエピタキシャル成長,"
    第68回応用物理学学術講演会, 4p-Q-11, Sept. 4 (2007).
  381. 小林道崇、市川芳岳、末益 崇、笹瀬雅人
    "MBE法による不純物ドープBaSi2膜のエピタキシャル成長と電気特性の評価,"
    第68回応用物理学学術講演会, 4p-Q-10, Sept.4 (2007).
  382. (invited) 末益崇、宇賀神佑太、村瀬重光、鈴野光史
    "シリサイド半導体の結晶成長と赤外発光素子,"
    日本学術振興会第125委員会, May 10, Tsukuba. (2007).
  383. 楢原明理,山口公明,末益 崇
    "Si基板上へのFe3N/AlN/Fe3N三層構造の結晶成長,"
    第54回応用物理学関係連合講演会, 27a-ZT-13, March 27 (2007).
  384. 金子将士,末益 崇,木下恭一,依田眞一
    "Traveling Liquidus-Zone (TLZ) 法で成長するInGaAsバルク結晶の単結晶化メカニズムの検討,"
    第54回応用物理学関係連合講演会, 28a-T-5, March 28 (2007).
  385. 森田康介,末益 崇
    "MBE 法により作製したBaSi2 膜のDLTS 法による欠陥評価,"
    第54回応用物理学関係連合講演会, 29a-P6-26, March 25 (2007).
  386. 市川芳岳,森田康介, 末益 崇
    "MBE法によるショットキー型太陽電池に向けたBaSi2/CoSi2/Si構造の作製と評価,"
    第54回応用物理学関係連合講演会, 29a-P6-25, March 29 (2007).
  387. 小林道崇,森田康介,末益 崇
    "MBE 法によるSi(111)へのIn ドープp 型BaSi2 膜の成長・ニ電気特・ォの評価, "
    第54回応用物理学関係連合講演会, 29a-P6-24, March 29 (2007).
  388. 鈴野光史,宇賀神佑太,末益 崇
    "高純度Feを用いたβ-FeSi2/Si(111)ヘテロ構造のMBE成長と電気特性評価,"
    第54回応用物理学関係連合講演会, 29a-P6-11, March 29 (2007).
  389. 村瀬重光,宇賀神佑太,末益 崇
    "α-FeSi2混入がSi/β-FeSi2(膜)/Si多層構造の発光特性に与える影響の評価,"
    第54回応用物理学関係連合講演会, 291-P6-11, March 29 (2007).
  390. テディ・ハリアント,小林健一,末益 崇,桑野範之,秋永広幸
    "MBE法によるFe3Si/CaF2/Fe3Si/CaF2/Si(111)MTJ構造のエピタキシャル成長と評価,"
    第54回応用物理学関係連合講演会, 29a-P6-1, March 29 (2007).
  391. b>(invited) 末益崇
    シリサイド系β-FeSi2発光材料の可能性,"
    第126回結晶工学分科会研究会「シリコンと発光デバイスの融合」, April 26, 東京(2007).
  392. (invited) 末益崇
    無機エレクトロミネッセンスの発光機構とSi系発光素子の開発,"
    第6回メゾテクノロジーフォーラム「ルミネッセンス研究の新展開」, Mar 9, つくば(2007).
  393. (invited) 末益崇
    "シリサイド系光エミッタの開発,"
    応用物理学会・量子エレクトロニクス研究会「シリコンフォトニクス」, Jan 17, 軽井沢(2007).
  394. 2006年

  395. 末益 崇
    "機能界面への挑戦: ヘテロエピタキ・Vャル成長,"
    第67回応用物理学学術講演会シリサイド系半導体と関連物質研究会合同企画シンポジウム「シリサイド半導体研究10年の進捗, 30p-RD-3, Aug. 30 (2006).
  396. 山口公明,末益 崇
    "AlN及びSiC中間層を用いたSi(111)基板への高配向α-FeのMBE成長,"
    第67回応用物理学学術講演会, 29a-ZK-4, Aug. 29 (2006).
  397. 市川芳岳,森田康介,末益 崇
    "MBE法によるSi(111)基板上へのCuドープBaSi2,"
    第67回応用物理学学術講演会, 1a-RD-2, Sept. 1 (2006).
  398. 小林道崇,森田康介,末益 崇
    "MBE法によるIII族不純物ドープBaSi2膜の成長と評価,"
    第67回応用物理学学術講演会, 1a-RD-1, Sept. 1 (2006).
  399. 宇賀神佑太,末益 崇
    "高純度Feを用いたSi/β-FeSi2/Si(111)ダブルヘテロ構造のMBE成長と発光特性評価,"
    第67回応用物理学学術講演会, 31p-RD-7, Aug. 31 (2006).
  400. 村瀬重光,宇賀神佑太,末益 崇
    "MBE法によるSi/β-FeSi2(膜)/Si(001)多重構造の発光特性評価,"
    第67回応用物理学学術講演会, 31p-RD-6, Aug.31 (2006).
  401. 小林健一,末益 崇,桑野範之,秋永広幸
    "CaF2/Si(111)上に形成したFe3Si薄膜の表面平坦化の検討,"
    第67回応用物理学学術講演会, 1a-RD-9, Sept. 1 (2006).
  402. 森田康介,小林道崇,市川芳岳,才田 守,佐々木正洋,末益 崇
    "MBE法により作製したBaSi2/Siヘテロ構造の電気特性評価,"
    第67回応用物理学学術講演会, 1a-RD-3, Sept. 1 (2006).
  403. (invited) 末益崇、宇賀神佑太、小林健一、村瀬重光
    "シリサイド系光エミッタの開発,"
    日本・w術振興会第165委員会, July 21, Tokyo. (2006).
  404. 森田康介、小林道崇、末益崇
    "MBE法による石英基板へのBa1-xSrxSi2薄膜の成・キと光吸収特性の評価,"
    第53回応用物理学関係連合講演会, 26a-C-10, March 26. (2006).
  405. 宇賀神佑太、春原剛、末益崇
    "MBE法によるSi/β-FeSi2/Si(111)ダブルへテロ構造作製におけるテンプレート成長温度の検討,"
    第53回応用物理学関係連合講演会, 25p-D-4, March 25. (2006).
  406. 春原剛、村瀬重光、末益崇
    "MBE法によるSi(001)へのSi/β-FeSi2(膜)/Si多重構造の作製と発光特性の評価,"
    第53回応用物理学関係連合講演会, 25p-D-3, March 25. (2006).
  407. 小林健一、末益崇、桑野範之、原大輔、秋永広幸
    "MBE法によるFe3Si/CaF2/Fe3Si/CaF2/Si(111)TMR構造の作製,"
    第53回応用物理学関係連合講演会, 25p-D-2, March 25. (2006).
  408. 山口公明、由井達哉、市川芳岳、末益崇
    "AlN/SiC中間層を用いたSi(111)基板への強磁性Fe3NのMBE成長,"
    第53回応用物理学関係連合講演会, 22a-ZM-1, March 22. (2006).
  409. (invited) 末益崇、春原剛、宇賀神佑太、小林健一
    "シリサイド系エミッタに関する最近の動向,"
    第53回応用物理学関係連合講演会, シンポジウム(シリコン光エミッタ), 24p-D-2, March 24. (2006).
  410. 2005年

  411. 末益 崇
    "半導体シリサイドの応用,"
    第8回シリサイド系半導体研究会, Tokushima, Sept. 12. (2005).
  412. 由井達哉,山口公明,末益 崇
    "AlN 中間層を用いたMBE 法によるSi(111)基板上への窒化鉄成長,"
    第66回応用物理学会学術講演会, 10p-ZQ-19, Sept. (2005).
  413. 森田康介,猪俣裕哉,末益 崇
    "石英基板上に成長したBaSi2薄膜・フ光吸収特性の評価,"
    第66回応用物理学会学術講演会, 11a-S-7, Sept. (2005).
  414. 小林健一,春原 剛,馬田直和,柳原英人,喜多英治,秋永広幸,末益 崇
    "MBE・@によるFe3Si/CaF2/Si(111) MIS構造のエピタキシャル成長,"
    第66回応用物理学会学術講演会, 10p-S-10, Sept. (2005).
  415. 春原 剛,小林健一,末益 崇
    "buffer層を導入したSi/β-FeSi2(膜)/Si(001)ダブルヘテロ構造の作製,"
    第66回応用物理学会学術講演会, 10p-S-8, Sept. (2005).
  416. 宇賀神_佑太,・t原 剛,末益 崇
    "Si(111)上に形成したβ-FeSi2/Siダブルヘテロ構造におけるpn接合の検討,"
    第66回応用物理学会学術講演会, 10p-S-7, Sept. (2005).
  417. 若山貴行,末益 崇,金澤朋実,秋永広幸
    "β-FeSi2の誘導結合型プラズマによる反応性イオンエッチング,"
    第66回応用物理学会学術講演会, 10a-S-11, Sept. (2005).
  418. 高氏基喜,宇賀神佑太,末益 崇
    "Si/β-FeSi2/Si(111)ダブルへテロ構造LEDにおけるEL特性のアニール温度依存性,"
    第52回応用物理学関係連合講演会, 31p-YC-4, March (2005).
  419. 山口公明、冨岡弘幸、由井達哉、末益崇
    "Si基板上への強磁性窒化物(Fe3N)のMBE成長,"
    第52回応用物理学関係連合講演会, 29a-YD-7, March (2005).
  420. 春原 剛,小林健一,高氏基喜,末益 崇
    "Si/β-FeSi2(膜)/Si(001)ダブルへテロ構造の作製とPL特性,"
    第52回応用物理学関係連合講演会, 31p-YC-5, March (2005).
  421. 猪俣裕哉,森田康介,末益 崇
    "石英基板上へのBaSi2薄膜の形成と光吸収特性の評価,"
    第52回応用物理学関係連合講演会, 31p-YC-13, March (2005).
  422. 猪俣裕哉,森田康介,末益 崇
    "Si基板上にエピタキシャル成長したBaSi2膜の電気特性,"
    第52回応用物理学関係連合講演会, 31p-YC-14, March (2005).
  423. (invited) 末益崇
    "シリコンナノフ・Hトニクスへの期待,"
    電子情報通信学会総合大会 シンポジ・Eム"次世・繝iノ技術と情報通信"March 23, 大阪大学 (2005).
  424. 2004年

  425. (invited) 末益崇
    "シリコンフォトニクスを目指したシリサイド半導体のエピタキシャル成長とデバイス作製, "
    Nov.22, 岡山理科大学 (2004).
  426. (invited) 末益崇、長谷川文夫,
    "鉄シリサイド系材料の開発と赤外発光素子への応用, "
    理研シンポジウム, Nov.5, 理化学研究所 (2004).
  427. (invited) 末益崇、長谷川文夫,
    "半導体シリサイドのエピタキシャル成長と光デバイスへの応用, "
    日本学術振興会第154委員会, Oct25, 東京 (2004).
  428. 高氏基喜、末益崇、長谷川文夫
    "MBE法によるSi/β-FeSi2/Si(111)ダブルへテロ構造LEDの作製,"
    第65回応用物理学会学術講演会, 2a-P4-5, September (2004).
  429. 春原剛、高氏基喜、末益崇、長谷川文夫,
    "β-FeSi2を多層化したp-Si/β-FeSi2(粒)/n-SiLEDの発光特性のアニール温度依存性,"
    第65回応用物理学会学術講演会, 2a-P4-3, Sept.(2004).
  430. 猪俣裕哉、伊澤孝昌、末益崇、長谷川文夫,
    "MBE法によるSi(111)基板上への半導体Ba1-xSrxSi2膜のエピタキシャル成長と評価,"
    第65回応用物理学会学術講演会, 2a-P4-26, Sep (2004).
  431. 冨岡弘幸、山口公明、由井達哉、吉崎亮三、末益崇、長谷川文夫、
    "NH3-MBEによって成長したCrドープGaNの磁気特性,"
    第65回応用物理学会学術講演・・ 1a-ZD-3, Sept. (2004).
  432. 由井達哉、山口公明、冨岡弘幸、末益崇、長谷川文夫,
    "CrドープGaNの電気特性の温度依存性,"
    第65回応用物理学会学術講演会, 1a-ZD-4, Sept. (2004).
  433. (Plenary) H.Hasegawa and T.Sueamsu,
    "Ecological Semiconductors for Light Emitting Devices: silicides and nitrides,"
    The 23th Electronic Materials Symposium, Izu-Nagaoka, A1, July (2004).
  434. (invited) 末益崇、長谷川文夫,
    "半導体シリサイドのエピタキシャル成長と光デバイスへの応用, "
    日本結晶成長学会, May28, 信・B大学 (2004).
  435. 末益崇、高氏基喜、高倉健一郎、長谷川文夫,
    "鉄シリサイド薄膜の伝導制御--ストイキオメトリー制御及び鉄との置換による不純物ドープ,"
    第5回応用物理学会シリサイド系半導体研究会,明治大学, Apirl 1 (2004).
  436. T.Yui, K.Yamaguchi, H.Tomioka, T.Suemasu, K.Ando, R.Yoshizaki and F.Hasegawa,
    "Disagreement between ferromagnetic SQUID data and paramagnetic MCD data in Cr-doped GaN films by MOMBE,"
    submitted to The 23th Electronic Materials Symposium, Izu-Nagaoka, H20, July (2004).
  437. Y.Inomata, T.Suemasu, T.Izawa and F.Hasegawa,
    "Molecular Beam Epitaxy of Si-Based Ternary Alloy Semiconductor Ba1-xSrxSi2 Films on Si(111) Substrates,"
    submitted to The 23th Electronic Materials Symposium, Izu-Nagaoka, B3, July (2004).
  438. 鈴木未生、末益崇、長谷川文夫,
    "GaN HVPE成長におけるGaAs基板耐性へのHF処理の影響,"
    第51回応用物理学関係連合講演会, 29p-YK-10, March (2004).
  439. 山口公明、冨岡弘幸、由井達哉、安藤功兜、来栖和弘、末益崇、長谷川文夫,
    "磁気円ニ色性によるCrドープGaN薄膜の磁化特性評価,"
    第51回応用物理学関係連合講演会, 30a-ZK-5, March (2004).
  440. 今井基晴、名嘉節、仲間隆男、末益崇,
    "SrSi2の電気伝・ア度測定,"
    第51回応用物理学関係連合講演会, 30p-R-12, March (2004).
  441. 来栖和弘、森嘉久、財部健一、猪俣裕哉、末益崇、長谷川文夫,
    "高圧力下におけるBaSi2半導体・フ光学・z収,"
    第51回応用物理学関係連合講演会, 30p-R-8, March (2004).
  442. 斉藤竜舞、末益崇、長谷川文夫,
    "格子整合した歪Si(001)上への β-FeSi2 連続膜のMBE成長,"
    第51回応用物理学関係連合講演会, 30p-R-6, March (2004).
  443. C.Li, Y.Ozawa, T.Sunohara, T.Suemasu and F.Hasegawa,
    "Anomalous temperature dependence of EL from a Si-based LED with β-FeSi2 active region,"
    第51回応用物理学関係連合講演会, 30p-R-5, March (2004).
  444. 小澤由規、李成、春原剛、末益崇、長谷川文夫
    " β-FeSi2の多層化によるSi/β-FeSi2(粒)/Si構造からの発光強度の増大,"
    第51回応用物理学関係連合講演会, 30p-R-4, March (2004).
  445. 高氏基喜、末益崇、長谷川文夫
    "MBE法で作製したSi/β-FeSi2/Si(111)ダブルへテロ構造からの発光特性,"
    第51回応用物理学関係連合講演会, 30p-R-3, March (2004).
  446. 末益崇、高氏基喜、李成、小澤由規、長谷川文夫、市田正夫
    "MBE法で作製したSi/β-FeSi2/Si構造の時間分間PL特性,"
    第51回応用物理学関係連合講演会, 30p-R-2, March (2004).
  447. 2003年

  448. (invited)末益崇、長谷川文夫
    "鉄シリサイドのエピタキシャル成長と光デバイスへの応用,"
    第3回OEIC・光インターコネクション技術懇談会, 東京 (2003) Oct.7.
  449. T.Saito, N.Seki, T.Suemasu and F.Hasegawa,
    "Growth of highly [100]-oriented β-FeSi2 continuous films on lattice-matched Si substrates by molecular beam epitaxy,"
    The 22th Electronic Materials Symposium, C3, Shiga, July 2, 2003.
  450. Y.Ozawa, T.Ohtsuka, Cheng p, T.Suemasu and F.Hasegawa,
    "Influence of the size of β-FeSi2/particles on the 1.5 μm PL from Si/β-FeSi2 particles/Si strucutures,"
    The 22th Electronic Materials Symposium, G7, Shiga, July 3, 2003.
  451. 山口公明、冨岡弘幸、末益崇、長谷川文夫、
    "CrドープGaN膜の磁化特性の成長温度依存性,"
    第64回応用物理学会学術講演会, 31p-ZL-15, Sept. (2003).
  452. 鈴木未生、山口公明、冨岡弘幸、末・v崇、長谷川文夫、
    "Si(111)基板上へのHVPE GaN成長によるGa1-xSixNy層の発生と成長層の評価,"
    第64回応用物理学会学術講演会, 2a-H-3, Sept. (2003).
  453. 冨岡弘幸、山口公明、左右田龍太郎、末益崇、長谷川文夫、
    "Si(111)基板上MOMBE-GaNの極性の原料供給順序依存性,"
    第64回応用物理学会学術講演会, 2a-H-9, Sept. (2003).
  454. 小澤由規、李成、末益崇、長谷川文夫、
    "Si/β-FeSi2(粒)/Si構造における発光強度の埋め込みSi成長速度依存性,"
    第64回応用物理学会学術講演会, 1p-ZB-13, Sept. (2003).
  455. 高氏基喜、関直貴、末益崇、長谷川文夫、
    "MBE法で作製したSi/β-FeSi2/Si(111)構造からのPL発光特性,"
    第64回応用物理学会学術講演会, 1p-ZB-12, Sept. (2003).
  456. 木下恒平、今泉亮、中嶋薫、鈴木基史、木村健二、末益崇、長谷川文夫・A
    "RDE法によって作製したFe-Si薄膜の高分解能RBS分析,"
    第64回応用物理学会学術講演会, 1p-ZB-9, Sept. (2003).
  457. 猪俣裕哉、中村智之、末益崇、長谷川文夫、
    "MBE法によるSi(111)基板上への半導体BaSi2薄膜のエピタキシャル成長,"
    第64回応用物理学会学術講演会, 1p-ZB-8, Sept. (2003).
  458. (invited) 末益崇、長谷川文夫
    "直接遷移型半導体β-FeSi2の研究の現状と展望、"
    大阪電気通信大学 学術フロンティア推進プロ・Wェクトシンポジウム (2003) March 5.
  459. 山口公明、冨岡弘幸、佐藤具就、左右田龍・セ郎、末益崇、長谷川文夫、
    "Si(111)基板上に成長したGaN・フ極性のAlN膜厚依存性,"
    第50回応用物理学関係連合講演会, 29p-ZH-20, March (2003).
  460. 鈴木未生、佐藤具就、山口公明、宮本千聡、末益崇、長谷川文夫
    "MBE GaN/AlN/Si(111)基板上への HVPE GaN厚膜成長における Ga1-xSixNy/金属 Ga/Si層の発生,"
    第50回応用物理学関係連合講演会, 29p-ZH-20, March (2003).
  461. 山口公明、冨岡弘幸、末益崇、長谷川文夫、
    "ガスソースMBE法によるCrドープGaN膜の室温強磁性特性,"
    第50回応用物理学関係連合講演会, 29p-ZH-20, March (2003).
  462. 秋山賢輔、木村武、大屋誠志郎、小沼誠司、末益崇、長谷川文夫、舟窪浩、
    "RDE法による(100)配向状 β-FeSi2の初期層を用いてMOCVD合成した β-FeSi2膜のPL発光,"
    第50回応用物理学関係連合講演会, 29p-ZD-6, March (2003).
  463. 櫻又英憲、財部健一、末益崇、長谷川文夫、
    "Si中のRDE法によるボール状 β-FeSi2のフォトルミネッセンス,"
    第50回応用物理学関係連合講演会, 29p-ZD-10, March (2003).
  464. C.Li, T.Ohtsuka, Y.Ozawa, T.Suemasu and F.Hasegawa、
    "Temperature dependence of EL from p-Si/β-FeSi2particles/n-SiLEDs,"
    第50回応用物理学関係連合講演会, 29p-ZD-9, March (2003).
  465. 関直貴、高氏基喜、末益崇、長谷川文夫、
    "p-Si/β-FeSi2粒/n-Si構造における発光強度のp-Siキャップ層依存性,"
    第50回応用物理学関係連合講演会, 29p-ZD-8, March (2003).
  466. 中村智之、猪俣裕哉、末益崇、長谷川文夫、
    "RDE法によるSi(111)基板上への半導体BaSi2薄膜のエピタキシャル成長,"
    第50回応用物理学関係連合講演会, 29p-ZD-3, March (2003).
  467. 関直貴、高氏基喜、末益崇、長谷川文夫、
    "MBE法によりSi(111)基板上に作製した高・z向 β-FeSi2薄膜の電気特性,"
    第50回応用物理学関係連合講演会, 29p-ZD-2, March (2003).
  468. 2002年

  469. 佐藤具就、鈴木未生、左右田龍太郎、末益崇、長谷川文夫、
    "HVPE-GaN buffer層の膜質・極性に与える下地基板及び成長前処理の影響,"
    第63回応用物理学会学術講演会, 24a-YH-2, Sept. (2002).
  470. 鈴木未生、佐藤具就、左右田龍太郎、末益崇、長谷川文夫、
    "GaAs(111)基板上HVPE-GaN buffer・wに与える基板処理の影響,"
    第63回応用物理学会学術講演会, 24a-YH-1, Sept. (2002).
  471. 木村武、秋山賢輔、高橋健治、金子智、大屋誠志郎、小沼誠司、末益崇、長谷川文夫、舟窪浩、
    " β-FeSi2 初期層を用いたSi(100)及びSi(111)基板上への β-FeSi2薄膜のMOCVD合成,"
    第63回応用物理学会学術講演会, 26p-ZC-17, Sept. (2002).
  472. C.Li, T.Suemasu, T.Ohtsuka, Y.Ozawa, Y.Negishi and F.Hasegawa,
    "Current-Voltage characteristics of Si based LED withβ-FeSi2 active region,"
    第63回応用物理学会学術講演会, 27a-ZC-6, Sept. (2002).
  473. 大塚隆史、小澤由則、根岸洋一郎、李成、末益崇、長谷川文夫、
    "Si/β-FeSi2粒/Si構造における 1.5 μm PL強度の β-FeSi2サイズ依存性,"
    第63回応用物理学会学術講演会, 27a-ZC-5, Sept. (2002).
  474. 中村智之、末益崇、長谷川文夫、
    "Si(111)上へのRDE法によるBaSi2薄膜成長と光吸収特性,"
    第63回応用物理学会学術講演会, 27a-ZC-3, Sept. (2002).
  475. 関直貴、末益崇、長谷川文夫、
    "Si(111)上へのβ-FeSi2薄膜のMBE成長,"
    第63回応用物理学会学術講演会, 26p-ZC-16, Sept. (2002).
  476. 齋藤竜舞、末益崇、長谷川文夫、山口健志、水嶋一樹,
    "MBE法による格子整合Si(001)上への[100]配向 β-FeSi2薄膜の成長,"
    第63回応用物理学会学術講演会, 26p-ZC-15, Sept. (2002).
  477. N.Seki, K.Takakura, T.Suemasu and F.Hasegawa,
    "Growth of [110]-Oriented β-FeSi2 Thin Films on Si(111) Substrates by Si/Fe Co-deposition, "
    the 21st Electronic Materials Conference, F3 (2002) June 20, Izu-nagaoka, Japan.
  478. M.Suzuki, T.Sato, M.Namerikawa, R.Souda, T.Suemasu and F.Hasegawa,
    "Comparison between GaN Buffer Layers Grown by HVPE on GaAs(111) and Sapphire Substrates,"
    the 21st Electronic Materials Symposium , B7 (2002) June 19, Izu-nagaoka, Japan.
  479. O.Takahashi, K.Yamaguchi, R.Souda, T.Suemasu and F.Hasegawa.
    "polarity and crystallinity of GaN grown on GaAs(111)B by NH3 MBE,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., Kanagawa, 28p-ZM-12, Mar. 2002.
  480. O.Takahashi, K.Yamaguchi, R.Souda, T.Suemasu and F.Hasegawa,
    "Growth and polarity of AlN and GaN/AlN grown on GaAs(111) using NH3-MBE,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., Kanagawa, 28p-ZM-27, Mar. 2002.
  481. 根岸洋一郎、大塚隆史、小澤由則、末益崇、長谷川文夫、
     " β-FeSi2およびSi中のD1欠陥からの1.5μm帯PLの温度依存性,"
     第49回応用物理学関係連合講演会30a-p11-11, March(2002).
  482. 大塚隆史、根岸洋一郎、小澤由則、末益崇、長谷川文夫、
     "Si/β-FeSi2 粒/Si 構造の1.5 μm帯PL発光強度のウエハー面内不均一性,"
     第49回応用物理学関係連合講演会30a-p11-10, March ( 2002).
  483. 関直貴、高倉健一郎、末益崇、長谷川文夫、
     "Si(111)基板上へのSi/Fe同時蒸着法による[110]配向 β-FeSi2 連続膜の作製,"
     第49回応用物理学関係・A合講演会, 30a-p11-9, March (2002).
  484. 中村智之、高倉健一郎、末益崇、若原昭浩、今井基晴、長谷川文夫,
     "新しい半導体BeSi2の光吸収・電気特性による禁制帯幅の評価,"
     第49回応用物理学関係連合講演会, 29p-V-14, March (2002).
  485. 2001年

  486. 根岸洋一郎、大塚隆史、高倉健一郎、知京豊裕、末益崇、長谷川文夫、
    "Si/ β-FeSi2球/Si構造からの赤外発光と歪みの関係,"
    第62回応用物理学会学術講演会, Aichi, 12p-YA-2, Sept. 2001。
  487. 関直貴、高倉健一郎、末益崇、長谷川文夫、
    "MBE成長・ui質β-FeSi2連続膜のSi/Fe比による伝導型制御,"
    第62回応用物理学会学術講演会, 12p-YA-3, Aichi, Sept. 2001
  488. O.Takahashi, R.Souda, T.Suemasu and F.Hasegawa,
    "Dependence of Al-flux on the polarity of 5nm GaN/10nm AlN grown on GaAs(111),"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 11a-Q-3, Aichi, Sept. 2001.
  489. T.Sato, M.Namerikawa, O.Takahashi, R.Souda, T.Suemasu and F.Hasegawa,
    "The effect of the pretreatment and anneapng on the quapty of the GaN buffer layer on GaAs(111),"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys.,11a-Q-1, Aichi, Sept. 2001.
  490. 広井典良、関直貴、高倉健一郎、末益崇、長谷川文夫、
    "MBE法及び同時蒸着法による高品質β-FeSi2連続膜の作製と評価,"
    第48回応用物理学・・ヨ係連合講演会, 28p-G-2, Tokyo, March. 2001.
  491. 高倉健一郎、広井典良、末益崇、秩父重英、長谷川文夫、
    "[100]配向高品質 β-FeSi2 連続膜の吸収特性, "
    第48回応用物理学会関係連合講演会, 28p-G-3, Tokyo, March. 2001.
  492. 寺西良太、老沼純、森嘉久、財部健一、末益崇、長谷川文夫、秩父重英、
    "β-FeSi2 半導体の高圧下における光吸収特性II,"
    第48回応用物理学会関係連合講演会, 28p-G-4, Tokyo, March. 2001.
  493. 根岸洋一郎、大塚隆史、高倉健一郎、末益崇、長谷川文夫、
     "低抵抗基板を用いたp-Si/ β-FeSi2 球/n-Si 構造LEDの作製とその発光特性,"
    第48回応・p物理学会関係連合講・演・ 28p-G-6 , Tokyo, March. 2001.
  494. 2000年

  495. 広井典良、末益崇、高倉健一郎、根岸洋一、長谷川文夫、
    "ITOをキャップ層としたFe/Si multilayer法 β-FeSi2 連続膜の作製,"
    第61回応用物理学会学会学術講演会, 5p-ZN-1, Hokkaido, Sept. 2000.
  496. 根岸洋一郎、末益崇、高倉健一郎、広井典良、長谷川文夫、
    "Si/β-FeSi2 球/Si構造からの赤外PL強度の基板種類依存性, "
    第61回応用物理学会学会学術講演会, 5p-ZN-14, Hokkaido, Sept. 2000.
  497. 高倉健一郎、末益崇、長谷川文夫、
    "高品質高配向 β-FeSi2 連続膜の高温伝導特性, "
    第61回応用物理学会学会学術講演会, 5p-ZN-16, Hokkaido, Sept. 2000.
  498. T.Nakayama, M.Namerikawa, O.Takahashi, T.Suemasu and F.Hasegawa,
    "Effect of AlN buffer layer on HVPE/MOMBE hybrid grown GaN on SiO2 substrates,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 5a-Y-5, Hokkaido, Sept. 2000.
  499. O.Takahashi, T.Nakayama, R.Souda, T.Suemasu and F.Hasegawa,
    "Difference of cyrstallinity and polarity for GaN and AlGaN grown on GaAs(111)A, B,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 7a-H-5, Hokkaido, Sept. 2000.
  500. T.Suemasu and F.Hasegawa,
    "Fabrication of high mobility β-FeSi2 films and infrared LEDs on Si(001) by reactive deposition epitaxy,"
    the Japan-UK joint workshop on Kankyo-semiconductors, III-2, Tsukuba, August, 2000.
  501. N.Hiroi, K.Takakura, T.Suemasu and F.Hasegawa,
    "Growth of highly [100]-oriented β-FeSi2 continuous films on Si(001) from Si/Fe multilayers with capping and epitaxial templates,"
    the Japan-UK joint workshop on Kankyo-semiconductors, p16, Tsukuba, August, 2000.
  502. K.Takakura, T.Suemasu, Y.Ikura and F.Hasegawa,
    "Growth of high-quality β-FeSi2 continuous films and control of its conduction type by Si/fe ratios,"
    the Japan-UK joint workshop on Kankyo-semiconductors, p17, Tsukuba, August, 2000.
  503. Y.Negishi, T.Suemasu, N.Hiroi, K.Takakura and F.Hasegawa,
    "Si MBE growth temperature dependence of photoluminescence from Si/β-FeSi2 balls/Si structure and realization of electroluminescence nealy at RT,"
    the Japan-UK joint workshop on Kankyo-semiconductors, p18, Tsukuba, August, 2000.
  504. Y.Iikura, Y.Negishi, T.Suemasu, K.Takakura and F.Hasegawa,
    "Growth temperature dependence of infrared PL from Si/ β-FeSi2 balls/Si structures,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 30-a-YC-7, Tokyo, March, 2000.
  505. H.Honda, A.Kinoshita, H.Hirai, M.Kusaka, M.Iwami, T.Suemasu and Y.Maeda,
    "Evaluation of β-FeSi2/Si system by SXES,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 30a-YC-9, Tokyo, March. 2000.
  506. K.Takakura, Y.Ikura, T.Suemasu and F.Hasegawa,
    "Control of the conduction type of nondoped β-FeSi2 continuous films by changing Si/Fe ratios,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 30a-YC-10, Tokyo, March 2000.
  507. 1999年

    "Improvement of infrared PL from Si/β-FeSi2 balls/Si structures by high temperature annelaing,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 4p-ZN-1, Hyogo, Sept. 1999.
  508. N.Hiroi, T.Suemasu, K.Takakura, Y.Iikura and F.Hasegawa,
    "Fabrication of large-sizeβ-FeSi2 films by Si/Fe multilayer method using β-FeSi2 templates,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 4p-ZN-2, Hyogo, Sept. 1999.
  509. K.Takakura, N.Hiroi, T.Suemasu and F.Hasegawa,
    "Hall measurements of highly oriented and continuous β-FeSi2 films on Si(001) prepared by Fe/Si multilayer method,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 4p-ZN-3, Hyogo, Sept. 1999.
  510. Y.Iikura, T.Suemasu, K.Takakura and F.Hasegawa,
    "Improvement of the crystal quapty of RDE-grown β-FeSi2 films by anneapng,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 4p-ZN-4, Hyogo, Sept. 1999.
  511. T.Nakayama, M.Sasaki, T.Suemasu and F.Hasegawa,
    "The effect of AlN buffer layer using MMHy for GaN growth on GaAs substrate,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 2p-V-3, Hyogo Sept. 1999.
  512. M.Minami, M.Namerikawa, T.Suemasu and T.Hasegawa,
    "The growth of thick hexagonal GaN on GaAs(111) substrate at high temperatures by HVPE,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 2p-V-9, Hyogo, Sept. 1999.
  513. Y.Iikura, T.Suemasu, K.Takakura and F.Hasegawa,
    "Dependence of β-FeSi2 aggregation on the anneapng atmosphere and temperature,"
    the 18th Electronic Materials Symposium , B4, Kii-Shirahama, June, 1999.
  514. T.Suemasu, Y.Iikura, K.Takakura and F.Hasegawa,
    "Enhancement of 1.5μm PL emission from single-crystalpne β-FeSi2 balls in Si by high temperature anneapng,"
    the 18th Electronic Materials Symposium, B5, Kii-Shirahama, June, 1999.
  515. M.Sakai, T.Suemasu and F.Hasegawa,
    "Temperature and beam flux dependence of GaAs thermal-cleaning with Trisdimethylamino-arsine,"
    the 18th Electronic Materials Symposium , I5, Kii-Shirahama, June, 1999.
  516. N.Hiroi, T.Fujii, K.Takakura, Y.Iikura, T.Suemasu and F.Hasegawa,
    "Growth of β-FeSi2 layer o Si(001) by Fe/Si multilayer method,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 29p-ZF-9, Tokyo, March. 1999

  517. K.Takakura, T.Suemasu, A.Kawamitsu, T.Fujii and F.Hasegawa,
    "Transport properties of a Mn-doped β-FeSi2 layer grown by RDE,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 29p-ZF-10, Tokyo, March 1999.
  518. 1998年

  519. S.Yonemura, H.Tsuchiya, M.Sasaki, T.Suemasu, and F.Hasegawa,
    "Comparison between GSMBE-GaN on GaAs(001) and on GaAs(111)B,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., , Hiroshima, Sept. 1998.
  520. M.Sakai, S.Yonemura, H.Tsuchiya, T.Suemasu, and F.Hasegawa,
    "Measurement of hexagonal GaN included in cubic GaN by pole figure and scan XRD method,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., , Hiroshima, Sept. 1998.
  521. T.Fujii, T.Suemasu, K.Takakura, Y.Iikura and F.Hasegawa,
    "Deep Defect Levels Introduced in the Si/ β-FeSi2/Si Structure,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., , Hiroshima, Sept. 1998.
  522. K.Takakura, T.Suemasu, Y.Kumagai and F.Hasegawa,
    "Lowering of the temperature for smoothening Si(001) surface with atomic hydrogen,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., , Hiroshima, Sept. 1998.
  523. K.Takakura, T.Suemasu, A.Kawamitsu, T.Fujii, Y.Iikura and F.Hasegawa,
    "Growth of Mn added β-FeSi2 Layers grown by RDE and its Magnetic porperties,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., , Hiroshima, Sept. 1998.
  524. Y.Iikura, T.Suemasu, K.Takakura, T.Fujii, and F.Hasegawa,
    "Change of β-FeSi2 surface morphology by anneapng conditions,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., , Hiroshima, Sept. 1998.
  525. T.Suemasu, K.Takakura, M.Tanaka, T.Fujii, Y.Iikura and F.Hasegawa,
    "Magnetotransport Study of Single-Crystalpne β-FeSi2 Layers on Si(001),"
    the 17th Electronic Materials Symposium , C2, Izunagaoka, July 8, 1998.
  526. T.Fujii, T.Suemasu, M.Tanaka, K.Takakura and F.Hasegawa,
    "Fabrication of p-Si/β-FeSi2/n-Si Diodes and their Electrical properties,"
    the 17th Electronic Materials Symposium, C3, Izunagaoka, July 8, 1998.
  527. K.Sunaba, H.Tsuchiya, M.Minami, T.Suemasu, and F.Hasegawa,
    "Influence of autodoping As on photoluminescence property and crystalpnity of GaN/GaAs(001) grown by HVPE,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 29a-Zp-11, Hachiouji, Mar. 1998.
  528. M.Sakai, S.Yonemura, T.Yaguchi, H.Tsuchiya, T.Suemasu, and F.Hasegawa,
    "GaN MOMBE growth using tBHy as a nitrogen source,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 29p-Zp-6, Hachiouji, Mar. 1998.
  529. S.Yonemura, M.Sakai, T.Yaguchi, H.Tsuchiya, T.Suemasu, and F.Hasegawa,
    "Cubic component and inpurities of MOMBE-GaN layers: dependence on ECR plasma gun structure(II),"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 29p-Zp-7, Hachiouji, Mar. 1998.
  530. T.Fujii, T.Suemasu, M.Tanaka, K.Takakura, T.Endoh and F.Hasegawa,
    "Electrical Characteristics of p-Si/β-FeSi2 /n-Si Double Hetero Structures,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 29p-p-18, Hachiouji, Mar. 1998.
  531. T.Suemasu, M.Tanaka, T.Fujii, K.Takakura and F.Hasegawa,
    "RDE Growth of Si/β-FeSi2/Si Structure and its Optical and Magnetic properties,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 28p-ZR-6, (Symposium). Hachiouji, Mar. 1998.
  532. T.Suemasu, K.Takakura, M.Tanaka, T.Fujii and F.Hasegawa,
    "Mangnetotransport properties of a single-crystalpneβ-FeSi2 Layer Grown by RDE,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 31a-R-11, Hachiouji, Mar. 1998.
  533. 1997年

  534. T.Suemasu, K.Takakura, M.Tanaka. T.Fujii and F.Hasegawa,
    "Magnetotransport properties of Semiconducting β-FeSi2 Grown on Si (001) by Reactive Deposition Epitaxy,"
    the 3rd Symposium on the physics and Apppcation of Spin-Related phenomena in Semiconductors, C12, Sendai, Nov. 1997.
  535. T.Yaguchi, S.Yonemura, M.Sakai, H.Tsuchiya, T.Suemasu and F.Hasegawa,
    "Impurities of GaN layers grown by MOMBE: dependence of nitrogen source and ECR plasme gun structure,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 3pQ-9, Akita, Oct. 1997.
  536. S.Yonemura, T.Yaguchi, M.Sakai, H.Tsuchiya, T.Suemasu and F.Hasegawa,
    "Cubic component of GaN layer grown by ECR-MOMBE: dependence on ECR plasma gun structure,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 3pQ-8, Akita, Oct. 1997.
  537. H.Tsuchiya, K.Sunaba, M.Minami, T.Suemasu and F.Hasegawa,
    "HVPE/MOMBE hybrid growth of high-quapty and thick cubic GaN layers,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 3pQ-11, Akita, Oct. 1997.
  538. M.Tanaka, T.Fujii, Y.Iikura, T.Endoh, T.Suemasu and F.Hasegawa,
    "2-Step-RDE Growth of β-FeSi2 on Si(001),"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 3pF-14, Akita, Oct. 1997.
  539. T.Fujii, T.Suemasu, M.Tanaka, K.Takakura, T.Endo, Y.Iikura and F.Hasegawa,
    "Electrical Characteristics of p-Si/β-FeSi2/n-Si Doublehetero structure," Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 3pF-15, Akita, Oct. 1997.
  540. T.Suemasu, K.Takakura, M.Tanaka, T.Fujii and F.Hasegawa,
    "Magnetotrannsport and Magnetization properties of Semiconducting β-FeSi2,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 4aZF-10, Akita, Oct. 1997.
  541. T.Yaguchi, S.Yonemura, H.Tsuchiya, N.Shimoyama, T.Suemasu and F.Hasegawa,
    "Impurities in MOMBE GaN Grown by ECR plasma Activated Nitrogen and Monomethyl-hydrazin,"
    Record of the 16th Electronic Materials Symposium, G-13, Minoo, July 9-11, 1997.
  542. K.Takakura, M.Yamamoto, T.Suemasu, Y.Kumagai and F.Hasegawa,
    "Fabrication of Boron Atomic-Layer-Doped Si/B/Si(001) Structure and its Electrical properties,"
    Record of the 16th Electronic Materials Symposium, G-1, Minoo, July 9-11, 1997.
  543. T.Suemasu, M.Tanaka, T.Fujii, H.Katsumata, Y.Makita and F.Hasegawa,
    "Formation of β-FeNiSi2 layers with variable bandgap and their optical and magnetic properties,"
    Record of the 16th Electronic Materials Symposium, D-1, Minoo, July 9-11, 1997.
  544. T.Yaguchi, S.Yonemura, H.Tsuchiya, T.Suemasu and F.Hasegawa,
    "MOMBE Growth of GaN Layers with ECR N+plasma,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., Funabashi, 30aK-5, Mar. 1997.
  545. M.Yamamoto, K.Takakura, T.Suemasu, M.Tanaka, T.Fujii and F.Hasegawa,
    "Atomic-Boron-Absorbed Si(001) Structure and its Electrical properties,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 28aSS-3, Funabashi, Mar. 1997.
  546. T.Suemasu, M.Tanaka, T.Fujii, H.Katsumata, Y.Makta and F.Hasegawa,
    "Formation of β-FeNiSi2 Layers and its Optical and Magnetic properties,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 29pZD-11, Funabashi, Mar. 1997.
  547. M.Tanaka, T.Suemasu, T.Fujii, Y.Kumagai, S.Hashimoto and F.Hasegawa,
    "The effect of anneapng of β-FeSi2 formed by Reactive Deposition Epitaxy and Fabrication of Si/b-FeSi2/Si Structure,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 28pA-13, Funabashi, Mar. 1997.
  548. H.Tsuchiya, K.Sunaba, T.Suemasu and F.Hasegawa,
    "Growth temperature dependence of Hexagonal GaN grown on (001) GaAs,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. phys., 28aK-6, Funabashi, Mar. 1997.
  549. 1996年

  550. H.Tsuchiya, T.Yaguchi, K.Sunaba, S.Yonemura, T.Suemasu and F.Hasegawa,
    "V/III ratio dependence of crystallinity of cubic GaN grown on (001) GaAs by HVPE,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. Phys., 10pZG-2, Fukuoka, Aug. 1996.
  551. M.Tanaka, T.Suemasu, M.Yamamoto, K.Takakura, T.Fujii and F.Hasegawa,
    "Formation of highly oriented thick β-FeSi2 layer by reactive deposition epitaxy,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. Phys., 8aPB-18, Fukuoka, Aug. 1996.
  552. M.Yamamoto, T.Suemasu, M.Tanaka, T.Fujii, K.Takakura, M.Kawabe and F.Hasegawa,
    "Si MBE growth on B adsorbed Si(001) surface,"
    Nat. Conv. Rec. of Japan Soc. Appl. Phys., 9pZK-1, Fukuoka, Aug. 1996.

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